公开(公告)号：DE102014107172B4

公开(公告)日：2025-05-08

申请号：DE102014107172

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H10D30/80 ,  H10D30/01 ,  H10D30/83 ,  H10D30/87

Abstract: Feldeffekt-Halbleitervorrichtung, umfassend:- einen Halbleiterkörper (40), der eine Hauptfläche (101) aufweist und in einem vertikalen Querschnitt, der orthogonal zur Hauptfläche (101) ist, Folgendes umfasst:- eine Driftschicht (1a) eines ersten Leitfähigkeitstyps;- eine Halbleitermesa (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an die Driftschicht (1a) angrenzt, sich zur Hauptfläche (101) erstreckt und eine erste Seitenwand umfasst, wobei ein Gleichrichterübergang (18) an der ersten Seitenwand gebildet ist; und- zwei zweite Halbleitergebiete (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die benachbart zu der Halbleitermesa (1b) angeordnet sind, wobei jedes der beiden zweiten Halbleitergebiete (2) einen pn-Übergang wenigstens mit der Driftschicht (1a) bildet; und- eine Gatemetallisierung in ohmschem Kontakt mit einem nicht-monokristallinen Halbleitermaterial (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps, das den Gleichrichterübergang (18) als Heteroübergang bildet.

公开(公告)号：DE102015112414A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112414

申请日：2015-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  IRSIGLER PETER ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Struktur in einem Halbleiterkörper (304) umfasst ein Ausbilden einer ersten Maske (320) über einer ersten Oberfläche (307) des Halbleiterkörpers (304). Die erste Maske (320) weist eine Öffnung (322) auf, die einen ersten Abschnitt (3201) der ersten Maske (320) umgibt, wodurch der erste Abschnitt (3201) und ein zweiter Abschnitt (3202) der ersten Maske (320) getrennt sind. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) bearbeitet. Die Öffnung (322) wird vergrößert, indem zumindest ein Teil der ersten Maske (320) in dem ersten Abschnitt (3201) entfernt wird, während die erste Maske (320) in dem zweiten Abschnitt (3202) beibehalten wird. Der Halbleiterkörper (304) wird durch die Öffnung (322) an der ersten Oberfläche (307) weiter bearbeitet.

公开(公告)号：DE10334433B4

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：DE10334433

申请日：2003-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  GRAF ALFONS ,  KLOTZ FRANK ,  SCHULZ-LINKHOLT CHRISTOPH

IPC: H01L23/62 ,  H01H37/76 ,  H01H85/11 ,  H01L23/34 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE59914408D1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：DE59914408

申请日：1999-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  KOLB STEFAN

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/04 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

公开(公告)号：DE59914345D1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：DE59914345

申请日：1999-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG

IPC: G01P15/12 ,  G01D3/028 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01L9/00 ,  G01L11/00 ,  G01L21/10 ,  G01P15/00 ,  G01P15/08

Abstract: A measuring apparatus includes at least one microsensor having at least two chambers filled with a gas. The chambers are connected to one another by at least one channel. Moreover, the chambers are sealed off to the outside in a gastight manner. Also provided is a detection device for detecting a gas stream flowing in the channel, which gas stream arises on account of different pressures prevailing in the chambers. The invention also relates to a method for producing the microsensor according to the invention.

公开(公告)号：DE10100438B4

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：DE10100438

申请日：2001-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUEB MICHAEL ,  WERNER WOLFGANG ,  KOLB STEFAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125

公开(公告)号：DE10355063B3

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：DE10355063

申请日：2003-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TIHANYI JENOE ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Method for simultaneously producing gate, source, body and drain contact regions in a layer structure comprises applying a first mask (5) having first recesses (6) and second recesses (7) on a conductor layer (4) and selectively ion beam etching to remove parts of the layer structure (1) lying below the recesses. The impact angle of the ion beams (8) on the first mask is selected so that the resulting etching speeds below the first recesses are higher than the corresponding etching speeds below the second recesses. An independent claim is also included for a semiconductor transistor produced by the above method.

公开(公告)号：DE10350702A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：DE10350702

申请日：2003-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/62 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

Abstract: A capacitive component comprises two electrode layers (10,30) sandwiching a dielectric layer (20) with a resistive layer (40) between one electrode and the dielectric layer. Preferably the component is a controllable semiconductor element and the resistive layer comprises a nitrogen or oxygen-doped semiconductor or amorphous layer.

公开(公告)号：DE10224790B4

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：DE10224790

申请日：2002-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  KOLB STEFAN

IPC: G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  G01P15/09

Abstract: An acceleration sensor includes a deflectable pressure measuring diaphragm and a counter-structure, which is deflectable as against the pressure measuring diaphragm. The acceleration sensor includes a detection means for detecting a deflection of the pressure measuring diaphragm as against the counter-structure. Further, a test mass is connected to the pressure measuring diaphragm or the counter-structure in order to be deflected from an idle position depending on an acceleration applied. The deflection of the test mass results in a change of the distance between the pressure measuring diaphragm and the counter-structure, which is detectable by the detection means.

公开(公告)号：DE10224790A1

公开(公告)日：2004-01-08

申请号：DE10224790

申请日：2002-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  KOLB STEFAN

IPC: G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  G01P15/09

Abstract: An acceleration sensor includes a deflectable pressure measuring diaphragm and a counter-structure, which is deflectable as against the pressure measuring diaphragm. The acceleration sensor includes a detection means for detecting a deflection of the pressure measuring diaphragm as against the counter-structure. Further, a test mass is connected to the pressure measuring diaphragm or the counter-structure in order to be deflected from an idle position depending on an acceleration applied. The deflection of the test mass results in a change of the distance between the pressure measuring diaphragm and the counter-structure, which is detectable by the detection means.