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公开(公告)号：CN106029554B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201580009172.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/017 , B81C3/001 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。
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公开(公告)号：CN107032292A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610945347.2
申请日：2016-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/0041 , B81B2207/093 , B81C1/00 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , H01L23/488 , H01L25/50 , B81C1/00261 , B81B7/02 , B81C2203/01
Abstract: 本发明涉及封装方法及相关的封装结构。本发明提供一种封装方法，其包括提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层与第二接合金属层；提供具有接合区的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区，将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu)，且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。本发明还提供一种相关的封装结构。
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公开(公告)号：CN107032288A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610882059.7
申请日：2016-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00285 , B81C2201/0125 , B81C2201/0154 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81C1/00301
Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106966355A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610919302.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B1/004 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81C1/00087 , B81C1/00309 , B81C2201/019 , G01L9/00 , B81B3/0032 , B81B7/0009 , B81C1/0015 , G01L9/12
Abstract: 微电子机械系统(MEMS)压力传感器包括第一衬底、第二衬底和感测结构。第二衬底基本平行于第一衬底。感测结构位于第一衬底和第二衬底之间，并且接合至第一衬底的部分和第二衬底的部分，其中，第一衬底和第二衬底之间的第一间隔与外侧连通，并且第二衬底和感测结构之间的第二间隔与外侧连通或隔离。本发明的实施例还涉及微电子机械系统压力传感器的制造方法。
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公开(公告)号：CN104345106B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410375754.5
申请日：2014-08-01
Applicant: 克洛纳测量技术有限公司
Inventor： W.奎佩尔斯
IPC: G01N30/68
CPC classification number: B81C3/001 , B81B7/02 , B81B2201/0292 , B81C1/00341 , B81C2201/019 , G01N27/626 , G01N30/6095 , G01N30/68 , G01N2030/8881
Abstract: 本发明涉及用于制造功能单元的方法和相应的功能单元，具体而言描述且示出了用于制造带有气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)的功能单元的方法。本发明的目的在于，提出一种用于制造功能单元的方法，该方法在现有技术的扩展方面提供了改进。该目的在讨论的方法方面以如下方式来实现，即使得气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)一起在多层陶瓷(6)中制造。本发明此外涉及利用该方法制造的功能单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106536067A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038431.X
申请日：2015-07-14
Applicant: 蝴蝶网络有限公司
Inventor： 乔纳森·M·罗思伯格 , 苏珊·A·阿列 , 基思·G·菲费 , 内华达·J·桑切斯 , 泰勒·S·拉尔斯顿
CPC classification number: G01N29/2406 , A61B8/4483 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L2224/4813 , H01L2924/0002 , H01L2924/146 , H01L2924/1461
Abstract: 描述了与互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底集成的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。制造可以涉及两个单独的晶片接合步骤。晶片接合可以用于在衬底(302)中制造密封腔(306)。晶片接合也可用于将衬底(302)接合至另一衬底(304)，例如CMOS晶片。至少第二晶片接合可以在低温下进行。
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公开(公告)号：CN103663362B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310384803.7
申请日：2013-08-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/528 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种传感器封装方法以及传感器封装。所述方法包括提供（82）结构（117）、提供（100）控制器元件（102、24）、以及将控制器元件粘结（116）到所述结构（117）的外表面（52、64）。所述结构包括传感器晶圆（92）和帽晶圆（94）。晶圆（92、94）的内表面（34、36）耦合在一起，其中传感器（30）插入在所述晶圆（92、94）之间。一个晶圆（92、94）包括衬底部分（40、76），其中粘结盘（42）形成于其内表面（34、36）上。另一个晶圆（92、94）隐藏了所述衬底部分（40、76）。粘结之后，方法（80）包括形成（120）导电元件（60），移除材料部分（96、98、107），形成（130）电互连（56），应用（134）封装材料（64），以及切割（138）。
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公开(公告)号：CN103935953B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410172235.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2201/0198 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN102530823B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110459495.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： R·D·霍尔宁
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C2201/019 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中，一种系统包括第一双芯片，其包括第一基层；接合到第一基层的第一器件层，第一器件层包括第一组MEMS器件；以及接合到第一器件层的第一顶层，其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片，其包括第二基层；接合到第二基层的第二器件层，第二器件层包括第二组MEMS器件；以及接合到第二器件层的第二顶层，其中第二组MEMS器件被密封地隔离，其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。
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公开(公告)号：CN103221331B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180055792.7
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
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