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公开(公告)号:TW201625935A
公开(公告)日:2016-07-16
申请号:TW104128217
申请日:2015-08-27
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 丹 波夫 亞瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 瑪庸傑席恩 賽門 吉傑斯柏特 裘瑟胡斯 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 , EIKEMA, KJELD
IPC: G01N21/956 , G03F7/20 , G01B11/00
CPC classification number: G01N21/956 , G01B11/00 , G01N2201/12 , G03F7/70141 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03H1/0443 , G03H2001/0033 , G03H2001/0204 , G03H2001/0458
Abstract: 藉由一微影程序在一基板(W)上形成度量目標。在不同條件下,使用空間同調輻射來照射包括一或多個光柵結構之一目標(T)。由該目標區域繞射之輻射(650)干涉參考輻射(652)以在一影像偵測器(623)處形成一干涉圖案。擷取該干涉圖案之一或多個影像。自該(等)擷取影像及自該參考輻射之知識計算該偵測器處之該收集散射輻射之一複合場。自該複合場計算由各光柵繞射之輻射之一合成輻射量測影像(814)。自該光柵之一繞射光譜之相反部分之該等合成輻射量測影像(814、814')獲得該光柵之一不對稱性量測。使用適合目標,可自該量測不對稱性計算該微影程序之重疊及其他效能參數。
Abstract in simplified Chinese: 借由一微影进程在一基板(W)上形成度量目标。在不同条件下,使用空间同调辐射来照射包括一或多个光栅结构之一目标(T)。由该目标区域绕射之辐射(650)干涉参考辐射(652)以在一影像侦测器(623)处形成一干涉图案。截取该干涉图案之一或多个影像。自该(等)截取影像及自该参考辐射之知识计算该侦测器处之该收集散射辐射之一复合场。自该复合场计算由各光栅绕射之辐射之一合成辐射量测影像(814)。自该光栅之一绕射光谱之相反部分之该等合成辐射量测影像(814、814')获得该光栅之一不对称性量测。使用适合目标,可自该量测不对称性计算该微影进程之重叠及其他性能参数。
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公开(公告)号:TW201624147A
公开(公告)日:2016-07-01
申请号:TW104139225
申请日:2015-11-25
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 布蘭鄧特 大衛 克雷格 , BRANDT, DAVID CRAIG , 艾瑟夫 亞歷山大 伊格瑞維齊 , ERSHOV, ALEXANDER IGOREVICH , 佛蒙柯維 伊格爾 維拉德密洛維齊 , FOMENKOV, IGOR VLADIMIROVICH
CPC classification number: G03F7/7015 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B19/0019 , G02B19/0095 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G03F7/70933 , G21K1/062 , G21K2201/067 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/008
Abstract: 本發明提供一種諸如一集光器鏡面之反射極紫外線(EUV)光學件,其組態為琢面之一陣列,該等琢面經間隔開以在鄰近琢面之間形成各別間隙。該等間隙用作跨越該等琢面中之一者的氣流的入口,使得平行於光學件表面而引入流動。可使該等琢面具有偏移,使得該EUV光學件之反射區域之損失可減至最小。氣體促進自該等琢面之表面移除目標材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种诸如一集光器镜面之反射极紫外线(EUV)光学件,其组态为琢面之一数组,该等琢面经间隔开以在邻近琢面之间形成各别间隙。该等间隙用作跨越该等琢面中之一者的气流的入口,使得平行于光学件表面而引入流动。可使该等琢面具有偏移,使得该EUV光学件之反射区域之损失可减至最小。气体促进自该等琢面之表面移除目标材料。
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公开(公告)号:TWI539867B
公开(公告)日:2016-06-21
申请号:TW101110364
申请日:2012-03-26
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 雷吉言古魯 奇拉格 , RAJYAGURU, CHIRAG , 包姆加特 彼得 , BAUMGART, PETER , 維斯晨庫 喬治O , VASCHENKO, GEORGIY O.
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公开(公告)号:TW201619693A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:TW104137750
申请日:2015-11-16
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 凡 丹 慕蘭 佛利茲 , VAN DER MEULEN, FRITS , 詹森 馬騰 馬吉斯 馬利努斯 , JANSEN, MAARTEN MATHIJS MARINUS , 阿瑟瑞多 喬治 瑪紐爾 , AZEREDO LIMA, JORGE MANUEL , 布朗司 德克 瑟華提思 傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 布魯吉 馬克 , BRUIJN, MARC , 戴克斯 傑洛恩 , DEKKERS, JEROEN , 簡森 保羅 , JANSSEN, PAUL , 卡默 羅納 哈莫 剛瑟 , KRAMER, RONALD HARM GUNTHER , 可魯依寧嘉 馬提亞斯 , KRUIZINGA, MATTHIAS , 蘭博根 羅博特 嘉博爾 瑪利亞 , 里恩德斯 馬汀斯 漢德利克斯 安東尼斯 , LEENDERS, MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 凡 登 波許 吉瑞特 , VAN DEN BOSCH, GERRIT , 凡 路 吉羅美 法蘭西歐斯 斯洛凡 凡吉兒 , 凡布魯吉 畢兒翠斯 路意斯 瑪莉 喬瑟夫 凱翠恩 , VERBRUGGE, BEATRIJS LOUISE MARIE-JOSEPH KATRIEN , 提 克拉克 安居落 賽薩 彼得 , DE KLERK, ANGELO CESAR PETER , 迪恩斯 賈寇巴斯 瑪麗亞 , DINGS, JACOBUS MARIA , 詹森 摩理斯 理奧納多斯 裘漢那斯 , JANSSEN, MAURICE LEONARDUS JOHANNES , 克利斯坦 羅蘭德 賈寇巴斯 裘漢那斯 , KERSTENS, ROLAND JACOBUS JOHANNES , 克斯特 馬汀那斯 裘瑟夫 瑪麗亞 , KESTERS, MARTINUS JOZEF MARIA , 路斯 米契兒 , LOOS, MICHEL , 米德兒 吉爾特 , MIDDEL, GEERT , 瑞吉德爾斯 斯洛維斯特 瑪修斯 , REIJNDERS, SILVESTER MATHEUS , 索爾席特 法蘭克 裘漢那斯 克利斯坦 , THEUERZEIT, FRANK JOHANNES CHRISTIAAN , 凡 理玟努根 安妮 裘漢那斯 威爾赫瑪斯 , VAN LIEVENOOGEN, ANNE JOHANNES WILHELMUS
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F1/64 , G03F7/70825
Abstract: 本發明提供用於適合於供一微影程序中使用之一光罩總成之工具配置,該光罩總成包含:一圖案化器件;及一護膜框架,其經組態以支撐一護膜且運用一安裝件而安裝於該圖案化器件上;其中該安裝件在該圖案化器件與該護膜框架之間提供一可釋放式可嚙合附接。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于适合于供一微影进程中使用之一光罩总成之工具配置,该光罩总成包含:一图案化器件;及一护膜框架,其经组态以支撑一护膜且运用一安装件而安装于该图案化器件上;其中该安装件在该图案化器件与该护膜框架之间提供一可释放式可啮合附接。
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公开(公告)号:TWI534557B
公开(公告)日:2016-05-21
申请号:TW101100714
申请日:2012-01-06
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 白尼 凡丁 葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 莫斯 喬漢斯 哈博特 喬瑟菲那 , MOORS, JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA , 凡 沙特 珍 伯納德 波萊奇莫斯 , VAN SCHOOT, JAN BERNARD PLECHELMUS , 史溫克斯 格爾達斯 哈柏特斯 彼佐斯 瑪利亞 , SWINKELS, GERARDUS HUBERTUS PETRUS MARIA , 亞庫寧 安卓 米克哈洛維奇 , YAKUNIN, ANDREI MIKHAILOVICH , 凡 迪及西爾當克 安東尼爾斯 喬漢尼司 喬瑟夫司 , VAN DIJSSELDONK, ANTONIUS JOHANNES JOSEPHUS , 丹 邦伊 威海明司 派特斯 , DE BOEIJ, WILHELMUS PETRUS
IPC: G03F7/20 , G02B5/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70191 , B82Y10/00 , G02B1/11 , G02B5/1838 , G02B5/281 , G02B5/283 , G03F7/70008 , G03F7/702 , G03F7/70308 , G03F7/70575 , G21K1/062 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/067 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/008
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公开(公告)号:TWI534555B
公开(公告)日:2016-05-21
申请号:TW100130158
申请日:2011-08-23
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 洛卜史塔 艾瑞克 羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 史溫克斯 吉瑞德斯 哈柏特斯 彼佐斯 瑪利亞 , SWINKELS, GERARDUS HUBERTUS PETRUS MARIA , 柏曼 艾瑞克 皮楚斯 , BUURMAN, ERIK PETRUS , 史坦姆 烏維 布魯諾 海尼 , STAMM, UWE BRUNO HEINI
CPC classification number: G03F7/70033 , B23K26/0643 , G03F7/70025 , G03F7/70191 , G03F7/7055 , H01S3/0071 , H01S3/2308 , H05G2/001 , H05G2/008
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公开(公告)号:TW201618601A
公开(公告)日:2016-05-16
申请号:TW104124121
申请日:2015-07-24
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 葛拉漢 馬修 , GRAHAM, MATTHEW
IPC: H05G2/00
Abstract: 描述一種用以與雷射產生電漿(LPP)極紫外(EUV)源電漿室一起使用的小滴產生系統。在EUV產生期間,振盪可隨著電漿室之內的小滴飛行時間的變化而出現。為了減少此等振盪,小滴控制器調整產生小滴之速率,該速率又指示小滴飛行時間。小滴係所產生的微滴之聚結的結果,使得藉由用來產生微滴之訊號的頻率來指示產生小滴之速率。此調整可為基線小滴頻率之調變。在一些情況下,調變函數可為正弦曲線或實施為偽隨機(pseudo-random)開關。
Abstract in simplified Chinese: 描述一种用以与激光产生等离子(LPP)极紫外(EUV)源等离子室一起使用的小滴产生系统。在EUV产生期间,振荡可随着等离子室之内的小滴飞行时间的变化而出现。为了减少此等振荡,小滴控制器调整产生小滴之速率,该速率又指示小滴飞行时间。小滴系所产生的微滴之聚结的结果,使得借由用来产生微滴之信号的频率来指示产生小滴之速率。此调整可为基线小滴频率之调制。在一些情况下,调制函数可为正弦曲线或实施为伪随机(pseudo-random)开关。
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公开(公告)号:TWI531872B
公开(公告)日:2016-05-01
申请号:TW102144702
申请日:2009-09-21
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 戴 嘉格 派特 威廉 鶴鳴 , DE JAGER, PIETER WILLEM HERMAN , 斑尼 維頂 維根維齊 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 班斯洽普 喬茲夫 佩勒斯 韓瑞卡 , BENSCHOP, JOZEF PETRUS HENRICUS , 桂 成群 , GUI, CHENG-QUN , 昂夫里 喬漢斯 , ONVLEE, JOHANNES , 范 茲維 愛爾恩 約翰 , VAN ZWET, ERWIN JOHN
CPC classification number: G03F7/70183 , G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70391 , G03F7/704
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公开(公告)号:TW201614384A
公开(公告)日:2016-04-16
申请号:TW104129402
申请日:2015-09-04
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 修尼克 傑洛恩 吉爾圖塔 安東尼斯 , HUINCK, JEROEN GERTRUDA ANTONIUS
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01L21/68742 , G03F7/707 , G03F7/70708 , G03F7/70716 , G03F7/70725 , G03F7/70733 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/687 , H01L21/68714 , H01L21/6875 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 本發明描述一種物件台,其包含用以支撐一物件之一支撐表面,及用以在實質上垂直於該支撐表面之一方向上使該物件自該支撐表面位移的一提昇機構。該提昇機構包含在實質上垂直於該支撐表面之該方向上延伸之一或多個伸長桿;該一或多個伸長桿可在一第一位置與一第二位置之間移動,在該第一位置中,該一或多個伸長桿定位於該支撐表面下方,在該第二位置中,該一或多個伸長桿穿過該支撐表面之一或多個孔隙而自該支撐表面突起,以支撐與該支撐表面相隔一距離的該物件。該機構進一步包含:一外殼;一軸承,其經構形以實現該一或多個伸長桿在該第一位置與該第二位置之間之一實質上無摩擦位移;及一致動器,其經構形以使該一或多個伸長桿在該第一位置與該第二位置之間位移。該機構進一步包括一鎖定機構,該鎖定機構經構形以限制圍繞該一或多個伸長桿之一縱向軸線之一旋轉,該鎖定機構包含一彈性器件,該彈性器件機械地連接至該外殼及該一或多個伸長桿兩者,該彈性器件經構形以在該支撐方向上具有一比較低勁度且在圍繞該縱向軸線之一旋轉方向上具有一比較高勁度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种对象台,其包含用以支撑一对象之一支撑表面,及用以在实质上垂直于该支撑表面之一方向上使该对象自该支撑表面位移的一提升机构。该提升机构包含在实质上垂直于该支撑表面之该方向上延伸之一或多个伸长杆;该一或多个伸长杆可在一第一位置与一第二位置之间移动,在该第一位置中,该一或多个伸长杆定位于该支撑表面下方,在该第二位置中,该一或多个伸长杆穿过该支撑表面之一或多个孔隙而自该支撑表面突起,以支撑与该支撑表面相隔一距离的该对象。该机构进一步包含:一外壳;一轴承,其经构形以实现该一或多个伸长杆在该第一位置与该第二位置之间之一实质上无摩擦位移;及一致动器,其经构形以使该一或多个伸长杆在该第一位置与该第二位置之间位移。该机构进一步包括一锁定机构,该锁定机构经构形以限制围绕该一或多个伸长杆之一纵向轴线之一旋转,该锁定机构包含一弹性器件,该弹性器件机械地连接至该外壳及该一或多个伸长杆两者,该弹性器件经构形以在该支撑方向上具有一比较低劲度且在围绕该纵向轴线之一旋转方向上具有一比较高劲度。
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公开(公告)号:TW201614222A
公开(公告)日:2016-04-16
申请号:TW104119622
申请日:2015-06-17
Applicant: ASML控股公司 , ASML HOLDING N. V. , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor: 艾伯特 鄂爾 威廉 , EBERT, EARL WILLIAM , 班捷恩 法蘭西斯科 哥登法蘭德斯 凱司柏 , BIJNEN, FRANCISCUS GODEFRIDUS CASPER
CPC classification number: G03F7/7085 , G01B11/14 , G03F9/7088
Abstract: 一種量測裝置,其包括:一光學系統,其用以將照明輻射提供至一週期性結構上之一點中且用以接收由該週期性結構重新導向之輻射,該光學系統包括:一第一光闌,其用以阻擋來自該週期性結構之零階輻射且允許非零階輻射穿過;及一第二光闌,其用以阻擋穿過該第一光闌的零階輻射且允許該非零階輻射穿過;及該光學系統下游之一輻射偵測器,其用以接收該非零階輻射。
Abstract in simplified Chinese: 一种量测设备,其包括:一光学系统,其用以将照明辐射提供至一周期性结构上之一点中且用以接收由该周期性结构重新导向之辐射,该光学系统包括:一第一光阑,其用以阻挡来自该周期性结构之零阶辐射且允许非零阶辐射穿过;及一第二光阑,其用以阻挡穿过该第一光阑的零阶辐射且允许该非零阶辐射穿过;及该光学系统下游之一辐射侦测器,其用以接收该非零阶辐射。
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