-
公开(公告)号：KR101086777B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020090080500
申请日：2009-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명에 따른 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되, 상기 능동 도파로 영역은, 내부 손실 조절을 통한 공진 현상을 발생시킴으로써, 대역폭을 확장시킬 수 있게 된다. 이로써, 본 발명에 따른 광증폭기는 저전류에서도 넓은 주파수 대역폭을 확보할 수 있다.
SOA, RSOA, 내부 손실, 대역폭, 공진현상-
公开(公告)号：KR1020110065285A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020100073374
申请日：2010-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/44 , H01L27/146
CPC classification number: G11C27/024
Abstract: PURPOSE: A optical detector including the coupling capacitor is provided to control the movement characteristic deviation of each detectors easily by using the coupling capacitor and operating each avalanche photo diode with different bias voltage. CONSTITUTION: The optical detector(100) having a coupling capacitor includes: an avalanche photodiode(APD); a bias circuit(110); a detection circuit(120); and a coupling capacitor(Cc). The bias circuit offers the bias voltage(Vb) to one end of the avalanche photo diode. The detection circuit is connected to the other end of the avalanche photo diode and detects the photo current generated in the avalanche photo diode. The coupling capacitor is first of all connected to the fist or the other end of avalanche photo diode. The coupling voltage for driving the avalanche photo diode to the Geiger mode is offered. The coupling capacitor is formed into the fixed type. The size of the coupling voltage is varied according to the size of the overdrive voltage(Vod) offered to the coupling capacitor. The bias voltage is lower than the break down voltage of the avalanche photo diode.
Abstract translation: 目的：提供一个包括耦合电容的光学检测器，通过使用耦合电容器和操作具有不同偏置电压的每个雪崩光电二极管，轻松控制每个探测器的运动特性偏差。 构成：具有耦合电容器的光检测器（100）包括：雪崩光电二极管（APD）; 偏置电路（110）; 检测电路（120）; 和耦合电容器（Cc）。 偏置电路为雪崩光电二极管的一端提供偏置电压（Vb）。 检测电路连接到雪崩光电二极管的另一端，并检测在雪崩光电二极管中产生的光电流。 耦合电容器首先连接到雪崩光电二极管的第一端或另一端。 提供了将雪崩光电二极管驱动到盖革模式的耦合电压。 耦合电容器形成固定型。 耦合电压的大小根据提供给耦合电容器的过驱动电压（Vod）的大小而变化。 偏置电压低于雪崩光电二极管的击穿电压。
-
公开(公告)号：KR1020110041221A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090098292
申请日：2009-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a quantum dot using a patterned strained layer and a quantum dot semiconductor device made by the same are provided to form the quantum dot with high uniformity and density by using the patterned strained layer as a seed layer. CONSTITUTION: A patterned strained layer(530a) and a patterned first capping layer(550a) are formed on a substrate(510) by patterning the first capping layer and the strained layer using an etching mask. A second capping layer(570) is formed after the first capping layer and the strained layer are patterned with a lattice format. A quantum dot forming material is formed on the upper side of the second capping layer. A plurality of self-formed quantum dots(590a) are formed on the upper side of the second capping layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用图案化的应变层制造量子点的方法及其制造的量子点半导体器件，通过使用图案化的应变层作为种子层，形成具有高均匀性和密度的量子点。 构成：通过使用蚀刻掩模图案化第一覆盖层和应变层，在衬底（510）上形成图案化的应变层（530a）和图案化的第一覆盖层（550a）。 在第一覆盖层之后形成第二覆盖层（570），并且使用晶格格式对应变层进行图案化。 量子点形成材料形成在第二封盖层的上侧。 多个自形成量子点（590a）形成在第二封盖层的上侧。
-
公开(公告)号：KR100958719B1
公开(公告)日：2010-05-18
申请号：KR1020070128857
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941 , H01S3/10
CPC classification number: H01S5/026 , H01S5/0215 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/32333
Abstract: 단일모드 발진을 위한 하이브리드 레이저 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 이 하이브리드 레이저 다이오드는 실리콘층, 실리콘층 상에 배치되는 활성 패턴, 그리고 실리콘층 및 활성 패턴 사이에 배치되는 본딩막을 구비한다. 이때, 본딩막은 브래그 격자를 구성하는 회절 패턴들을 구비한다.
-
公开(公告)号：KR1020100034232A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020080093260
申请日：2008-09-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/141 , G02B6/124 , H01S3/1055 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0612 , H01S5/3211 , H01S5/50
Abstract: PURPOSE: A wavelength conversion outer resonance laser reduces the combined loss by arranging wave guides to the active alignment method. CONSTITUTION: A wavelength conversion outer resonance laser comprises the super luminous diode(13) and the optical fiber(14) emitting the TO-can(TO can)(16) having the Bragg grid, and the optical signal. The optical signal emitted from the super luminous diode is reflected to the Bragg grid to the specific wave. The optical signal reflected to as described above is outputted via the super luminous diode in the optical fiber. TO-can is combined with the first side of the super luminous diode. The optical fiber is combined in the second side of the super luminous diode. In the optical signal reflected to as described above is the second side, it is again reflected to. The signal reflected to as described above is outputted with the resonance from the second side to the optical fiber.
Abstract translation: 目的：波长转换外共振激光器通过将波导布置为主动对准方法来减少组合损耗。 构成：波长转换外共振激光器包括超发光二极管（13）和发射具有布拉格栅格的TO-can（TO can）（16）和光信号的光纤（14）。 从超级发光二极管发射的光信号被反射到布拉格栅格到特定波。 如上所述反射的光信号经由光纤中的超发光二极管输出。 TO-can与超级发光二极管的第一侧相结合。 光纤组合在超级发光二极管的第二侧。 在如上所述反射的光信号中是第二面，它再次被反射到。 如上所述反射的信号以从第二侧到光纤的谐振输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100941152B1
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080047433
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는, 2개의 격자 주기를 갖는 이중 회절격자를 이용하여 임의의 파장에서 리트로(Littrow) 회절 조건을 만족시키는 동시에 다른 파장에서 리트만(Littman-Metcalf) 회절 조건을 만족시킴으로써, 서로 다른 두 파장에서 동시에 발진이 이루어지도록 하여 두 발진 파장의 비팅(beating)에 의해 안정적으로 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 가변 테라헤르츠파 광원 소자는 수 THz 까지 주파수 가변이 용이하고 소형으로 제작이 가능하다.
테라헤르츠파, 파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 회절격자, 가변 편향기-
公开(公告)号：KR1020090061873A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070128857
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941 , H01S3/10
CPC classification number: H01S5/026 , H01S5/0215 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/32333
Abstract: A hybrid laser diode for a single mode operation and a manufacturing method thereof are provided to generate a single mode laser by having a coupling coefficient reducing a diffraction grating formed in a bonding layer with the thin thickness. A hybrid laser diode includes a silicon layer(114), an active pattern, and a bonding layer(500). The active pattern is arranged on the silicon layer. The bonding layer is arranged between the silicon layer and the active pattern. The bonding layer includes diffraction patterns comprising a bragg grating. The diffraction patterns of the bonding layer are formed to define the openings to expose the silicon layer. The openings are arranged with an interval to satisfy a bragg condition corresponding to the wavelength of the light generated in the hybrid laser diode.
Abstract translation: 提供了用于单模操作的混合激光二极管及其制造方法，以通过具有减小形成在薄厚度的接合层中的衍射光栅的耦合系数来生成单模激光器。 混合激光二极管包括硅层（114），有源图案和结合层（500）。 有源图案布置在硅层上。 结合层布置在硅层和活性图案之间。 结合层包括包括布拉格光栅的衍射图案。 形成接合层的衍射图案以限定露出硅层的开口。 这些开口以间隔布置以满足与混合激光二极管中产生的光的波长相对应的布拉格条件。
-
公开(公告)号：KR100884353B1
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070094558
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L33/0045 , H01L33/02
Abstract: A super luminescent diode and a manufacturing method thereof are provided to obtain high optical power and wide optical bandwidth by optically connecting an active layer with a low optical confinement factor and the active layer with a high optical confinement factor. A super luminescent diode includes at least one high confinement factor region and at least one low optical confinement factor region. The high confinement factor region and the low optical confinement factor region are formed on a successively connected waveguide in a light emitting diode and a semiconductor optical amplifier. A semiconductor optical amplifier has a structure suppressing an optical resonance phenomenon.
Abstract translation: 提供了一种超级发光二极管及其制造方法，通过以较低的光限制因子与有源层以高光限制因子光学连接来获得高的光功率和宽的光学带宽。 超发光二极管包括至少一个高限制因子区域和至少一个低光限制因子区域。 高限制因子区域和低光限制因子区域形成在发光二极管和半导体光放大器中的连续连接的波导上。 半导体光放大器具有抑制光共振现象的结构。
-
公开(公告)号：KR100734874B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050124043
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/4246 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/0683 , H04B10/40 , H01L2924/00014
Abstract: 광섬유를 통하여 서로 다른 파장의 광신호를 동시에 송신 및 수신하는 기능을 가지는 양방향성 광모듈을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 레이저 다이오드의 광축에 정렬하여 반도체 광증폭기가 집적되어 있는 송신용 광소자와, 상기 송신용 광소자의 레이저 다이오드의 광축에 대해, 수광면이 수직으로 놓이는 포토 다이오드로 구성된 수신용 광소자를 포함하여 서로 다른 파장의 광신호를 동시에 송신 및 수신한다. 이와 같은 구성되는 본 발명의 양방향성 광모듈은 TO형 패키지를 채용하면서 수요 부품수를 감소시켜 모듈 제작 공정을 간단하게 하여 저가에 우수한 특성의 모듈을 제작할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020060068367A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드Abstract translation: 本发明中，在量子阱层和势垒层的有源层和包覆层隧穿到所述光学半导体元件的量子阱层和一个接一个比具有（隧穿势垒）的势垒的势垒层的材料的带隙能量被配置为光学半导体元件 在有源层中增加了电子和空穴等载流子的限制效应，以提供在高温和高工作电流下改善驱动特性的光学半导体器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
116
records
(took 0.033 seconds)
