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公开(公告)号：KR101213470B1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020080125326
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/115 , H01L31/02168 , Y02E10/52
Abstract: 태양전지의반사방지막, 태양전지및 태양전지의제조방법을개시한다. 태양전지의반사방지막은제1유전율의물질로구성된저유전막; 제1유전율의물질보다높은제2유전율의물질로구성된고유전막; 및저유전막과고유전막사이에위치하여제1유전율로부터제2유전율까지점차적으로유전율이상승하도록구성된기울기층을포함한다. 본발명에따르면, 태양전지의광흡수효율을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR101182424B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020080129395
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지 및 태양전지 제조방법을 개시한다. 태양전지는 기판; 및 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe 으로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 게르마늄 조성의 급격한 변화에 의해 야기될 수 있는 스트레스 및 결정결함을 최소화하고, 보다 효율적인 광흡수가 가능하게 한다.
태양전지, 실리콘, 게르마늄, p-형 반도체, i-형 반도체, n-형 반도체-
公开(公告)号：KR1020110043402A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100030874
申请日：2010-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3063 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L21/3063 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for processing the anti-reflection of a zinc oxide thin film and a method for manufacturing a solar cell using the same are provided to minimize the reflectivity of a polycrystalline zinc oxide thin film by etching the polycrystalline zinc oxide thin film formed on a substrate. CONSTITUTION: A polycrystalline zinc oxide thin film(20) is formed on a substrate(10). The surface of the polycrystalline zinc oxide thin film is roughly processed. The polycrystalline zinc oxide thin film formed on the substrate is wet-etched with etchant mixed with nitric acid and peroxide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理氧化锌薄膜的抗反射的方法和使用其的太阳能电池的制造方法，以通过蚀刻形成在多晶氧化锌薄膜上的多晶氧化锌薄膜来最小化多晶氧化锌薄膜的反射率 底物。 构成：在基板（10）上形成多晶氧化锌薄膜（20）。 大致加工多晶氧化锌薄膜的表面。 将形成在基板上的多晶氧化锌薄膜用与硝酸和过氧化物混合的蚀刻剂进行湿式蚀刻。
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公开(公告)号：KR1020110014786A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072313
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device having improved thermoelectric efficiency and manufacturing a method thereof are provided to increase thermoelectric efficiency by using a thermal insulating film having low thermoelectric efficiency. CONSTITUTION: A heat absorbing film(230) is formed on a substrate(210) and absorbs an outer heat source. A leg(240) transfers the heat absorbed through the heat absorbing film to the heat radiation film. A heat radiation film(250) emits the heat which it is transmitted from the leg to outside. Thermal isolation films(220,260) reduce the heat transfer rate at the leg. The thermal isolation film is formed in at least one of the leg lower part and upper part.
Abstract translation: 目的：提供一种具有改善的热电效率的热电装置及其制造方法，以通过使用具有低热电效率的绝热膜来提高热电效率。 构成：在基板（210）上形成吸热膜（230）并吸收外部热源。 腿部240将通过吸热膜吸收的热量传递到散热膜。 散热片（250）发射从腿部向外部传递的热量。 隔热膜（220,260）降低了腿部的传热速率。 热隔离膜形成在腿部下部和上部中的至少一个中。
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公开(公告)号：KR1020100115280A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：KR1020090055020
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/055 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: PURPOSE: A photovoltaic cell is provided to minimize the loss of sunlight by increasing the intensity of radiation to a photovoltaic layer. CONSTITUTION: A solar cell includes a photovoltaic conversion layer(110), a wavelength conversion layer(120), a first electrode, and a second electrode. The photovoltaic conversion layer has a first side and a second side which are faced with each other, and includes a p-type dopant area and an n-type dopant area. The wavelength conversion layer is arranged on the first side of the photovoltaic conversion layer and converts an incident component having a first wavelength to penetrating component having a second wavelength. The first electrode is interposed between the photovoltaic conversion layer and the wavelength conversion layer.
Abstract translation: 目的：提供光伏电池以通过增加对光伏层的辐射强度来最小化阳光的损失。 构成：太阳能电池包括光电转换层（110），波长转换层（120），第一电极和第二电极。 光电转换层具有彼此面对的第一面和第二面，并且包括p型掺杂剂区域和n型掺杂剂区域。 波长转换层布置在光电转换层的第一侧上，并将具有第一波长的入射分量转换为具有第二波长的穿透分量。 第一电极介于光电转换层和波长转换层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100948603B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020080023827
申请日：2008-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01C7/1013 , H01C17/06546 , Y10T29/49099
Abstract: 본 발명은 박막형 바리스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 방식으로 제1 산화아연 박막을 저온 증착시키는 제1 단계; 및 불활성 기체와 산소가 함께 주입된 환경하에서 상기 제1 산화아연 박막을 저온 열처리하여 바리스터용 산화아연 박막을 형성하는 제2 단계를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 고집적화 회로에 적용할 수 있도록 바리스터 특성은 유지하면서도 공정온도는 낮추고 제조공정은 보다 간단해질 수 있도록 한다.
박막형 바리스터 소자, 박막, 저온 증착, 저온 열처리-
公开(公告)号：KR100943171B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020070109611
申请日：2007-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 p-형 산화아연층의 형성 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 p-도펀트가 도핑된 도펀트층을 n-형 산화아연층에 면접하도록 형성한 후 열처리를 통해 p-도펀트를 산화아연층 내부로 확산 및 활성화시킴으로써 p-형 산화아연층을 형성하는 방법 및 p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제조 방법에 따라 p-형 산화아연층을 형성하거나, p-형 산화아연층을 포함하는 반도체 소자의 제작하면, 제조가 간단할 뿐만 아니라 대면적 대량생산에 유리하다.
p-형 산화아연, 열처리, 확산, 활성화-
公开(公告)号：KR100842287B1
公开(公告)日：2008-06-30
申请号：KR1020060125064
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C01G31/02 , C01G31/00 , H01L21/316
CPC classification number: C01G31/02 , C01P2006/40 , H01L49/003
Abstract: 급격한 금속-절연체 전이 특성을 가진 V
2 O
3 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 VO
2 또는 V
3 O
7 중에서 선택된 어느 하나의 박막을 기판 상에 형성한다. 그후, 박막이 형성된 기판을 산소를 제거할 수 있는 환원분위기가 형성된 챔버 내에 장착하고, 챔버에 열을 가하여, 박막이 급격한 금속-절연체 전이를 하는 V
2 O
3 박막을 형성한다.
급격한 금속-절연체 전이, 환원분위기, 열처리-
公开(公告)号：KR1020080005049A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020060125064
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C01G31/02 , C01G31/00 , H01L21/316
CPC classification number: C01G31/02 , C01P2006/40 , H01L49/003
Abstract: A manufacturing method of V2O3 thin film is provided to obtain V2O3 thin film that shows abrupt metal-insulator transition suitable for manufacturing electrical element. A manufacturing method of V2O3 comprises steps of: forming thin film from one selected from VO2 and V3O7 on a substrate; placing the substrate having thin film in a chamber in a reductive atmosphere for removing oxygen; and applying heat to the chamber for forming V2O3 thin film which shows abrupt metal-insulator transition from the prepared thin film. The reductive atmosphere is formed from vacuum state, and is also formed from at least one selected from N2 gas, Ar gas and H2 gas. The applied temperature for heating in the chamber is 500-1,000deg.C. The ratio (R(TMIT-20K)/R(TMIT+20K)) of a resistance of the insulator and a resistance of the metal is 10-10^7. The V2O3 thin film shows metal-insulator transition at lower temperature than the ambient temperature. The manufacturing method optionally comprises a step of employing an element A for controlling the transition property to form (V1-xAx)2O3.
Abstract translation: 提供V2O3薄膜的制造方法，以获得适合于制造电气元件的突变金属 - 绝缘体转变的V2O3薄膜。 V2O3的制造方法包括以下步骤：在基板上从选自VO2和V3O7的一个薄膜形成薄膜; 将具有薄膜的基板放置在还原气氛中的室中以除去氧; 并向室内施加热量以形成从制备的薄膜突出的金属 - 绝缘体转变的V 2 O 3薄膜。 还原气氛由真空状态形成，也由选自N 2气体，Ar气体和H 2气体中的至少一种形成。 室内加热温度为500-1000℃。 绝缘体电阻和金属电阻的比（R（TMIT-20K）/ R（TMIT + 20K））为10-10 ^ 7。 V2O3薄膜在比环境温度低的温度下显示出金属 - 绝缘体的转变。 制造方法可选地包括采用元件A来控制转变特性以形成（V1-xAx）2O3的步骤。
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110.发明公开급격한 ＭＩＴ 소자, 그 소자를 이용한 ＭＩＴ 센서 및 그ＭＩＴ 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로 失效使用相同的麻醉器装置的破坏金属绝缘子转换（MIT）装置，麻省传感器，以及包含相同的麻省传感器的报警装置和二次电池防爆电路
公开(公告)号：KR1020070115571A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020060125063
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , G01K3/005
Abstract: A rapid MIT(Metal-Insulator Transition) device, a MIT sensor using the device, and an alarm and a secondary battery explosion preventing circuit including the MIT sensor are provided to vary a transition temperature by changing an applied voltage or current. An MIT(Metal-Insulator Transition) thin film(300a) generates the rapid MIT at a transition temperature or a transition voltage. At least two electrode thin films(410a,420a) are comprised to be contacted to the rapid MIT thin film. A transition temperature and a transition voltage of the MIT device is changed by a temperature, a microwave, a pressure, a gas concentration or a voltage which is added to the electrode thin films.
Abstract translation: 提供快速MIT（金属绝缘体转换）装置，使用该装置的MIT传感器，以及包括MIT传感器的报警器和二次电池防爆电路，以通过改变所施加的电压或电流来改变转变温度。 MIT（金属 - 绝缘体转移）薄膜（300a）在转变温度或转变电压下产生快速MIT。 包括至少两个电极薄膜（410a，420a）以与快速MIT薄膜接触。 通过温度，微波，压力，气体浓度或添加到电极薄膜的电压来改变MIT器件的转变温度和转变电压。
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