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公开(公告)号：KR1020020058638A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000086752
申请日：2000-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of TFTs(Thin Film Transistors) is provided to improve an operational characteristic, a manufacturing time, and a manufacturing cost by forming a thin active layer without a damage. CONSTITUTION: After forming a gate electrode(32) on a substrate(31), an isolating layer(33), an active layer(34) and an n+ doped layer(35) are sequentially and continuously formed. Then, a pattern is formed to enclose the upper portion of the gate electrode(32) by selectively etching the n+ doped layer(35) and the active layer(34). After depositing a metal layer(36) on the entire surface of the resultant structure, a source and a drain are formed on the resultant structure with a defined interval each other by selectively removing the metal layer(36). Then, the active layer(34) is partially exposed without a damage by selectively etching the n+ doped layer(35) using a high etch selectivity rate of the active layer(34).
Abstract translation: 目的：提供TFT（薄膜晶体管）的制造方法，通过在没有损坏的情况下形成薄的活性层来提高操作特性，制造时间和制造成本。 构成：在基板（31）上形成栅电极（32）之后，依次连续地形成隔离层（33），有源层（34）和n +掺杂层（35）。 然后，通过选择性地蚀刻n +掺杂层（35）和有源层（34），形成图案以包围栅电极（32）的上部。 在所得结构的整个表面上沉积金属层（36）之后，通过选择性地去除金属层（36），在所得结构上以规定的间隔形成源极和漏极。 然后，通过使用有源层（34）的高蚀刻选择率选择性蚀刻n +掺杂层（35），有源层（34）被部分地暴露而没有损坏。
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102.发明公开카본 나노튜브 캐소드를 가진 삼극형 전계 방출 소자 및이를 이용한 삼극형 고주파 진공 장치와 전계 방출디스플레이 장치 无效具有碳纳米管阴极的TRIODE型场发射装置，三极管型RF真空装置和使用其的场发射显示
公开(公告)号：KR1020020051592A
公开(公告)日：2002-06-29
申请号：KR1020000080988
申请日：2000-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A triode-type field emission device with a carbon nanotube cathode, a triode-type RF vacuum device and a field emission display using it are provided to prevent a short-circuit phenomenon between the carbon nano tube cathode and a gate by forming a sidewall insulating layer and an upper wall insulating layer. CONSTITUTION: A cathode electrode(220) is formed on an insulating substrate(210). The insulating substrate(210) is formed by depositing an oxide layer or a nitride layer on a quartz substrate or a glass substrate or a silicon wafer. The cathode electrode(220) is formed by a metal or a doped semiconductor layer. A cathode(240) is formed on the cathode electrode(220). The cathode(240) is formed by a carbon nano tube. A sidewall insulating layer(250) is formed at a side of the cathode(240). A gate insulating layer(260) is formed on a side portion of a contact portion between the sidewall insulating layer(250) and the cathode electrode(220). A gate(270) is formed on a side portion of a contact portion between the gate insulating layer(260) and the sidewall insulating layer(250).
Abstract translation: 目的：提供一种具有碳纳米管阴极，三极管型RF真空装置和使用其的场发射显示器的三极管型场发射装置，以通过形成碳纳米管阴极和栅极之间的短路现象来防止碳纳米管阴极与栅极之间的短路现象 侧壁绝缘层和上壁绝缘层。 构成：阴极电极（220）形成在绝缘基板（210）上。 绝缘基板（210）通过在石英基板或玻璃基板或硅晶片上沉积氧化物层或氮化物层而形成。 阴极电极（220）由金属或掺杂半导体层形成。 阴极（240）形成在阴极电极（220）上。 阴极（240）由碳纳米管形成。 在阴极（240）的一侧形成有侧壁绝缘层（250）。 栅极绝缘层（260）形成在侧壁绝缘层（250）和阴极电极（220）之间的接触部分的侧部上。 栅极（270）形成在栅极绝缘层（260）和侧壁绝缘层（250）之间的接触部分的侧部上。
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公开(公告)号：KR100341213B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990061152
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/092
Abstract: 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히고전압전력소자에관한것이며, 더자세히는원형(race-track type) 전류제어 LDMOS(lateral double diffused MOS) 전력소자에관한것이다. 본발명은드레인부근에서의전류집중효과를완화시켜소자의전압이득을높이며, 고전계영역에서핫캐리어(hot career)에대한소자신뢰성을개선하고, 항복전압을높일수 있고, 전류제어가용이한원형전류제어전력소자를제공하는데그 목적이있다. 본발명의트렌치드레인구조를갖는원형전류제어전력소자는채널영역이표류영역에서부분적으로돌출된톱니구조를가지며, 동시에드레인은채널과채널사이로돌출된톱니형트렌치구조를가진다. 즉, 본발명에서제안하는원형전류제어전력소자는원형의 LDMOS 소자로서톱니형채널사이에는필드산화막이있어서채널과채널간을격리시키며, 이에대응하여톱니형트렌치드레인이표류영역의길이만큼떨어져서톱니형채널과서로어긋나게맞물려있다. 따라서, 톱니형채널과톱니형트렌치드레인의폭 및트렌치깊이를조절함으로써드레인전류를쉽게제어할수 있으며, 드레인을톱니형트렌치구조로형성함으로써캐리어가수평및 수직방향으로분산되어결과적으로전류집중효과를완화시킴으로서종래의원형전력소자보다소자의출력저항을증가시켜전압이득을증가시킬뿐만아니라, 온(On) 상태에서의항복전압을높이며, 핫캐리어에의한소자열화특성을개선시킬수 있다. 그리고 p형에피층, p웰층및 n형표류영역등에대한불순물농도분포, 채널및 드레인의선폭길이등을최적화하고, RESURF(REduced SURface Field) 특성을이용하여소자의성능을더욱개선시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020044311A
公开(公告)日：2002-06-15
申请号：KR1020000073339
申请日：2000-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: PURPOSE: A thin film inductor is provided to make an inductor and a semiconductor device combine into one chip, by including a trench in which an oxide layer formed in a depth direction of a substrate and a material for shielding electromagnetic wave are filled so that an influence of electromagnetic wave caused by the inductor formed on the same substrate is completely shielded. CONSTITUTION: The thin film inductor is formed on the semiconductor substrate(200), including the first coil(209-1), a magnetic thin film(210) and the second coil(209-2). A trench is formed in the depth direction of the semiconductor substrate so that the electromagnetic wave generated from the thin film inductor does not outflow through the semiconductor substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜电感器，以使电感器和半导体器件组合成一个芯片，包括一个沟槽，其中在衬底的深度方向上形成的氧化物层和用于屏蔽电磁波的材料被填充，使得 由形成在同一基板上的电感器引起的电磁波的影响被完全屏蔽。 构成：薄膜电感器形成在包括第一线圈（209-1），磁性薄膜（210）和第二线圈（209-2）的半导体衬底（200）上。 在半导体衬底的深度方向上形成沟槽，使得从薄膜电感器产生的电磁波不会通过半导体衬底流出。
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公开(公告)号：KR100329370B1
公开(公告)日：2002-03-22
申请号：KR1019990059763
申请日：1999-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히전계방출소자(field emission device 또는 field emitter)에관한것이며, 더자세히는전계방출소자원뿔형팁 형성에필수적으로사용되는파팅층형성공정에관한것이다. 본발명은대구경의전계방출디스플레이의제작에부적합한전자빔증발기의사용을배제할수 있는전계방출소자제조방법을제공하는데그 목적이있다. 본발명은파팅층으로사용할물질을게이트홀 형성전에증착하고, 게이트홀 형성시함께패터닝한후, 열처리를통해파팅층을확산또는리플로우(reflow)시켜파팅층이게이트홀의입구크기를줄일수 있도록하였다. 본발명을적용하면스퍼터와같은일반증착장비를이용하여파팅층을증착할수 있으므로박막의두께균일도확보가용이하며, 따라서대구경전계방출소자특히, 전계방출디스플레이의제작이가능하도록한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100298194B1
公开(公告)日：2001-11-02
申请号：KR1019990041794
申请日：1999-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/22
Abstract: 본발명은채널영역에트렌치를형성하여짧은채널효과를방지하며동시에표류층에서게이트가장자리에트렌치를형성하여공핍층의확장을다소억제시킴으로써결과적으로소자의 RESURF 특성이촉진되어항복전압및 온(on) 저항특성을개선시킬수 있는트렌치게이트구조의전력소자에관한것이다. 본발명의실시예에따른전력소자는제1 도전형의실리콘기판상에제1 도전형의매몰층과제2 도전형의에피층이형성되며, 제1 도전형의매몰층위에는채널영역을이루는제1 도전형의확산층이형성되고, 제2 도전형의에피층은그 상부에형성된제2 도전형의표류층을둘러싸며, 제1 도전형의확산층표면에는소오스영역및 제1 트렌치가형성되고, 상기제2 도전형의표류층표면에는제2 트렌치및 드레인영역이형성된다. 제1 트렌치는게이트전극으로채워지며, 제2 트렌치는일부또는전부가게이트전극으로덮인다. 그리고, 이중 RESURF 효과를얻기위하여제2 도전형표류층에는제2 트렌치주변을감싸는제1 도전형의얕은불순물층이형성된다.
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公开(公告)号：KR100301242B1
公开(公告)日：2001-09-06
申请号：KR1019980052018
申请日：1998-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J31/15
Abstract: 본 발명은 전계 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이 장치는 서로 평행하게 진공 패키징된 상판과 하판을 구비하는 전계 방출 디스플레이 장치에 있어서, 상기 하판은 절연성 기판상에 형성되는 전계 에미터 어레이와, 상기 전계 에미터 어레이의 에미터 전극과 접속된 드레인을 가진 콘트롤 박막 트랜지스터와, 상기 콘트롤 박막 트랜지스터의 게이트 전극 전극에 접속된 드레인을 가진 어드레싱 박막 트랜지스터로 구성된 픽셀이 행열 형태로 다수개 배열되게 이루어지며, 상기 콘트롤 박막 트랜지스터를 소오스와 게이트 전극간에 큰 기생용량을 가지도록 설계함으로써, 메모리 기능을 갖는 액티브 매트릭스 디스플레이 구동이 가능할 뿐만 아니라 종래의 복잡한 메모리 캐패시터 제작공정을 제거할 수 있어 패널의 제작 공정을 매우 단순화시킬 수 있고 또한 픽셀� � 개구율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 기판으로 종래의 단결정 실리콘 웨이퍼 대신에 유리를 사용하기 때문에 대면적의 패널을 값싸게 제조할 수 있을 뿐만 아니라 전계 방출 디스플레이 제작에 필수적인 진공패키징을 용이하게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020010076618A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000003869
申请日：2000-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/00
Abstract: PURPOSE: A multi optical recording device is provided to increase a recording speed and a transferring speed according to number of focuses through recording/reproducing information on multiple tracks. CONSTITUTION: A beam progresses from a multi light source a suspension(120) by passing through a beam splitter and an optical waveguide(160). Then, the beam is transferred to an optical probe. A reflected beam progresses to an optical detector by passing through the optical waveguide and the beam splitter. Herein, the suspension is rotated centering upon a rotating shaft to connect information. A flying head body(171) is attached at an end of the suspension. Herein, the flying head is formed by a reflecting mirror(172), lenses(173,174) for concentrating beam reflected on the reflecting mirror, and an SIL(Solid Immersion Lens)(175) forming focuses of beam passed from the lenses.
Abstract translation: 目的：提供一种多光记录装置，通过在多个轨迹上记录/再现信息，根据焦点的数量增加记录速度和传送速度。 构成：光束通过穿过分束器和光波导（160）从多光源进入悬架（120）。 然后，将光束传送到光学探针。 反射光束通过光波导和分束器前进到光学检测器。 这里，悬架以旋转轴为中心旋转以连接信息。 悬挂头的一端附接有飞头体（171）。 这里，飞头由反射镜（172），用于集中反射在反射镜上的光束的透镜（173,174）和形成从透镜通过的光束的光束（Solid Immersion Lens）（175）形成。
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公开(公告)号：KR100296709B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019980027617
申请日：1998-07-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전계방출 디스플레이에 관한 것이다.
종래의 전계방출 디스플레이에 사용되는 형광판은 적색, 녹색 및 청색의 3원색 형광체를 하나의 화소로 하여 동일한 면에 배열한다. 양극 구동 방식의 전계방출 디스플레이용 형광판은 그 구동을 위해 2중 또는 3중 배선 기술을 사용하므로 배선 공정이 복잡하여 수율이 나쁠 뿐만 아니라, 배선의 저항 증가에 따른 전압 강하로 인해 성능이 저하되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 전계방출 디스플레이를 구성하는 형광판의 전도성 필름에 코팅되는 형광체를 적-녹-청-청-녹-적 순으로 배열하여 배선 공정을 단순화한 전계방출 디스플레이가 제시된다.
또한, 본 발명에서는 3원색의 형광체를 구동하기 위해 화소 단위로 하여 다수의 전압 공급기를 연결하므로써 배선 길이 증가에 따른 전압 강하 문제를 해결할 수 있는 전계방출 디스플레이가 제시된다.-
公开(公告)号：KR1020010054891A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990055883
申请日：1999-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G09G3/22 , G09G2300/0842 , H01J1/30 , C01B32/05
Abstract: PURPOSE: A high brightness FED is provided to be capable of enabling a low-voltage drive, stabilizing electron emission characteristic, enhancing uniformity and reliability, and removing cross-talk by separating signal lines and acceleration electrodes. CONSTITUTION: Row signal lines(41R) and column signal lines(41C) of stripe shape are formed of metal on a transparent substrate to enable electrical matrix addressing. Film type electric field emitters(42), control devices(43) and addressing devices(44) are formed within respective pixels defined by the row/column signals(41R,41C). The control device(43) is connected to the emitter(42) to control electric field emission current. The addressing device(44) is connected to the control device(43) and the row/column signals(41R,41C) to transfer the scan, data signals of a display to the control device(43).
Abstract translation: 目的：提供高亮度FED，能够实现低电压驱动，稳定电子发射特性，提高均匀性和可靠性，并通过分离信号线和加速电极来消除串扰。 构成：条形状的行信号线（41R）和列信号线（41C）由透明基板上的金属形成，以实现电矩阵寻址。 薄膜型电场发射器（42），控制装置（43）和寻址装置（44）形成在由行/列信号（41R，41C）限定的各个像素内。 控制装置（43）连接到发射极（42）以控制电场发射电流。 寻址装置（44）连接到控制装置（43）和行/列信号（41R，41C）以将扫描数据信号传送到控制装置（43）。
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