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公开(公告)号：CN103864005A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310690749.9
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0096 , B81C2201/115 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制，用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中，通过在使用的牺牲层上形成微掩模层，并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇（520）来形成微掩模层。当在牺牲层（810）之上形成MEMS装置的下一个部分时，该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中，更粗糙的表面（910）降低了可用于接触的表面积，并且，反过来，降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。
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公开(公告)号：CN102918401B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180026272.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G01P15/123 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , G01P15/09
Abstract: 本发明公开一种能够更可靠地检测所涉及的力产生的物理量的力学传感器。力学传感器(10)具备俯视下为H型的重物(11)。重物(11)一体形成有长方体形状且在短边方向上以规定间隔排列的第一部分重物(11A)、第二部分重物(11B)、以及将它们连接且沿着上述排列方向延伸的桥接部(11C)。桥接部(11C)在第一、第二部分重物(11A、11B)的长边方向的中央位置将它们连接。在第一、第二部分重物(11A、11B)之间的未形成桥接部(11C)的区域配置支撑体(12A、12B)。第一部分重物(11A)通过梁(13A)与支撑体(12A)连接，并通过梁(13C)与支撑体(12B)连接。第二部分重物(11B)通过梁(13B)与支撑体(12A)连接，并通过梁(13D)与支撑体(12B)连接。
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公开(公告)号：CN103650343A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN103168000A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180044268.X
申请日：2011-10-06
Applicant: 瑟塞尔公司
Inventor： 莫里斯·莫罗
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G01P21/00 , B81B3/0018 , B81B2201/0235 , B81C1/00968 , G01P15/125
Abstract: 本发明提出一种防粘方法以用于惯性微机电装置，所述惯性微机电装置包括：移动块(150)，其经由弹簧构件(115)悬持在电枢上，所述移动块包括至少一个移动电极；以及-牢固地附接到所述电枢的至少一个固定电极，各固定电极与所述至少一个移动电极中的一个电极共同形成了一对电极。所述防粘方法为实行以下步骤的方法：检测步骤，即对至少一对粘住的电极检测出与粘合力相关的粘合；以及施加步骤，即在预定时间段内，在所述一对电极或多对电极中至少一对的电极之间施加一个预定电压，以产生静电力，从而使移动块根据所述粘合力的方向发生位移。
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公开(公告)号：CN101317325B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200680027480.4
申请日：2006-06-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 加里·G·李 , 乔纳森·哈莱·哈蒙德 , 丹尼尔·N·小库里
IPC: H02N1/00 , G01P15/125
CPC classification number: H02N1/008 , B81B3/0072 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814
Abstract: 提供了一种MEMS器件(100)和形成该器件的方法。在一个示例实施例中，MEMS器件(100)包括：具有表面的衬底(106)；电极(128)，其具有连接到衬底表面的第一部分，以及在衬底表面之上可移动地悬挂的第二部分；和设置在该电极第二部分上的应力释放机构(204)，所述应力释放机构(204)包括整体地形成在电极中的第一狭槽(208)。在另一个示例实施例中，衬底(106)包括锚(134，136)，并且邻近锚(134，136)形成所述应力释放机构(222)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102954812A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210291313.8
申请日：2012-08-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01D11/245 , B81B2201/0235 , B81C1/00333 , H05K5/0078 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明建议一种用于制造传感器组件的方法，其中，在第一制造步骤中提供一个线路部件，该线路部件具有至少一个用于力锁合和/或形状锁合地接收传感器元件的接收区域，其中，在用于制造壳体的第二制造步骤中，所述线路部件这样地以塑料材料被包覆注塑，使得所述至少一个接收区域基本上保持没有塑料材料，其中，在第三制造步骤中，所述传感器元件力锁合和/或形状锁合地被固定在所述至少一个接收区域中。
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公开(公告)号：CN102918401A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026272.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G01P15/123 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , G01P15/09
Abstract: 本发明公开一种能够更可靠地检测所涉及的力产生的物理量的力学传感器。力学传感器(10)具备俯视下为H型的重物(11)。重物(11)一体形成有长方体形状且在短边方向上以规定间隔排列的第一部分重物(11A)、第二部分重物(11B)、以及将它们连接且沿着上述排列方向延伸的桥接部(11C)。桥接部(11C)在第一、第二部分重物(11A、11B)的长边方向的中央位置将它们连接。在第一、第二部分重物(11A、11B)之间的未形成桥接部(11C)的区域配置支撑体(12A、12B)。第一部分重物(11A)通过梁(13A)与支撑体(12A)连接，并通过梁(13C)与支撑体(12B)连接。第二部分重物(11B)通过梁(13B)与支撑体(12A)连接，并通过梁(13D)与支撑体(12B)连接。
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公开(公告)号：CN102874737A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210242505.X
申请日：2012-07-12
Applicant: 法国原子能与替代能委员会 , 飞思卡尔半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C3/008 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开一种微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法，所述装置包含：第一衬底，包含称为下电极的至少一个电极，以及至少一个介电层；中间衬底，延伸横跨称为装置的主平面的平面，所述中间衬底包含移动部；上衬底，贴附至所述中间衬底，其中，所述移动部被设置为在所述下电极与所述上衬底之间移动。
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公开(公告)号：CN101331080B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200680046903.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R1/04 , H04R19/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。
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公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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