-
公开(公告)号：CN103935953B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410172235.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2201/0198 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
-
公开(公告)号：CN103097282B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080067764.2
申请日：2010-04-30
Applicant: 优博创新科技产权有限公司
CPC classification number: H01L23/053 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/0023 , B81C2203/0109 , H01L2224/16225 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R19/005 , H04R19/04 , H05K3/30 , Y10T29/4913 , H01L2924/00
Abstract: 在一些实例中，半导体封装体可以被配置为电气连接到印刷电路板上。半导体封装体可以包含：（a）具有一个或多个第一导电引线的罩盖；（b）具有一个顶部、底部、以及在顶部与底部之间的一个或多个侧面的底座，该底座具有电气连接到该一个或多个第一导电引线上的一个或多个第二导电引线；（c）一个或多个第一半导体器件，该一个或多个第一半导体器件机械地连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上；以及（d）一个或多个微机电系统器件，该一个或多个第一微机电系统器件机械连接到该罩盖上并且电气连接到该一个或多个第一导电引线上。可以将罩盖连接到该底座上并且罩盖或底座中的至少一个具有至少一个舷孔。该一个或多个第二导电引线可以被配置为在该底座的一个或多个侧面中的一个第一侧面上连接到该印刷电路板上。在此还披露了其他实施方案。
-
公开(公告)号：CN105228076A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510351246.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J·玛索内
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R31/003 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00658 , H04R7/10 , H04R19/005 , H04R2307/023
Abstract: 公开了MEMS器件以及制造MEMS器件的方法。在实施例中，所述MEMS器件包括具有贯穿其中的空腔的支撑以及在所述支撑的空腔上方延伸的隔膜，其中所述隔膜至少部分地由石墨烯加固。
-
公开(公告)号：CN102958826B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180033807.X
申请日：2011-07-07
Applicant: 埃普科斯股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2207/096 , B81C1/00309 , H01L2224/16225 , H01L2924/15151 , H01L2924/16151 , H04R1/086 , H04R1/38 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造话筒的方法，其中-转换器元件（WE）安装在载体（TR）上；-盖板被布置在转换器元件（WE）和载体（TR）上，使得转换器元件（WE）被包围在盖板和载体（TR）之间；-在载体（TR）中产生第一声进入开口（SO1）；-执行话筒的功能测试；-第一声进入开口（SO1）被封闭；以及-在盖板中产生第二声进入开口（SO2）。另外，本发明涉及一种由该方法得出的话筒，其中第一声进入开口（SO1）被预备，但是被封闭。
-
公开(公告)号：CN102860038B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180019841.1
申请日：2011-04-05
Applicant: 楼氏国际采购中心(马来西亚)私人有限公司
Inventor： 弗雷德里希·瑞宁
CPC classification number: H04R1/04 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , H01L2224/48137 , H04R1/342 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 公开了一种麦克风，其中由密封至基板(11)的封盖(13)形成外壳。将MEMS管芯(10)安装在基板(11)上，所述MEMS管芯(10)包含了膜片(12)。膜片(12)具有第一表面和第二表面，第一表面面对基板，并且经由声学路径(17)与封盖(13)中的声学进入端口(14)进行流体连通，第二表面面对封盖的内表面，其中第二表面与封盖(13)内表面的一部分一起限定了捕获空气的密封腔室(19)的至少一部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104796832A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510084456.5
申请日：2015-02-16
Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司
Inventor： 周文卿
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , H04R19/04 , H04R23/006 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 一种MEMS麦克风及其形成方法，其中的形成方法包括：提供包括第一表面和第二表面的第一衬底，第一衬底包括至少一层导电层，导电层位于第一衬底的第一表面一侧；提供包括第三表面和第四表面的第二衬底，第二衬底包括第二基底和敏感电极，第二衬底包括敏感区，敏感电极位于敏感区内，敏感电极位于第二衬底的第三表面一侧；将第一衬底的第一表面与第二衬底的第三表面相互固定；之后去除第二基底，形成与第二衬底的第三表面相对的第五表面；在第一衬底和第二衬底的敏感区之间形成空腔；自第二衬底的第五表面一侧形成贯穿至至少一层导电层的第一导电插塞。MEMS麦克风的性能和可靠性提高、尺寸缩小、工艺成本降低。
-
公开(公告)号：CN104779213A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510180610.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/552 , B81B7/02
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/0064 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0109 , H01L23/552 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15313 , H01L2924/16152 , H01L2924/16251 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种集成传感器的封装结构和封装方法，包括：第一基板和第一外壳，所述第一外壳与所述第一基板围成第一封装腔体；设置在所述第一封装腔体内的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；在所述第一封装腔体的内部，至少一个所述传感器的ASIC芯片的外部设有屏蔽结构。本发明通过对集成传感器中的容易受到干扰的ASIC芯片的外部设置屏蔽结构，使其与其它传感器单元隔离封装，避免集成传感器中的其它传感器单元对其影响干扰，有效提升了该传感器单元的性能和集成传感器的整体性能。
-
公开(公告)号：CN104703080A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410717696.X
申请日：2014-12-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , H04R19/04 , H04R29/004
Abstract: 本发明提出一种容性MEMS麦克风构件，其能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。在所述MEMS麦克风构件(100)的层结构中至少两个承载元件(11、12)相叠地并且相互间隔开地构造，所述至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，所述电容器装置用于信号检测。所述两个承载元件中的至少一个(11)是声压敏感的，其中，所述两个电极侧中的至少一个包括能够相互独立地电接触的至少两个电极区段(51、52)，所述至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极(11)形成相互独立的子电容根据本发明，如果所述声压敏感的承载元件(11)以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则所述电极区段(51、52)的形状和平面延展通过所述声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
-
公开(公告)号：CN102056839B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
-
公开(公告)号：CN104333838A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410349209.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0136 , B81B2203/053 , H01L21/30604 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 公开了一种微机电系统器件。MEMS器件包括振膜，振膜包括第一多个指状物。对置电极布置包括第二多个指状物，第二多个指状物按照与振膜的第一多个指状物相间错开的关系放置。偏转器被配置为使振膜偏转，使得第一和第二多个指状物在除了指状物的表面的最大重叠之外的位置中位移。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
3537
records
(took 0.031 seconds)
