公开(公告)号：JP2005502480A

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：JP2003516946

申请日：2002-02-18

Applicant: エヌシーエスアール“デモクリトス”−インスティテュート オブ マイクロエレクトロニクスNcsr“Demokritos”−Institute Of Microelectronics ,  ツァミス、クリストスTSAMIS,Christos ,  ツェレピ、アンジェリキTSEREPI,Angeliki ,  ナシオプールー、アンドロウラ ジー.NASSIOPOULOU,Androula,G.

Inventor： ツァミス、クリストス ,  ツェレピ、アンジェリキ ,  ジー． ナシオプールー、アンドロウラ

IPC: G01N27/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01F1/684 ,  G01N27/12 ,  G01N27/18 ,  H01L37/00 ,  H05B3/26

CPC classification number: H05B3/265 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00682 ,  B81C1/0069 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01N27/12 ,  G01N27/16 ,  G01N27/18

Abstract: 本発明は、橋又はカンチレバーの形状により掛架した多孔質シリコン薄膜、及びその薄膜を採用した熱センサ装置の製造のための前面シリコンマイクロマシニングの方法を提供する。 掛架した多孔質シリコン薄膜の製造方法は、以下の工程からなる。 （ａ）少なくとも一つの、シリコン基板（１）の所定領域に多孔質シリコンを形成する工程と、（ｂ）標準的なフォトリソグラフィーを使用して、該多孔質シリコン層の周囲又は内部にエッチング開口窓（５）を画定する工程と、（ｃ）ドライエッチング技術の使用により、多孔質シリコン層（２）の下のシリコン基板（１）に、選択的なエッチングをすることにより、多孔質シリコン薄膜の分離と、該多孔質シリコン層の下に空間（６）形成する。 更に、提供した方法が、多孔質シリコンの低い熱伝導性から生じる利点と、掛架した薄膜の使用とを組み合わせるため、本発明は熱損失が最小限の多孔質シリコン薄膜に基づく、熱センサの製造方法を提供する。 さらに、本発明で提供された前面のマイクロマシニングの方法は、製造の方法を容易にする。 提供した方法を利用する、熱定量的型のガスセンサ、伝導性測定型のガスセンサ、及び熱伝導センサ等、様々な型の熱センサ装置が記載された。

公开(公告)号：JP6398808B2

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：JP2015049446

申请日：2015-03-12

Applicant: オムロン株式会社

Inventor： 中川 慎也 ,  清水 正男

IPC: G01K1/18 ,  A61B5/01 ,  G01K7/00

CPC classification number: G01K1/18 ,  A61B5/015 ,  A61B5/683 ,  B81B2201/0278 ,  G01K7/02 ,  G01K7/42 ,  G01K7/427

公开(公告)号：JP2017505721A

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2016545361

申请日：2014-12-22

Applicant: モーション・エンジン・インコーポレーテッド

Inventor： ボイセル，ロバート・マーク ,  ロス，ルイス

IPC: B81B7/02 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B5/00 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/16145

Abstract: 本発明は、システム・オン・チップ(SoC:System on Chip)またはシステム・イン・パッケージ(SiP)を形成するためのMEMSデバイスとICチップとの集積化を可能にする、3Dシステム(「3DS」)MEMSアーキテクチャを提供する。集積MEMSシステムは、MEMS変換器を含む少なくとも1つのMEMSチップと、MEMS処理回路だけではなく補助信号を処理するための追加的な/補助的な回路も含む少なくとも1つのICチップとを備える。MEMSチップおよびICチップは、バンプ接合される。MEMSチップは、第1および第2の絶縁伝導路を含む。第1の経路は、処理のためにMEMS信号を変換器とICチップとの間で伝導し、第2の伝導路は、MEMSチップの全厚を通して延在して、追加的な回路で処理されるべき電力、RF、I/O、などの補助信号をICチップに伝導する。【選択図】図1A

Abstract translation: 本发明是一个系统级芯片：使（SOC片上系统）或MEMS器件和IC芯片的集成在封装（SiP），3D系统，以形成一个系统（“3DS” ）提供一种MEMS结构。 集成MEMS系统包括至少一个MEMS芯片，包括MEMS换能器，以及至少一个集成电路芯片还包括用于处理辅助信号不仅MEMS处理电路的附加/辅助电路。 MEMS芯片和IC芯片凸点接合。 MEMS芯片包括第一和第二绝缘导电路径。 第一路径，所述换能器和IC芯片进行处理，所述第二导电通路，通过MEMS芯片的整个厚度延伸之间进行的MEMS信号，与附加电路处理 Rubeki功率，RF，导电辅助信号I / O等在IC芯片中。 点域1A

公开(公告)号：JP2013151057A

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：JP2013010529

申请日：2013-01-23

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： BENZEL HUBERT ,  ARMBRUSTER SIMON ,  SCHELLING CHRISTOPH ,  HOECHST ARNIM ,  FEYH ANDO

IPC: B81C1/00 ,  G01K7/01 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0109 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor having a substrate, at least one sensor element which has an electric characteristic with a value varying depending on temperature and which is micro-structured, and at least one diaphragm located above a cavity, particularly a sensor for detecting spatial resolution.SOLUTION: At least one sensor element 35 is disposed on a lower surface of at least one diaphragm 36.1, and the sensor element 35 is in contact therewith via a track 48 extended to an inside, an upper part, or a lower part of the diaphragm 36.1. In particular, a plurality of sensor elements can be formed as diode pixels in an epitaxial layer of single crystal. In the diaphragm 36.1, a suspension spring may be formed to house individual sensor element 35 in an elastic and insulating manner.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有基板的传感器，至少一个传感器元件，其具有根据温度变化的并且是微结构的值的电特性，以及位于空腔上方的至少一个隔膜，特别是传感器 用于检测空间分辨率。解决方案：至少一个传感器元件35设置在至少一个隔膜36.1的下表面上，并且传感器元件35经由延伸到内部，上部或 隔膜36.1的下部。 特别地，可以在单晶的外延层中形成多个传感器元件作为二极管像素。 在隔膜36.1中，可以形成悬挂弹簧以以弹性和绝缘的方式容纳各个传感器元件35。

公开(公告)号：JP2013076600A

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：JP2011215901

申请日：2011-09-30

Applicant: Hitachi Automotive Systems Ltd ,  日立オートモティブシステムズ株式会社

Inventor： OSAKA ICHIRO ,  OTA KAZUNORI

IPC: G01P15/08 ,  G01C19/5783 ,  G01P1/02 ,  G01P15/18

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B7/0083 ,  B81B2201/0278 ,  B81C1/00238 ,  G01C19/5783 ,  G01P15/0802 ,  G01P21/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MEMS sensor that has reduced an influence of a change in temperature characteristics caused by heat.SOLUTION: An MEMS sensor includes a signal processing LSI 1 on which a temperature sensor 3 for measuring a sensor temperature is loaded and an MEMS sensor chip 2 loaded on the signal processing LSI 1. The MEMS sensor chip 2 is loaded on a heating part of the signal processing LSI 1.

Abstract translation: 要解决的问题：提供降低由热引起的温度变化的影响的MEMS传感器。 解决方案：MEMS传感器包括信号处理LSI1，其上装载有用于测量传感器温度的温度传感器3和装载在信号处理LSI 1上的MEMS传感器芯片2. MEMS传感器芯片2装载在 加热部分信号处理LSI 1.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPWO2011039799A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：JP2011533947

申请日：2009-09-29

Applicant: パイオニア株式会社

Inventor： 前田　孝則 ,  孝則 前田 ,  健二郎 藤本 ,  健二郎 藤本 ,  高博 河野 ,  高博 河野 ,  尾上　篤 ,  篤 尾上

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01J1/02 ,  G01L9/00 ,  H01L27/144

CPC classification number: G01J5/02 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/053 ,  G01J5/024 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14669

Abstract: コンパクトであって、歩留りの向上と検出感度の向上を図ることができるセンサアレイを提供することである。複数のフレーム片2aを連設して成る四角形の枠状のフレーム部2と、フレーム部2内に架設したメンブレン3と、から成るセンサエレメント1の複数個を、隣接するセンサエレメント1におけるフレーム片2aを共有した状態で、面状に配置して成るものである。また、メンブレン3は、方形の凹部3aと凸部3bとが網目状に分布した凹凸形状を有している。

公开(公告)号：JP2009128362A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：JP2008294283

申请日：2008-11-18

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： GRAF ALEXANDER

IPC: G01J1/02 ,  G01J3/02 ,  G01N21/35

CPC classification number: G01J5/0014 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0171 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/048 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0868 ,  G01N21/3504

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the cost and convenience of a sensor element for spectroscopic or optical measurement and a method for manufacturing the same. SOLUTION: A sensor element for spectroscopic/optical measurement includes: a sensor chip 2 having a measuring device 3 for sensing a beam 10; a cap chip 6 fixed to a sensor chip via a vacuum-sealing connector 5; a free space 7 formed between the cap chip and the measuring device and sealed with the connector 5; and a Fresnel zone structure 12 that focuses the incident beam 10 on the measuring device. A Fresnel lens is not realized as a three-dimensional structure on an upper surface of the chip but realized inside of the cap chip. That is, the Fresnel zone structure is formed inside of the cap chip. Therefore, the present invention makes it possible to realize a Fresnel lens, integrated on a cap wafer, which has a flat surface. It is possible to avoid a Fresnel lens taking the form of a three-dimensional structure and to realize the Fresnel lens in a cap wafer or a cap chip. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提高用于光谱或光学测量的传感器元件的成本和便利性及其制造方法。 解决方案：用于分光/光学测量的传感器元件包括：具有用于感测光束10的测量装置3的传感器芯片2; 通过真空密封连接器5固定到传感器芯片的盖芯片6; 形成在盖芯片和测量装置之间并用连接器5密封的自由空间7; 以及将入射光束10聚焦在测量装置上的菲涅耳带结构12。 菲涅尔透镜在芯片的上表面上没有实现为三维结构，而是在盖芯片的内部实现。 也就是说，菲涅尔区域结构形成在盖芯片的内部。 因此，本发明使得可以实现具有平坦表面的集成在盖晶片上的菲涅耳透镜。 可以避免采用三维结构形式的菲涅耳透镜，并且可以在盖晶片或盖芯片中实现菲涅耳透镜。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：US20240327201A1

公开(公告)日：2024-10-03

申请号：US18192576

申请日：2023-03-29

Applicant: Intel Corporation

Inventor： Numair Ahmed ,  Mohammad Mamunur Rahman ,  Suddhasattwa Nad ,  Sashi Kandanur ,  Darko Grujicic ,  Benjamin Duong ,  Srinivas Pietambaram ,  Tarek Ibrahim ,  Whitney Bryks

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G02B6/12

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81C1/00325 ,  G02B6/12004 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/03 ,  B81B2201/045 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097

Abstract: MEMS dies embedded in glass cores of integrated circuit (IC) package substrates are disclosed. An example integrated circuit (IC) package includes a package substrate including a glass core, the example integrated circuit (IC) package also includes a micro electromechanical system (MEMS) die positioned in a cavity of the glass core.

公开(公告)号：US20240272004A1

公开(公告)日：2024-08-15

申请号：US18108154

申请日：2023-02-10

Applicant: STMicroelectronics International N.V.

Inventor： Enri DUQI ,  Giorgio ALLEGATO

IPC: G01J5/10 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01J5/10 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00301 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0792 ,  G01J2005/106

Abstract: Disclosed herein is a method of forming a thermal sensor, including patterning an active layer on a first face of a handle substrate to form a frame, a mass carrying at least one thermally isolated MOS (TMOS) transistor, and a spring structure connecting the mass to the frame while thermally isolating the mass from the frame. The frame is then bonded to pads on a first face of an integrated circuit substrate. The handle substrate is removed, and a top cap is bonded to the first face of the integrated circuit substrate to enclose at least the mass and spring within the sealed cavity.

公开(公告)号：US20230251621A1

公开(公告)日：2023-08-10

申请号：US18301002

申请日：2023-04-14

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Luca FONTANELLA ,  Andrea LABOMBARDA ,  Marco BIANCO ,  Davide GHEZZI ,  Christian RAINERI ,  Paolo GATTI

IPC: G05B19/406 ,  G05B23/02

CPC classification number: G05B19/406 ,  G05B23/0218 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/01 ,  G05B2219/34351

Abstract: A system for detecting and evaluating environmental quantities and events is formed by a detection and evaluation device and a mobile phone, connected through a wireless connection. The device is enclosed in a containment casing housing a support carrying a plurality of inertial sensors and environmental sensors. A processing unit is coupled to the inertial sensors and to the environmental sensors. A wireless connection unit, is coupled to the processing unit and a wired connection port, is coupled to the processing unit. A programming connector is coupled to the processing unit and is configured to couple to an external programming unit to receive programming instructions of the processing unit. A storage structure is coupled to the processing unit and a power-supply unit supplied power in the detection and evaluation device. The mobile phone stores an application, which enables a basicuse mode, an expert use mode, and an advanced use mode.