公开(公告)号：KR1019940024417A

公开(公告)日：1994-11-18

申请号：KR1019930006540

申请日：1993-04-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  유광수 ,  최두진 ,  정종학

IPC: G01K7/16

公开(公告)号：KR1019930011547B1

公开(公告)日：1993-12-10

申请号：KR1019910013920

申请日：1991-08-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김경용 ,  김왕섭 ,  정형진 ,  주윤돈

IPC: H01Q17/00

Abstract: The method for mfg. a radio wave absorber is characterized by mixing 66.1 g Fe2O3, 23.1 g ZnO, 8.8 g NiO, 0.5 g MnO2, 0.5 g Co3O4 and 1.0 g CuO, (b) drying and crushing the mixture, (c) calcinating it at 900 deg.C for 2 hr, (d) crushing and moulding it, (e) heating it to the heating rate of 2-12 deg.C/min upto 1250 deg.C for 2-6 hr, and (f) cooling it to the cooling rate of 2-12 deg.C/min to obtain a ferrite sintered body (Ni-Zn).

Abstract translation: 制造方法 其特征在于混合66.1g Fe 2 O 3，23.1g ZnO，8.8g NiO，0.5g MnO 2，0.5g Co 3 O 4和1.0g CuO，（b）干燥并粉碎该混合物，（c）在900℃煅烧。 （d）将其破碎和成型，（e）将其加热至2-12℃/分钟至1250℃的加热速率2-6小时，和（f）将其冷却至 冷却速度为2-12℃/ min，得到铁素体烧结体（Ni-Zn）。

公开(公告)号：KR100066301B1

公开(公告)日：1993-10-09

申请号：KR1019930008241

申请日：1993-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  윤상옥 ,  홍기룡 ,  이전국

IPC: C04B35/36 ,  C04B35/49

公开(公告)号：KR1019930015157A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024242

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  최승철 ,  이전국 ,  김한수

IPC: H01L41/08

Abstract: 본 발명은 Pb
1 -
x La
x (Zry Ti
1 -
y )
1 -(
x/4 )O
3 (PLZT)계를 기본 조성으로 하며 인접층간에 조성을 달리하는 압전 재료의 접합체로 이루어진 압전세라믹적층체의 접합부에 열적확산을 유도하여 경사조성층을 형성시킨 PLZT계 경사기능 압전 액츄에이터에 관한 것이다.
본 발명의 경사기능 압전 액츄에이터에서는경사 조성층의 존재로 말미암아 조성등이 급격히 변화하는 접합계면이 제거되어 종래의 압전 액츄에이터에서 문제점으로 지적되고 있는 온도에 따른 층간 박리현상이나 균열등이 방지되어 내구성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019930007004A

公开(公告)日：1993-04-22

申请号：KR1019910016924

申请日：1991-09-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김경용 ,  주윤돈 ,  김왕섭 ,  정형진

IPC: H01Q17/00

Abstract: 본 발명은 종래의 페라이트계 전파흡수체에 비해 200-300℃정도 낮은 온도에서 소결가능한 저온소결용 전파흡수체 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 조성의 CuO 5-15몰%, NiO 7-21몰%, ZnO 18-33몰% 이하의 Fe
2 O
3 로 이루어져 있다. 이같은 본 발명은 UHF대역과 VHF대역을 동시에 커버하는 넓은 주파수 대역 특성을 나타냄과 아울러 소결시 소결온도가 900-950℃로 낮음에 따라 제조비용이 낮다는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019910011637A

公开(公告)日：1991-08-07

申请号：KR1019890017865

申请日：1989-12-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김경용 ,  김윤호 ,  장성도 ,  정형진 ,  강선모

IPC: C01B33/26

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100369118B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020000025622

申请日：2000-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김용범 ,  정형진

IPC: C04B41/81 ,  H01L41/187

CPC classification number: C23C18/06 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1254

Abstract: A high density ceramic thick film is fabricated by providing vehicle comprising an organic binder and solvent, dispersing ceramic powders into the vehicle to be paste, forming the paste to thick film by screen printing, removing the organic binder from the film, applying sol or sol-like solution to the surface of the film so that the sol or sol-like solution can infiltrate into the film, removing remaining sol or sol-like solution from the surface of the film, drying and preheating the film, and sintering the film.

Abstract translation: 高密度陶瓷厚膜通过提供包含有机粘合剂和溶剂的载体，将陶瓷粉末分散到载体中以成为糊剂，通过丝网印刷将糊剂形成厚膜，从膜中除去有机粘合剂，施加溶胶或溶胶 的溶液，以便溶胶或溶胶状溶液可以渗透到膜中，从膜表面除去剩余的溶胶或溶胶状溶液，干燥并预热膜，并烧结膜。

公开(公告)号：KR100359738B1

公开(公告)日：2002-11-08

申请号：KR1019990032782

申请日：1999-08-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김구대 ,  박노경 ,  이성규

IPC: F16L59/04

Abstract: 본발명은냉장고등에적용되는단열재에관한것으로, 더욱상세하게는무기질성형체로이루어지는심재와상기심재를진공포장하기위한외포장재로이루어지는진공단열재에관한것이다. 본발명은유기질성분이전혀없이무기질성형체로만이루어지는심재와상기심재를진공포장하기위한외포장재로이루어지는진공단열재를제공한다. 본발명의바람직한실시예에따르면, 상기무기질성형체는규산칼슘계성형체, 특히토버모라이트와조노라이트를결정상으로함유한규산칼슘성형체일수 있다. 또한, 상기외포장재는내산성, 내부식성및 내통기성이뛰어난스테인리스강일수 있는데, 바람직하게는그 두께가 20㎛ ~ 100㎛이다. 본발명의바람직한실시예에따르면, 상기스테인리스강은단층의열융착성필름과상기스테인리스강및 열융착성필름을접착하기위한접착층에의하여진공포장될수 있는데, 상기열융착성필름은두께 10㎛ ~ 150㎛의저밀도폴리에틸렌이거나폴리프로필렌일수 있다. 또한, 상기스테인리스강은외주밀봉과진공브레이징밀봉에의하여진공포장될수 있다.

公开(公告)号：KR1020020077557A

公开(公告)日：2002-10-12

申请号：KR1020010017301

申请日：2001-04-02

Applicant: 광주과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 박성주 ,  김경국 ,  이지면 ,  김민호 ,  최원국 ,  정형진

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a zinc oxide semiconductor is provided to improve an electric characteristic by activating a dopant included in a zinc oxide layer. CONSTITUTION: A zinc oxide layer including a dopant is deposited on a silicon substrate or a sapphire substrate. In order to from an n type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Al, In, Ga, and B or an oxide including Al, In, Ga, and B is added to the zinc oxide layer. In order to from a p type zinc oxide semiconductor, the dopant selected from a group of Li, Na, K, N, P, As, and Ni or an oxide including Li, Na, K, N, P, As, and Ni is added to the zinc oxide. The substrate including the zinc oxide layer is loaded into a thermal processing reactor. The dopant of the zinc oxide layer is activated by performing the thermal process for the zincs oxide layer under atmosphere of one element selected from H, O, N, Ar, NO, N2O, and NO2 gas.

Abstract translation: 目的：提供一种制造氧化锌半导体的方法，以通过激活包含在氧化锌层中的掺杂剂来改善电特性。 构成：包含掺杂剂的氧化锌层沉积在硅衬底或蓝宝石衬底上。 为了从n型氧化锌半导体中，将选自Al，In，Ga和B的掺杂剂或包含Al，In，Ga和B的氧化物添加到氧化锌层中。 为了从ap型氧化锌半导体，选自Li，Na，K，N，P，As和Ni中的掺杂剂或包含Li，Na，K，N，P，As和Ni的氧化物是 加入到氧化锌中。 将包含氧化锌层的基板装载到热处理反应器中。 通过在选自H，O，N，Ar，NO，N 2 O和NO 2气体中的一种元素的气氛下进行氧化锌层的热处理来激活氧化锌层的掺杂剂。

公开(公告)号：KR100343717B1

公开(公告)日：2002-07-20

申请号：KR1019997011143

申请日：1998-12-03

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  주식회사 엘지이아이

Inventor： 고석근 ,  정형진 ,  최원국 ,  강병하 ,  김기환 ,  하삼철 ,  김철환 ,  최성창

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/503 ,  B05D1/62 ,  B05D3/148 ,  B05D5/083 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  C23C16/56 ,  F25B47/003 ,  F28F13/18 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04

Abstract: 본발명에따르면, (a) 챔버내에표면처리되는금속인양극과, 음극을위치시키고; (b) 상기챔버내의압력을소정진공상태로유지하고; (c) 소정압력의불포화지방족탄화수소단량체가스및 중합불능가스를전체반응가스에대하여상기중합불능가스의비율을 50 - 90%가되도록상기챔버내로도입하고; (d) 상기전극에전압을인가하여 DC 방전에의해, 상기챔버내에도입된불포화지방족탄화수소단량체가스및 상기중합불능가스로부터양(+) 및음(-) 이온과라디칼로이루어지는플라즈마를얻고, 플라즈마증착에의해상기양극표면에친수성을갖는고분자중합막을형성하는; DC 방전플라즈마를이용하여열교환기와같은냉동공조에이용되는금속재료표면상에고분자중합막을합성하는방법이제공된다.