公开(公告)号：KR1020040041730A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device provided with a current confined structure is provided to secure the reliability by reducing the leakage current at the etched surface with filling an oxide layer or a nitride layer. CONSTITUTION: A semiconductor optical device provided with a current confined structure includes a semiconductor substrate(10), a first semiconductor layer(12), a second semiconductor layer(14), a third semiconductor layer(16). The first semiconductor layer(12) is formed on the semiconductor substrate(10) and made of at least one first conductive type of material. The second semiconductor layer(14) is formed on the first semiconductor layer(12) and is made of at least one material. The third semiconductor layer(16) is formed on the second semiconductor layer(16) and is made of at least one second conductive type of material which is opposite to the first conductive type. The first to third semiconductor layers(12,14,16) form the mesa structure, the side surface of at least one material layer constituting the first to third semiconductor layers(12,14,16) is recessed and the recessed portion is filled with oxide layer or a nitride layer, partially or totally.

Abstract translation: 目的：提供一种具有电流限制结构的半导体光学器件，以通过减少在蚀刻表面处的填充氧化物层或氮化物层的漏电流来确保可靠性。 构成：设置有电流限制结构的半导体光学器件包括半导体衬底（10），第一半导体层（12），第二半导体层（14），第三半导体层（16）。 第一半导体层（12）形成在半导体衬底（10）上并由至少一种第一导电类型的材料制成。 第二半导体层（14）形成在第一半导体层（12）上并且由至少一种材料制成。 第三半导体层（16）形成在第二半导体层（16）上并且由与第一导电类型相反的至少一种第二导电类型的材料制成。 第一至第三半导体层（12,14,16）形成台面结构，构成第一至第三半导体层（12,14,16）的至少一个材料层的侧表面是凹进的，并且凹陷部分填充有 氧化物层或氮化物层，部分或全部。

公开(公告)号：KR1020030074937A

公开(公告)日：2003-09-22

申请号：KR1020020013936

申请日：2002-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종희 ,  노정래 ,  신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an intracavity-contacted VCSEL including selective upper mirror layer growth is provided to simplify a heat emission path and a current injection path by using a selective region growth method. CONSTITUTION: A lower mirror layer(200), a laser resonance layer(300), a current injection hole forming layer, and an intracavity-contacted layer are sequentially grown on a substrate(100). An intracavity-contacted layer pattern(500) is formed by wet-etching the current injection hole forming layer. A mask pattern(600) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). An upper mirror layer(250) is formed on an upper surface of the intracavity-contacted layer pattern(500). The first electrode(700) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). The second electrode(750) is formed on a back surface of the substrate(100).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括选择性上镜层生长的腔内接触VCSEL的方法，以通过使用选择性区域生长方法简化热发射路径和电流注入路径。 构成：在基板（100）上依次生长下镜面（200），激光谐振层（300），电流注入孔形成层和腔内接触层。 通过湿蚀刻电流注入孔形成层形成腔内接触层图案（500）。 在腔内接触层图案（500）上形成掩模图案（600）。 在腔内接触层图案（500）的上表面上形成上镜层（250）。 第一电极（700）形成在腔内接触层图案（500）上。 第二电极（750）形成在基板（100）的背面上。

公开(公告)号：KR1020030038072A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020010069489

申请日：2001-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

Abstract: PURPOSE: A VCSEL(Vertical-Cavity Surface Emitting Laser) for long wavelength having a current caliber of an oxide layer is provided to minimize the loss of the current and the charges by using the InAlAs oxide layer for restraining the InAlAs current path layer. CONSTITUTION: An n-type lower mirror layer(120) and an active layer(130) are sequentially formed on an n-type InP substrate(110). The n-type lower mirror layer(120) satisfies a Bragg reflection condition. A current path layer(142) and a current limit layer(144) are formed on a part of the active layer(130). The current path layer(142) is surrounded by the current limit layer(144). A p-type internal resonance contact layer(150) is formed on the current path layer(142) and the current limit layer(144). An upper mirror layer(160) is formed on a part of the p-type internal resonance contact layer(150). A p-type electrode(170) is formed on the p-type internal resonance contact layer(150) and the upper mirror layer(160). An n-type electrode(180) is formed on a part of a back side of the n-type InP substrate(110).

Abstract translation: 目的：提供具有电流口径为氧化物层的长波长VCSEL（垂直腔表面发射激光器），以通过使用InAlAs氧化物层来抑制InAlAs电流通路层来最小化电流损耗和电荷。 构成：在n型InP衬底（110）上依次形成n型下镜层（120）和有源层（130）。 n型下镜层（120）满足布拉格反射条件。 在有源层（130）的一部分上形成电流通路层（142）和限流层（144）。 电流通路层142由电流极限层144包围。 在电流通路层（142）和限流层（144）上形成p型内部共振接触层（150）。 在p型内部共振接触层（150）的一部分上形成上镜层（160）。 p型电极（170）形成在p型内部共振接触层（150）和上镜层（160）上。 n型电极（180）形成在n型InP衬底（110）的背侧的一部分上。

公开(公告)号：KR1020020055456A

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：KR1020000083422

申请日：2000-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신제헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser and a method of manufacturing the same are provided to minimize a generation of heat and to maximize a discharge of heat, which has a long wavelength and a thick inner resonance contact layer capable of realizing a current injection structure. CONSTITUTION: A lower mirror layer(5) is grown on a semiconductor substrate(6). An ion injection layer(8) is formed on a top of the lower mirror layer(5). An activated layer(3) is coated over the ion injection layer(8) of the mirror layer(5). An inner resonance contact layer(10) is covered on the activated layer(3). An undoped upper mirror layer(9) is formed on the inner resonance contact layer(10). The inner resonance contact layer(10) has a thermal conductivity of at least five times than that of the upper mirror layer(9) and a thickness of 0.7 times than that of the activated layer(3). An electrode(1) is coated on the upper mirror layer(9).

Abstract translation: 目的：提供垂直腔表面发射激光器及其制造方法，以最小化热量的产生并且使具有长波长和厚的内部共振接触层能够实现电流注入结构的热放电最大化 。 构成：在半导体衬底（6）上生长下镜层（5）。 离子注入层（8）形成在下镜层（5）的顶部。 活性层（3）涂覆在镜层（5）的离子注入层（8）上。 内部共振接触层（10）被覆盖在活化层（3）上。 在内谐振接触层（10）上形成未掺杂的上镜层（9）。 内部共振接触层（10）的热导率为上镜面（9）的至少5倍，厚度为激活层（3）的厚度的0.7倍。 电极（1）涂覆在上镜层（9）上。

公开(公告)号：KR100319752B1

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：KR1019990050468

申请日：1999-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/30

Abstract: 표면방출레이저는광배선및 광통신용광원으로사용되고있는데편광에따라특성이다른광소자나광학기기와같이사용하기위해서는안정된편광특성을필요로하며편의에따라편광특성을조절하는것이유용하다. 본발명에서는표면방출레이저에서편광을조절할수 있는구조의편광조절표면방출레이저에관한것으로, 본발명의표면방출레이저소자는한 소자에서전극에따라두개의편광방향으로조절하며, 특히활성층근처에서산화막에의해발진영역이한정되므로횡모드의변화없이편광특성제어가가능하다.

公开(公告)号：KR1020010055919A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990057254

申请日：1999-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A surface emitting laser for polarization control is provided to select oscillation light of polarized direction by controlling polarization without changing characteristic. CONSTITUTION: A surface emitting laser has a lower part mirror layer(32), resonance activity layer, upper part mirror layer(36). An insulation layer(37) gets inserted impurities-ion or fills up resonance activity layer after etching. The first upper part metal layer(38) gets supplied with current for lasering and is formed on the upper part mirror layer(36). The second upper part metal layer controls polarization to each vertical direction about the semiconductor board(31) with isolating the first upper part metal layer(38) from the insulating layer(37). The first lower part metal layer(41a) gets supplied with lasering current with the first upper part metal layer(38) at the same time and is formed on bottom of the semiconductor board(31). The second lower part metal layer(41b) gets supplied with polarization control current at the same time with the second upper part metal layer, keeping the fixed intervals with the first lower part metal layer(41a) on bottom of the semiconductor board(31).

Abstract translation: 目的：提供用于偏振控制的表面发射激光器，通过控制偏振而不改变特性来选择偏振方向的振荡光。 构成：表面发射激光器具有下部镜层（32），共振活性层，上部镜层（36）。 绝缘层（37）在蚀刻后插入杂质离子或填充共振活性层。 第一上部金属层（38）被供给用于激光的电流并形成在上部镜面层（36）上。 第二上部金属层通过将第一上部金属层（38）与绝缘层（37）隔离来控制围绕半导体板（31）的每个垂直方向的偏振。 第一下部金属层（41a）同时与第一上部金属层（38）一起被供给激光电流并形成在半导体基板（31）的底部。 第二下部金属层（41b）与第二上部金属层同时被提供偏振控制电流，与半导体板（31）的底部保持与第一下部金属层（41a）的固定间隔， 。

公开(公告)号：KR1020000026688A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980044345

申请日：1998-10-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  이규석 ,  추혜용

IPC: H01L47/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: Photoelectric devices using negative resistance diodes are provided to perform a function of an all-optical oscillator by tying two diodes with a direct metal line without an external electrical source, and to exchange an electro-optical signal and to process a wire/wireless signal by exchanging a binary optical signal, modulating optical input with regular intensity and an electro-circuit self vibrating signal from the negative resistance of an optical composition as an electro-optical oscillator. CONSTITUTION: Photoelectronic devices using diodes in negative resistance comprises a semi-insulation compound semiconductor substrate(10), a semiconductor mirror(20), two-Positive Intrinsic Negative(PIN) diodes. The semiconductor mirror has a hetero semiconductor layer which is repeatedly stacked thereon to raise optical-absorption of an optical PIN diode on the substrate. Opposite polarity of the two PIN diodes is formed in parallel for an external electrical source on the same area of the semiconductor mirror. The PIN diodes induce N-shaped negative resistance characteristics by two exposure beams from outside, and output the exposure beams as optical-modulation which reversed the exposure beams by an electric vibrating signal, which the external electrical source is applied and induced when inducing the negative resistance characteristics.

Abstract translation: 目的：提供使用负电阻二极管的光电器件，通过用不带外部电源的直接金属线连接两个二极管来执行全光振荡器的功能，并交换电光信号并处理有线/无线 通过交换二进制光信号，调制具有规则强度的光输入和作为电光振荡器的光学组合物的负电阻的电路自振信号。 构成：使用负电阻二极管的光电子器件包括半绝缘化合物半导体衬底（10），半导体镜（20），双正内部负极（PIN）二极管。 半导体反射镜具有反复层叠在其上的异质半导体层，以提高基板上的光学PIN二极管的光吸收。 两个PIN二极管的相反极性在半导体镜的相同区域上的外部电源并联形成。 PIN二极管通过来自外部的两个曝光光束引起N形负电阻特性，并且将曝光光束作为光学调制输出，通过电振动信号反转曝光光束，外部电源被施加并诱导时产生负 电阻特性。

公开(公告)号：KR100249788B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970060633

申请日：1997-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  권오균 ,  이규석

IPC: H01L51/00 ,  H01L31/10 ,  H01S3/10

CPC classification number: G02F3/028 ,  G02F1/015

Abstract: 본 발명은 다중양자우물구조 PIN다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것으로서, 전기-광흡수(electro-absorption)를 갖는 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간층(intrinsic layer)으로 하는 반도체 PIN다이오드에서 광 흡수에 의한 광전류-전압(photocurrent-voltage)의 부저항(negative resistance) 특성을 이용하며, 이 다이오드구조에 강한 연속 레이져 빔(continuous laser beam)을 조사하여 다이오드의 부저항특성을 크게 증가시키므로써 발생된 다이오드의 광전류-전압의 부저항 지역에 정전압 (dc voltage)을 인가하여 다이오드의 진동(oscillation)을 유발시켜 전기적 교류 신호(electrical ac-signal) 및 다이오드의 진동에의해 연속-조사빔의 변조-광신호(modulated optical signal) 발생을 유발 시킨다. 이러한 본 발명에서는 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 구조를 PIN다이오드의 중간층으로 이용하여 고출력의 전기적 교류 신호 뿐만 아니라 변조- 광신호를 생성할 수 있으며, PIN 다이오드 및 구성 회로요소(electrical elements)들의 조절로 전기적 교류 신호의 주파수 및 신호 진폭(amplitude)을 조절할 수 있으며, 다중양자우물 구조의 조절로 변조광신호의 신호 주파수 및 변조신호의 크기차(signal difference) 및 명암비(extinction ratio)를 조절할 수 있어, 고출력 고주파수의 전기 및 광 신호를 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990047100A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065336

申请日：1997-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  박효훈 ,  권오균 ,  이규석 ,  유병수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10

Abstract: 본 발명은 공명 투과 광전소자를 이용한 다중 피크 발생 방법에 관한 것으로, 특히 이중장벽 구조를 갖는 공명 투과 소자의 측면에 간격층의 밴드 갭보다 큰 에너지의 빛을 조사함으로써, 공명 투과 조건이 이중장벽 구조의 일부분만 변조되어 다중 피크 특성이 나타나도록 하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 공명 투과 소자의 측면에서 광원을 조사하여, 공명 투과 소자에 흐르는 전류가 빛이 흡수된 영역과 빛이 흡수되지 않은 영역이 병렬로 연결된 것과 같은 특성을 보이도록 함으로써 다중 피크 특성이 발생하게 하는 방법을 제시한다. 본 발명에 의한 측면 수광 공명 투과 소자는 간격층에 직접 빛이 조사되므로 약한 광 신호에서도 전기적 신호의 변조가 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR100148418B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940030617

申请日：1994-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: H01L27/12 ,  H01J40/14

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 외부전원 인가없이도 광 쌍안정을 크게 증가시켜 일반적인 역방향 전압을 필요로 하는 광 논리소자에서의 문제점을 제거할 수 있는 AFP ESQW S-SEED(AE-SEED)또는 AFP ACQW SEED(AA-SEED)등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작을 매우 간결하면서도 효율적으로 할수 있는 소자구조(lay-out)를 제시하였다.
종래의 S-SEED및 2차원 배열은 전압인가를 위하여 따로 금속선과 금속패드를 필요로 하였다.
그러나 충분히 큰 무전압 광 쌍안정이 가능한 AE-SEED또는 AA-SEED및 그들의 2차원 배열에서는 무전안 광 쌍안정 S-SEED를 구성하는 데에 필요한 금속선 연결을 제외한 일반적인 구조에서 필요로 하는 나머지 금속선과 금속패드를 제거하고 쉽게 제작될 수 있다는 것을 본 발명은 보이고 있다.
이러한 구조를 더욱 효율적으로 하기 위해서 본 발명에서 제시하는 구도는 두개의 PIN 다이오드 SEED를 서로 반대방향으로 마주보게 하여 각 SEED의 p-층과 n-층의 거리를 극소화하여 2차원 배열의 집적도를 증가시킬 수 있고,불필요한 수동요소를 극소화시킨 구조도 포함되어 있다.