公开(公告)号：KR1019950003956B1

公开(公告)日：1995-04-21

申请号：KR1019920011451

申请日：1992-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성재 ,  박경완 ,  박경호

IPC: H01L39/00

Abstract: The Josephson device is manufactured by (a) growing GaAs with low band gap AlGaAs with high band gap and silicon-doped AlGaAs on the insulating GaAs substrate, repeatedly in sequence, (b) mesa etching it to be the superlattice mesa after coating the photoresist on the grown layer and forming the device shape, and removing the phoresist, (c) etching selectively both sides of superlattice mesa to build up the electrodes and forming the superconducting thin film layer on it.

Abstract translation: 约瑟夫逊器件通过以下方式制造：（a）在绝缘GaAs衬底上生长具有高带隙的低带隙AlGaAs和掺杂硅的AlGaAs的GaAs，（b）在涂覆光致抗蚀剂之后，将其蚀刻成为超晶格台面 在生长层上形成器件形状并去除光刻胶，（c）选择性地蚀刻超晶格台面的两面以形成电极并在其上形成超导薄膜层。

公开(公告)号：KR100068832B1

公开(公告)日：1993-12-18

申请号：KR1019900014326

申请日：1990-09-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 한운영 ,  이성재 ,  강선무 ,  김성조

IPC: H04Q1/30 ,  H04M3/00

公开(公告)号：KR100910059B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020070094685

申请日：2007-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유한영 ,  김안순 ,  양종헌 ,  백인복 ,  안창근 ,  아칠성 ,  박찬우 ,  이성재 ,  정태형

IPC: C01B3/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: F17C11/005 ,  B01J20/0203 ,  B01J20/06 ,  B82Y30/00 ,  C01B3/001 ,  C01B3/0021 ,  C01B3/0031 ,  C01B3/0057 ,  C01B3/0078 ,  C01B3/0084 ,  Y02E60/325 ,  Y02E60/327 ,  Y02E60/328 ,  Y10S502/526 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/811 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명은 가스 저장을 위한 표면적을 충분히 확보하여 가스 저장 능력의 효율성을 개선시킬 수 있는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 이온가가 변화할 수 있는 물질이 서로 이격되어 다층의 층상(層狀) 구조를 이루고, 상기 물질은 화학적 결합에 참여하지 않는 여분의 전자를 포함하는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공한다.
가스 저장 장치, 나노선 결정질, 산화 바나듐, 수소

公开(公告)号：KR100889564B1

公开(公告)日：2009-03-23

申请号：KR1020070066125

申请日：2007-07-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안창근 ,  이성재 ,  양종현 ,  백인복 ,  유한영 ,  아칠성 ,  김안순 ,  박찬우 ,  박선희 ,  정태형

IPC: G01N33/48 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N33/5438 ,  G01N27/4145

Abstract: 본 발명은 타겟분자(Taget molecule)와 프로브분자(probe molecules)간의 상호반응을 통하여 특정 바이오 물질을 검출할 수 있는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 도핑층; 상기 도핑층의 양 끝단 상부에 형성된 전극 및 상기 도핑층에 고정된 프로브분자를 포함하는 바이오 센서를 제공한다.
바이오 센서, 접합 절연, 실리콘 나노선

公开(公告)号：KR100704380B1

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020060050749

申请日：2006-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백인복 ,  이성재 ,  양종헌 ,  안창근 ,  유한영 ,  임기주

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

公开(公告)号：KR100670803B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020040109297

申请日：2004-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  장문규 ,  김약연 ,  이성재

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7839 ,  G11C11/56

Abstract: 쇼키 장벽 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SB-MOSFET)의 양극 전도성을 이용한 소자 및 소자 동작 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 채널 영역, 채널 영역 양단에 접촉하게 금속층을 포함하여 형성된 소스 및 드레인, 및 채널 영역 상에 게이트 유전층을 계면에 수반하여 중첩되는 게이트를 포함하는 SB-MOSFET 구조에서, 게이트에 양(+), 0 또는 음(-)의 게이트 전압이 선택적으로 인가하여 소자를 동작시킴으로써, 정공 전류 및 전자 전류의 두 가지 드레인 전류 상태와 전류가 흐르지 않는 전류 상태의 세 가지 상태를 하나의 SB-MOSFET에 구현할 수 있다. 이에 따라, 이러한 SB-MOSFET를 다단 메모리(multi-bit memory) 소자 또는/ 및 다단 논리 소자 등과 같은 소자로서 이용할 수 있다.
SBTT, 쇼키 장벽, 정공 전류, 전자 전류, 금속실리사이드

公开(公告)号：KR100656346B1

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020050034911

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양종헌 ,  백인복 ,  임기주 ,  안창근 ,  조원주 ,  이성재

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28185 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 이동 전하를 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 플라즈마 도핑(doping)시켜 상기 게이트 유전막 내에 이동 이온 전하들을 분포시키는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 문턱 전압의 조절을 위해 상기 이동 이온 전하들의 상기 게이트 유전막 내의 분포를 제어하는 제어 전압이 인가될 게이트를 형성하는 단계, 및 상기 게이트에 인근하는 상기 반도체 기판 부분에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다.
MOSFET, 비휘발성 메모리, 이동 전하, 플라즈마 도핑, 게이트 유전막

公开(公告)号：KR1020060067806A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020050075659

申请日：2005-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종혁 ,  이성재

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G11B9/04

Abstract: 금속 산화막의 전류 스위칭을 이용한 정보 저장 장치를 제시한다. 본 발명에 따르면, 기판 형성된 하부 전극막, 금속 산화막을 포함하고, 하부 전극막에 대향되게 도입되어 나노미터(nanometer) 수준의 크기의 국부 영역 단위로 금속 산화막 상을 스캔(scan)하고, 금속 산화막의 국부 영역 별로 쓰기 전압을 인가하여 국부 영역의 저항값을 급격히 변화시켜 국부 영역의 저항값을 제1상태에서 제2상태로 스위칭(switching)시키거나, 저항값의 제1상태 또는 제2상태에 따라 다른 값으로 국부 영역을 통과하여 흐르는 전류값을 측정하여 저장된 정보를 읽는 뾰족한 팁(tip)을 가지는 탐침, 탐침의 금속 산화막에 대한 위치를 국부 영역 단위로 이동시키는 구동부, 및 제어부를 포함하는 정보 저장 장치를 제시한다.
AFM, 피에조 스캐너, 금속 산화막, 전류 스위칭 효과, 탐침

公开(公告)号：KR1020060067091A

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020050034030

申请日：2005-04-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양종헌 ,  백인복 ,  임기주 ,  안창근 ,  조원주 ,  이성재

IPC: H01L21/336

Abstract: 충돌 이온화를 이용한 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 게이트 유전막, 게이트 및 제1 및 제2 측벽 스페이서를 형성하고, 반도체 기판에 불순물을 경사 이온 주입하여 게이트 및 제1 및 제2스페이서에 마스킹(masking)되어 제1스페이서로부터 이격된 제1불순물층 및 제2스페이서 아래에 중첩되게 연장된 제2불순물층을 형성한다. 상호 간의 사이의 반도체 기판 영역을 이온화 영역으로 설정하는 소스 및 드레인을 제1 및 제2스페이서에 각각 자기 정렬되게 반도체 기판 상에 형성한다. 이때, 소스가 이온화 영역과 쇼트키 접합(schottky junction)을 이루게 제1금속 실리사이드막을 포함하여 형성되고, 드레인이 제2스페이서 아래에 중첩되는 제2불순물층 부분 및 제2불순물층 영역과 저항성 접촉(ohmic contact)을 이루게 제2스페이서에 정렬되는 제2실리사이드막을 포함하여 형성된다.
충돌 이온화, 애벌랜치 항복, 실리사이드, 쇼트키 장벽, 비대칭 소스 드레인

公开(公告)号：KR1020060062100A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040100828

申请日：2004-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장문규 ,  김약연 ,  신재헌 ,  이성재

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/872

Abstract: 본 발명은 쇼트키 장벽 관통 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 불순물을 주입하여 소오스 및 드래인 영역을 구성하고 인위적인 양자점을 채널 영역에 형성하는 방식을 이용한 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor; SET) 제작방법 대신에 소오스 및 드래인을 실리콘과 금속의 반응 물질인 실리사이드로 대체하여 금속-반도체간에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용하여 제작함으로써, 단전자 트랜지스터(SET)를 위한 양자점(quantum dot)을 형성하기 위하여 종래 기술의 PADOX 공정을 진행할 필요가 없으며, 다양한 쇼트키 접합의 높이를 가지는 실리사이드 물질을 이용하여 터널링 장벽의 높이 및 폭을 인위적으로 조절할 수 있을 뿐만 아니라 단전자 트랜지스터(SET)의 전류 구동능력을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
단전자 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터, 쇼트키 장벽, SOI 기판, 실리사이드