公开(公告)号：DE102015111910A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102015111910

申请日：2015-07-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN DAVID ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/64

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung (5) zumindest über eine Strahlungshauptfläche (11) eingerichtet ist, ein Konverterelement (2), das im Strahlengang des Halbleiterchips (1) angeordnet ist, ein Verkapselungselement (3), das ein Deckelement (31) und ein Seitenelement (32) aufweist und zumindest eine Versiegelung für das Konverterelement (2) vor Umwelteinflüssen bildet, wobei das Deckelement (31) über dem Konverterelement (31) angeordnet ist und das Seitenelement (32) im Querschnitt lateral zum Halbleiterchip (1) und Konverterelement (2) angeordnet ist und den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei das Seitenelement (32) und das Deckelement (31) zumindest bereichsweise direkt in Kontakt stehen, wobei das Seitenelement (32) zumindest ein Metall aufweist.

公开(公告)号：DE102015102699A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102015102699

申请日：2015-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit mehreren Befestigungsstellen (23), B) Bereitstellen von optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit je einer Chipoberseite (30) und einer dieser gegenüberliegenden Montageseite (32), wobei sich elektrische Kontaktstellen (34) der Halbleiterchips (3) je an den Montageseiten (32) befinden, C) Anbringen von Verbindungsmitteln (4), D) Befestigen der Kontaktstellen (34) auf den Befestigungsstellen (23) mittels der Verbindungsmittel (4), E) Erzeugen einer Vergussschicht (5), sodass die Halbleiterchips (3) und die Kontaktstellen (34) und die Verbindungsmittel (4) ringsum direkt von der Vergussschicht (5) umgeben sind, F) Ablösen der Halbleiterchips (3), sodass die Verbindungsmittel (4) von den Halbleiterchips (3) entfernt werden und an den Kontaktstellen (34) als Negativform zu den Verbindungsmitteln (4) je Ausnehmungen (44) entstehen, und G) Erzeugen von elektrischen Kontaktstrukturen (6).

公开(公告)号：DE112014001934A5

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：DE112014001934

申请日：2014-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48

公开(公告)号：DE112012001078A5

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE112012001078

申请日：2012-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

公开(公告)号：DE102012108627A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102012108627

申请日：2012-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/492 ,  H01L23/522 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird eine optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) mit einem optoelektronischen Bauelement (2) und einem weiteren Bauelement (3) angegeben. Das optoelektronische Bauelement und das weitere Bauelement sind im Betrieb der Halbleitervorrichtung parallel zueinander verschaltet. Das optoelektronische Bauelement ist mit einem ersten Kontakt (6) und einem zweiten Kontakt (7) für die externe Kontaktierung der Halbleitervorrichtung verbunden und das weitere Bauelement ist mit zumindest einem weiteren Kontakt (8) der Halbleitervorrichtung verbunden. Weiterhin wird ein Trägerverbund angegeben.

公开(公告)号：DE102011103412A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102011103412

申请日：2011-06-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Trägersubstrat (2) bereitgestellt wird, das einen Montagebereich (2a) und eine Aussparung (2b) aufweist, die im Montagebereich (2a) des Trägersubstrats (2) ausgebildet ist. Nach Montage eines Halbleiterchips (1) wird eine elektrisch isolierende Schicht (4) auf dem Trägersubstrat (2) derart aufgebracht, dass die elektrisch isolierende Schicht (4) die erste Aussparung (2b) des Trägersubstrats (2) vollständig ausfüllt. Eine zweite Aussparung (4a) wird in der elektrisch isolierenden Schicht (4) ausgebildet. Anschließend wird eine elektrisch leitende Schicht (5) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) derart aufgebracht, dass die zweite Aussparung (4a) als Durchkontaktierung mit der elektrisch leitenden Schicht (5) ausgefüllt ist. Weiter wird ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：DE112010005057A5

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：DE112010005057

申请日：2010-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN

IPC: G02B6/00

公开(公告)号：DE102009051746A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009051746

申请日：2009-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER KLAUS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  SPATH GUENTER ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  BRUNNER HERBERT

IPC: H01L33/50 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine erste Hauptfläche (1a) aufweist, - zumindest einem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip (2), und - einer Kontaktmetallisierung (3a, 3b), wobei - der Träger (1) elektrisch isolierend ist, - der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels eines Verbindungsmaterials (4), insbesondere eines Lotmaterials, an der ersten Hauptfläche (1a) des Trägers (1) befestigt ist, - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) zumindest einen Bereich der ersten Hauptfläche (1a) bedeckt, der frei vom optoelektronischen Halbleiterchip (2) ist, und - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102009032606A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：DE102009032606

申请日：2009-07-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  F21V8/00 ,  H01L23/482 ,  H01L25/075

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) beinhaltet dieses einen Erweiterungsträger (20) und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (10). Der Halbleiterchip (10) weist einen Träger (11) und eine aktive Halbleiterschichtenfolge (12) auf. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (10) mindestens eine elektrische Leiterbahn (15) zur Kontaktierung der aktiven Halbleiterschichtenfolge (12), wobei sich die elektrische Leiterbahn (15) in einer lateralen Richtung wenigstens teilweise neben der Halbleiterschichtenfolge (12) befindet. Der Erweiterungsträger (20) beinhaltet ein Substrat (21), das mindestens einen Durchbruch (22) aufweist. In dem Durchbruch (22) ist der Halbleiterchip (10) angebracht. An einer Substeite (24) des Substrats (21) ist mindestens ein elektrisches Anschlussstück (25) angebracht, das zur elektrischen Verbindung mit dem Halbleiterchip vorgesehen ist. Weiterhin entspricht eine Dicke (T) des Halbleiterchips (10) mit einer Toleranz von höchstens 15% einer Dicke (C) des Erweiterungsträgers (20).

公开(公告)号：DE102008051044A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：DE102008051044

申请日：2008-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOGNER GEORG ,  ZEILER THOMAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  ENGL KARL

IPC: H01L25/075 ,  H01L23/48 ,  H01L33/00