公开(公告)号：EP1910216A1

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：EP06787902.3

申请日：2006-07-19

Applicant: QUALCOMM Incorporated

Inventor： SASAGAWA, Teruo ,  CHUI, Clarence ,  KOTHARI, Manish ,  GANTI, Surya, Prakash ,  SAMPSELL, Jeffrey, B.

IPC: B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0136 ,  G02B6/3584 ,  G02B26/001

Abstract: A microelectromechanical systems device having support structures formed of sacrificial material that is selectively diffused with a dopant material or formed of a selectively oxidized metal sacrificial material. The microelectromechanical systems device includes a substrate having an electrode formed thereon. Another electrode is separated from the first electrode by a cavity and forms a movable layer, which is supported by support structures formed of a diffused or oxidized sacrificial material.

公开(公告)号：EP1697783A1

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：EP04816605.2

申请日：2004-12-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DIVOUX, Claire ,  VAUDAINE, Marie-Hélène ,  ENOT, Thierry

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/085 ,  B81B2201/038 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0136 ,  G02B26/0833 ,  G02B26/0841 ,  Y10S29/016 ,  Y10S438/924 ,  Y10T29/42

Abstract: The invention relates to a method for production of an operation system for an optical component, comprising the engraving of a first face of a component to form blocks thereon, the engraving of a second face of the component to release a membrane of the same material as the blocks and the production of operating means of the blocks and the membrane.

公开(公告)号：EP1423330A2

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：EP02754435.2

申请日：2002-07-25

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  PANNEK, Thorsten ,  SCHAFER, Frank

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising a semiconductor carrier (1). In order to form self-supporting structures (3) for a component, a flat porous membrane layer (3) and a cavity (2) beneath the porous membrane layer are produced. The aim of the invention is to avoid damaging the membrane during the production or in the event of regular use. This aim can be achieved in various ways. In a first embodiment, the semiconductor carrier (1) receives a different doping in the membrane region compared to the cavity, enabling different pore sizes and/or porosities to be produced, which can be used for improved etching gas transport during the production of the cavity. The aim of the invention can also be achieved, however, by producing mesopores in the membrane region and nanopores in the later cavity region, as auxiliary structures. The invention also relates to a semiconductor component which is based on one or a plurality of said methods.

公开(公告)号：EP1306348A1

公开(公告)日：2003-05-02

申请号：EP01125193.1

申请日：2001-10-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： Artmann, Hans ,  Pannek, Thorsten

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0069 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit mit einem Halbleitermaterialträger (2) vorgeschlagen, bei welchem für die Ausbildung von Sensorelementstrukturen für wenigstens einen Sensor eine flächige Membran (8) und eine Isolationswanne (10) zur thermischen Isolierung unter der Membran erzeugt wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Membransensoren, die sich auch für Membransensor-Arrays eignen, zu vereinfachen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass der Träger (2) aus Halbleitermaterial in einem vorgegebenen Bereich, der Sensorelementstrukturen definiert, eine zum umgebenden Halbleitermaterial gezielt unterschiedliche Dotierung erhält, dass aus Halbleitermaterialabschnitten zwischen den durch Dotierung ausgezeichneten Bereichen poröses Halbleitermaterial erzeugt wird und dass das Halbleitermaterial im Wannenbereich (10) unter dem porösiziertem Halbleiter und Teilen der Sensorelementstruktur entfernt und/oder porösiziert wird. Im Weiteren wird eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Membransensoreinheit vorgeschlagen.

Abstract translation: 半导体衬底（2）的给定区域限定了传感器元件的结构。 与周围的半导体区域相比，该区域被有意地掺杂。 由掺杂区域的区域之间的半导体形成多孔半导体材料（5）。 移动和/或制造多孔的材料下面的槽（10）中的半导体被制成多孔和传感器元件结构的部分。 相应的传感器单元包括独立声明。

公开(公告)号：EP1105344A1

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：EP99952247.7

申请日：1999-08-03

Applicant: Infineon Technologies AG

Inventor： AIGNER, Robert ,  BEVER, Thomas ,  TIMME, Hans-Jörg

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C2201/0136 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method, comprising the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer (4); b) applying an epitaxial layer (1) that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface (11) between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionally etching ventilation holes (2) traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer (9), at least one spacing layer (10), a membrane (5) and optionally a semiconductor circuit (8) on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole (6) on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interface between the wafer (4) and the epitaxial layer (1) by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.

公开(公告)号：EP0987740A1

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：EP98203096.7

申请日：1998-09-16

Applicant: The Boeing Company

Inventor： Hays, Kenneth Maxwell ,  Halleck, Bradley Leonard ,  Whitcomb, Eugene Coleman

IPC: H01L21/20 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/019

Abstract: Micromachining a microelectromechanical structure requires one or more heavily doped silicon layers. Intricately patterned structures are created in a heavily doped surface layer on a relatively undoped substrate. The substrate is subsequently dissolved in a selective etch. The doping prevents the patterned structures from dissolving. In this invention, a doped layer is grown epitaxially onto the first substrate rather than by diffusing a dopant into the substrate. This produces additional planarity, thickness control, and dopant profile control. The structure may then be placed into a larger device, such as an infrared sensor, an accelerometer, or an angular rate sensor.

Abstract translation: 微加工微机电结构需要一个或多个重掺杂的硅层。 在相对未掺杂的衬底上的重掺杂表面层中产生复杂图案化结构。 随后将衬底溶解在选择性蚀刻中。 掺杂防止图案化结构溶解。 在本发明中，将掺杂层外延地生长到第一衬底上，而不是将掺杂剂扩散到衬底中。 这产生额外的平面度，厚度控制和掺杂物分布控制。 然后可以将结构放置在更大的装置中，例如红外传感器，加速度计或角速度传感器。

公开(公告)号：EP0865075A2

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：EP98102579.4

申请日：1998-02-14

Applicant: Micronas Intermetall GmbH

Inventor： Igel, Günther, Dipl.-Ing. ,  Mall, Martin, Dr. Dipl.-Phys.

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0173

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen 10 aus einem Körper 1, bei dem auf der Rückseite des Körpers 1 eine Verzögerungsschicht 8 mit Durchbrechungen 9 zum Verzögern eines Abtragvorgangs des Materials des Körpers vorgesehen wird, auf der Rückseite des Körpers 1 Gebiete 5 aus einem migrationsfähigen Material aufgebracht werden, der Körper 1 einem thermischen Migrationsverfahren unterzogen wird, so daß Migrationsbereiche 7 entstehen, und dann die Bauteile 10 in einem einzigen Abtragvorgang aus dem Körper 1 herausgetrennt und die Migrationsbereiche 7 freigelegt werden.

Abstract translation: 该制造方法包括使用具有设置有用于电子部件的主要区域的前表面的半导体晶片和设置有提供多个间隔区域的迁移材料层的后表面。 对半导体晶片进行热迁移工艺以形成间隔的迁移区域（7），随后通过蚀刻工艺去除这些区域之间的材料。

公开(公告)号：KR101462389B1

公开(公告)日：2014-11-17

申请号：KR1020080071856

申请日：2008-07-23

Applicant: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드

Inventor： 디트리제임스에프

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/031

Abstract: 도핑되지 않은 실리콘층을 둘러싸는 두 개의 도핑된 층을 가지며 MEMS 장치에 사용하기 위한 웨이퍼가 개시된다. 도핑되지 않은 코어 주위에 두 개의 도핑된 층을 제공함으로써, 실리콘의 격자 구조에서의 압력이 견고하게 도핑된 층에 비해 감소된다. 따라서, 휘어짐 및 구부러짐과 관련된 문제가 감소된다. 웨이퍼는 딥 리액티브 이온 에칭에 의해 패터닝된 산화층을 포함할 수도 있다. 제1 딥 리액티브 이온 에칭은 층들에 트랜치를 형성한다. 트랜치의 벽은 붕소 원자로 도핑된다. 제2 딥 리액티브 이온 에칭은 트랜치의 하벽을 제거한다. 웨이퍼는 실리콘 기판으로부터 분리되고 적어도 하나의 글래스 웨이퍼에 본딩된다.
MEMS, 웨이퍼, 도핑, 붕소, 딥 리액티브 이온 에칭

公开(公告)号：KR1020110025754A

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：KR1020107027656

申请日：2009-04-21

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 크라머토르스텐 ,  아알레스마르쿠스 ,  그룬트만아르민 ,  크네제카트린 ,  벤첼후버트 ,  슈에르만그레고르 ,  아름브루스터지몬

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: 본 발명은 기판 뒷면으로부터의 접근부를 구비한 마이크로메카닉 박막 구조를 제조하기 위한 특히 간단하고 비용면에서 유리한 방법에 관한 것이다. 이러한 방법은 p 도핑된 Si 기판(1)에 기초하며, 기판 표면의 하나 이상의 연속된 격자형 영역(2)을 n 도핑하는 단계, n 도핑된 격자 구조(2) 하부의 기판 영역(5)을 다공질 에칭하는 단계, n 도핑된 격자 구조(2) 하부의 상기 기판 영역(5)에 공동(7)을 생성하는 단계, n 도핑된 격자 구조(2) 상에 제1 단결정질 실리콘 에피택시층(8)을 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은, n 도핑된 격자 구조(2)의 하나 이상의 개구(6)는 성장하는 제1 에피택시층(8)을 통해 개구가 폐쇄되지 않고 공동(7)으로의 접근부 개구(9)를 형성하도록 설계되며, 공동 벽부에 산화물층(10)이 생성되며, 공동(7)으로의 뒷면 접근부(13)가 생성되면서 공동 벽부의 산화물층(10)은 에칭 중지층으로서 사용되며, 이러한 산화물층(10)은 공동(7)의 영역에서 제거되므로 공동(7) 위에 형성되는 박막 구조(14)로의 뒷면 접근부(13)가 생성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100856391B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020060123293

申请日：2006-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  전치훈 ,  표현봉 ,  박선희

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0136

Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 미세기전집적시스템(MicroElectroMechanical System)에 소자의 부양 구조물 제조방법에 있어서 상기 희생층 식각공정시 식각용액에 의해 부양 구조물이 손상되는 것을 방지하여 안정적으로 부양 구조물을 형성할 수 있는 미세기전집적시스템 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 불순물이 도핑된 박막 패턴을 포함하는 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 지지막 상에 후속 공정을 통해 부양될 구조물을 형성하는 단계와, 상기 박막 패턴의 양측부가 노출되는 식각 구멍을 형성하는 단계와, 상기 식각 구멍을 매개로 상기 희생층을 제거하여 상기 지지막과 상기 기판 사이에 공기 간극을 형성하는 단계를 포함하는 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법을 제공한다.
미소기전집적시스템, MEMS, 공동, 공기 간극, 희생층, 불순물 박막