公开(公告)号：CN102260849A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110127822.2

申请日：2011-05-12

Applicant: 兵库县 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 丰田纪章 ,  山田公 ,  成岛正树

IPC: C23C14/32 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  G03F7/427 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/31 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明要解决的问题在于提供能够容易地控制液体原料的团簇和气体原料的团簇的比率的团簇束产生装置以及方法、基板处理装置以及方法。本发明通过提供下述团簇束产生装置来解决上述问题，该团簇束产生装置产生团簇束，其特征在于包括：混合器，所述混合器混合气体原料和液体原料；喷嘴，所述喷嘴将在所述混合器中混合的所述气体原料和所述液体原料以团簇束的形式供应；以及温度调节部，所述温度调节部调节所述喷嘴的温度；其中，通过利用所述温度调节部改变所述喷嘴的温度来调节所述团簇束中所述液体原料的团簇和所述气体原料的团簇的比率。

公开(公告)号：CN102256430A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110075718.3

申请日：2011-02-15

Applicant: FEI公司

Inventor： A·格劳佩拉 ,  S·克罗格 ,  T·米勒 ,  D·劳尔 ,  S·张

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/24 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/31749 ,  H05H1/36

Abstract: 本发明涉及用于感应耦合等离子体离子源的等离子体点燃器。公开了一种聚焦离子束(FIB)系统，该系统包括：感应耦合等离子体离子源；包含等离子体的绝缘等离子体室；传导源偏置电极，与等离子体接触并偏置到高压以控制样品和多个孔处的离子束能量。等离子体室内的等离子体用作包括一个或多个透镜的离子镜筒的虚拟源，所述透镜把聚焦离子束形成在待被成像和/或FIB处理的样品的表面上。等离子体由装配在镜筒附近或在镜筒处的等离子体点燃器启动，所述等离子体点燃器在源偏置电极上诱导高压振荡脉冲。通过在镜筒附近装配等离子体点燃器，连接源偏置电极到偏置电源的电缆的电容性影响被最小化。通过合适的孔材料选择，使孔的离子束溅射最小化。

公开(公告)号：CN102203914A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143988.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 ,  詹姆士·S·贝福 ,  法兰克·辛克莱 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。

公开(公告)号：CN101236892B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN102113094A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130611.5

申请日：2009-06-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·R·钱尼 ,  艾利克·R·科布 ,  本雄·具 ,  威尔汉·P·普拉托

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/061

Abstract: 在离子源腔室的清洁过程中，定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时，所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合，以便调整所述腔室内的气压，从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率，以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。

公开(公告)号：CN102105966A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129479.6

申请日：2009-06-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·E·库鲁尼西 ,  拉傑许·都蕾 ,  科斯特尔·拜洛 ,  威尔汉·P·普拉托

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/304

Abstract: 揭示一种提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入的设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

公开(公告)号：CN101589449B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880002948.3

申请日：2008-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种具有气体稀释的离子源(202a)的改善效能并延长生命期的技术。在一特定例示性实施例中，此技术可被实现为一种具有气体稀释的离子注入机中的离子源的改善效能并延长生命期的方法。此方法可包含：将预定量的掺杂气体释放至离子源腔室(206)中，及将预定量的稀释气体释放至离子源腔室中。所述掺杂气体为含卤素气体。稀释气体可包含用于稀释掺杂气体以改善离子源的效能并延长其生命期的含氙气体与含氢气体的混合物。

公开(公告)号：CN102007564A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113522.X

申请日：2009-04-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 丹尼尔·蒂戈尔 ,  威廉·迪韦尔吉利奥 ,  爱德华·艾斯纳 ,  迈克尔·格拉夫

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J27/00 ,  H01J27/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835

Abstract: 本发明公开一种离子植入器系统，其包括一种使用于产生离子流或离子射束的一离子源。该离子源具有一离子源室壳体，其至少部分地限定一离子化区域，以用于在该室壳体中产生高密度的离子浓度。一所想要特征的离子撷取孔径覆盖一弧形室的该离子化区域。在一实施例中，一可移动离子撷取孔径板相对于该壳体移动，以用于修正一离子射束轮廓。一实施例包括一孔径板，其具有至少一延长孔径，且在至少界定不同离子射束轮廓的一第一位置与一第二位置间移动。耦接至该孔径板的一驱动器或致动器系将该孔径板在该第一位置与该第二位置间移动。一替代实施例具有两个移动板部分，其限定一可调整孔径。

公开(公告)号：CN101981661A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111729.3

申请日：2009-02-11

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 约瑟夫·D·斯威尼 ,  沙拉德·N·叶戴夫 ,  奥列格·比尔 ,  罗伯特·凯姆 ,  戴维·埃尔德里奇 ,  史蒂文·塞尔基 ,  丰琳 ,  史蒂文·E·毕晓普 ,  卡尔·W·奥兰德 ,  唐瀛

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J37/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

Abstract: 本发明披露了利用能够生长/侵蚀电弧室的离子源内的丝极的反应性清洗剂通过适当地控制电弧室内的温度来清洗离子植入系统或其部件，以实现所希望的丝极生长或可替换的丝极侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx在用于在环境温度、升高的温度或等离子体条件下以原位或离位清洗配置来清洗离子植入机的区域或植入机的部件中的应用，其中x具有化学计量适当的值或值的范围。在具体的反应性清洗剂中，BrF3被描述为可用于以原位或离位清洗配置来清洗离子植入系统或其一个或多个部件。还描述了一种清洗离子植入系统的前级管道用于从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物的方法，该方法包括使所述前级管道与清洗气体进行接触，其中所述清洗气体与所述沉积物具有化学反应性。还描述了一种改进离子植入系统的性能并延长离子植入系统的寿命的方法，包括使阴极与气体混合物进行接触。

公开(公告)号：CN101882551A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010151355.2

申请日：2006-11-15

Applicant: 阿利斯公司

Inventor： 比利·W·沃德 ,  约翰·A·诺特四世 ,  路易斯·S·法卡斯三世 ,  兰德尔·G·珀西瓦尔 ,  雷蒙德·希尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/252 ,  H01J37/28 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J9/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/252 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20264 ,  H01J2237/2566 ,  H01J2237/2623 ,  H01J2237/2812 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/31737 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31755

Abstract: 公开了离子源、系统和方法。