IMPROVED ELECTRODES, INNER LAYERS, CAPACITORS AND PRINTED WIRING BOARDS AND METHODS OF MAKING THEREOF - PART II
    131.
    发明申请
    IMPROVED ELECTRODES, INNER LAYERS, CAPACITORS AND PRINTED WIRING BOARDS AND METHODS OF MAKING THEREOF - PART II 审中-公开
    改进的电极,内层,电容器和印刷电路板及其制作方法 - 第二部分

    公开(公告)号:WO2007146384A1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:PCT/US2007/013967

    申请日:2007-06-13

    Abstract: Disclosed is an improved method of embedding capacitors in printed wiring boards (PWB) made from thick film dielectrics and electrodes, the method comprising the steps of : providing a metallic foil; forming a ceramic dielectric over the metallic foil; forming an electrode over most of said dielectric and at least a portion of said metallic foil; firing the capacitor structure under base metal firing conditions; and etching the metallic foil to form a second electrode. Further the method may comprise forming an insulating isolation layer over the metallic foil before forming the ceramic dielectric.

    Abstract translation: 公开了一种在由厚膜电介质和电极制成的印刷电路板(PWB)中嵌入电容器的改进方法,所述方法包括以下步骤:提供金属箔; 在金属箔上形成陶瓷电介质; 在所述电介质的大部分上形成电极,并且至少部分所述金属箔; 在贱金属烧制条件下烧结电容器结构; 并蚀刻金属箔以形成第二电极。 此外,该方法可以包括在形成陶瓷电介质之前在金属箔上形成绝缘隔离层。

    多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法
    133.
    发明申请
    多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 审中-公开
    用于调节多层陶瓷基板中的内置电容器的电容值的方法和多层陶瓷基板及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007086184A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2006/323149

    申请日:2006-11-21

    Abstract:  多層セラミック基板において、コンデンサ電極間の絶縁抵抗値やコンデンサのQ値を大きく変化させることなく、内蔵コンデンサの容量値を精度良くレーザートリミングできる方法を提供する。  複数のセラミック層(3~5)を積層してなるセラミック積層体(6)内に、第1コンデンサ電極(7)、第2コンデンサ電極(8)および誘電体ガラスセラミック層(4)で形成された内蔵コンデンサ(2)を有する多層セラミック基板(1)について、内蔵コンデンサ(2)の容量値を、第1コンデンサ電極(7)のレーザートリミングによって調整する。この場合、誘電体ガラスセラミック層(4)を、TiO 2 を含む誘電体グレインの含有割合が10~35体積%である、TiO 2 系誘電体ガラスセラミック層から構成する。

    Abstract translation: 本发明提供一种在多层陶瓷基板中能够以高精度实现内置电容器的电容值的激光微调,而不会使电容器电极之间的绝缘电阻值与电容器的Q值发生显着变化的方法。 在包括层叠在彼此顶部的多个陶瓷层(3〜5层)和内置电容器(2)的陶瓷层叠体(6)的多层陶瓷基板(1)中,形成有第一电容电极( 7),设置在陶瓷层叠体(6)内的第二电容电极(8)和电介质玻璃陶瓷层(4),内置电容器(2)的电容值通过第一 电容电极(7)。 在这种情况下,电介质玻璃陶瓷层(4)由具有TiO 2的电介质晶粒含量为10〜20的基于TiO 2的电介质玻璃陶瓷层形成 35%(体积)。

Patent Agency Ranking