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公开(公告)号：CN106082108B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510736299.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/0292 , B81B2203/0109 , B81C1/00357 , B81C1/00801 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。
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公开(公告)号：CN104603945B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201380033342.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN105531564B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480050417.7
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01C19/5712
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/0242 , G01C19/5712
Abstract: 提供了一种微机电陀螺仪，该微机电陀螺仪包括被悬挂以形成质量块平面的两个震动质量块。震动质量块被激励而绕在质量块平面内的共同主轴旋转振荡。检测到的角运动引起第一震动质量块绕第一检测轴的旋转振荡以及第二震动质量块绕第二检测轴的旋转振荡。检测轴与质量块平面垂直并且间隔了非零距离。
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公开(公告)号：CN107635909A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680029275.5
申请日：2016-04-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0045 , B81B2201/0242 , B81B2201/042 , B81B2203/0163 , B81B2203/058 , B81C99/006 , F16F1/025 , F16F1/3737 , G02B26/0833
Abstract: 本发明提供一种微机械设备以及一种相应的制造方法。所述设备构造具有：微机械设备(10)，具有：弹簧装置(16；216；316；416；516)，所述弹簧装置在所述弹簧装置(16)的至少一个附接点(24-i；124)以能运动的方式能耦接到或者已耦接到框架装置(14)上；其中，所述弹簧装置(16；216；316；416；516)具有至少一个接片(18-i；218-i；318-i；518-1)，所述至少一个接片从所述至少一个附接点(24-i；124)开始延伸；并且其中，所述至少一个接片(18-i；218-i；318-i；518-1)这样结构化，使得所述至少一个接片具有至少一个第一区段(20-i；220-i)以及至少一个扩宽区段(22-i；222-i；522)用于减小所述弹簧装置(16)的非线性，所述至少一个扩宽区段相对于所述第一区段(20-i；220-i)扩宽。
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公开(公告)号：CN104603936B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201280075757.6
申请日：2012-07-11
CPC classification number: B81C1/00357 , B81B7/0006 , B81B7/0048 , B81B2201/0242 , B81C2203/032 , H01L23/13 , H01L24/32 , H01L2224/2919 , H01L2224/3224 , H01L2224/83385 , H01L2924/1461 , H01L2924/1515 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种装置包括半导体和衬底。衬底具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。衬底具有孔，所述孔从第一表面延伸到第二表面，并且半导体经由所述孔中的粘合剂固定到衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103513059B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201310259186.8
申请日：2013-06-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B7/007 , B81B7/008 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/093 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C1/0023 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种微机电设备包括：主体(4)，容纳微机电结构(8、10)；以及帽(5)，通过导电键合区域(7)键合至主体(4)并且电耦合至微机电结构(8，10)；其中帽(5)包括选择模块(13)，选择模块(13)具有耦合至微机电结构(8、10)的第一选择端子(13a)、第二选择端子(13b)和至少一个控制端子(13c)，并且可以通过控制端子(13c)控制，以选择性地根据与相应运行状况对应的多个耦合配置之一、将第二选择端子(13b)耦合至相应第一选择端子(13a)。
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公开(公告)号：CN107098309A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710032445.1
申请日：2013-09-12
Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 , 快捷半导体公司
IPC: B81B7/02 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L49/02 , B81B1/00 , G01P15/18 , B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01L29/84 , H01L23/522 , G01P15/125 , H01L21/768 , H01L21/786
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0136 , B81B2203/0315 , B81B2207/096 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L23/481 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L29/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN107032297A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710032518.7
申请日：2017-01-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C2201/0177 , B81C2203/0145 , B81C1/00 , B81C1/00341 , B81C1/0038 , G01P15/08
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，第二方法步骤中，调节第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入衬底或罩的吸收部分来封闭进入开口，其特征在于，第四方法步骤中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在衬底或罩表面上沉积或生长，其中，在第五方法步骤中，将空隙引入到衬底或罩中，用于接收第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层。
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公开(公告)号：CN107032288A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610882059.7
申请日：2016-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00285 , B81C2201/0125 , B81C2201/0154 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81C1/00301
Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104909328B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410190811.2
申请日：2014-05-07
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: B81B5/00
CPC classification number: G01C19/5762 , B81B3/0045 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0163 , Y10T74/12
Abstract: 本发明公开一种具有用于旋转元件的折叠弹簧的微机电装置，利用折叠弹簧即能进行旋转运动，该微机电装置包含一旋转元件、至少一限制元件以及至少二折叠弹簧。二折叠弹簧以轴线为中心线而对称配置，每一折叠弹簧具有一移动端及一固定端。移动端连接旋转元件，固定端连接限制元件。由于移动端与固定端不位于轴线上，当旋转元件依一轴线进行旋转时，折叠弹簧的移动端会跟着旋转且弹簧长度也会因而改变。此种具有用于旋转元件的折叠弹簧的微机电装置可应用于各种具有旋转元件的微机电装置，例如加速度计、陀螺仪、微镜面及磁力计等。
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