Cathode structures
    145.
    发明公开
    Cathode structures 失效
    Kathodenstrukturen。

    公开(公告)号:EP0570211A1

    公开(公告)日:1993-11-18

    申请号:EP93303680.8

    申请日:1993-05-12

    CPC classification number: H01J9/025 H01J2201/30426

    Abstract: An electrode structure for a field emission vacuum device comprises an array of emitter tips (1) of micron dimensions protruding from a substrate (6) and an overlying grid layer (5) with an aperture (3) therethrough. A thin coating of material is formed over each tip by evaporation or sputtering of the material. An insulating spacer layer (7) between the substrate and the grid layer also has an aperture (9) encircling each emitter tip, the aperture in the insulating layer being of larger diameter than that in the grid layer, so that the evaporated or sputtered material does not reach the wall of the aperture in the insulating layer to cause a grid/cathode short-circuit. The evaporated or sputtered thin film may be formed of, for example, Pd, Ir or Pt.

    Abstract translation: 用于场发射真空装置的电极结构包括从衬底(6)突出的微米尺寸的发射极尖端(1)阵列和具有穿过其中的孔(3)的上覆栅格层(5)阵列。 通过材料的蒸发或溅射在每个尖端上形成薄的材料涂层。 衬底和栅格层之间的绝缘间隔层(7)还具有围绕每个发射极尖端的孔(9),绝缘层中的孔的直径大于栅格层中的孔,使得蒸发的或溅射的材料 不会到达绝缘层孔径的壁,导致电网/阴极短路。 蒸发或溅射的薄膜可以由例如Pd,Ir或Pt形成。

    Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Spitze aus einem dotierten Halbleitermaterial
    146.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Spitze aus einem dotierten Halbleitermaterial 失效
    一种用于从掺杂的半导体材料产生导电尖端的过程。

    公开(公告)号:EP0493676A1

    公开(公告)日:1992-07-08

    申请号:EP91120164.8

    申请日:1991-11-26

    Abstract: Zur Herstellung einer elektrisch leitenden Spitze (7) aus einem dotierten Halbleitermaterial wird auf einem Substrat (1) aus dem Halbleitermaterial eine Maskenschicht (2, 3, 4) erzeugt, die mindestens an ihrer Oberfläche und unmittelbar auf dem Substrat (1) ein Material enthält, auf dem das Halbleitrmaterial bei einer selektiven Epitaxie nicht aufwächst. In der Maskenschicht (2, 3, 4) wird eine Öffnung (6) erzeugt, in der die Oberfläche des Substrats (1) freiliegt. Auf der freiliegenden Oberfläche des Substrats (1) wird die elektrisch leitende Spitze (7) durch eine selektive Epitaxie erzeugt, bei der das Schichtwachstum in Richtung parallel zur Oberfläche des Substrats (1) geringer ist als in der Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats (1).

    Abstract translation: 为了从半导体材料,掩模层的基底(1)上产生掺杂的半导体材料的导电尖端(7)(2,3,4)中产生,其中至少在其表面上,并直接包含在基板(1)的材料上 在其上Halbleitrmaterial没有选择性外延生长。 在掩模层(2,3,4)具有一个开口(6)产生的,其中所述衬底(1)的表面被暴露。 在所述基板的暴露表面(1)被产生,导电尖端(7)通过选择性外延,其中平行于所述基底的表面的方向(1)的层生长小于垂直的方向(与基板1的表面 )。

    Method of making micro-field emitter device for flat panel display
    149.
    发明授权
    Method of making micro-field emitter device for flat panel display 失效
    制造用于平板显示器的微场发射器件的方法

    公开(公告)号:US07004811B2

    公开(公告)日:2006-02-28

    申请号:US10786766

    申请日:2004-02-24

    Applicant: Yin S. Tang

    Inventor: Yin S. Tang

    Abstract: A device and method for forming a device including electron emitters. The method includes exposing a first face of a sheet of bundled fiber segments to a reactive liquid to allow first ends of the fiber segments to react with the reactive liquid to remove material therefrom. A coating material is deposited on the first face which has the material removed. The method also includes exposing a second face of the sheet of bundled fiber segments to a reactive liquid to allow second ends of the fiber segments to react with the reactive liquid to remove material therefrom to expose the coating material.

    Abstract translation: 一种用于形成包括电子发射器的器件的器件和方法。 该方法包括将片状纤维片段的第一面暴露于反应性液体,以允许纤维段的第一端与反应性液体反应以从中除去材料。 在第一面上沉积涂层材料,其中去除了材料。 该方法还包括将片状纤维段的第二面暴露于反应性液体,以允许纤维段的第二端与反应性液体反应以从其中除去材料以暴露涂层材料。

    Doped field-emitter
    150.
    发明授权
    Doped field-emitter 失效
    掺杂场发射器

    公开(公告)号:US06940218B2

    公开(公告)日:2005-09-06

    申请号:US10637404

    申请日:2003-08-08

    Abstract: A field-emission electron source element includes a cathode substrate, an insulating layer that is formed on the cathode substrate and has an opening, a lead electrode formed on the insulating layer, and an emitter formed in the opening. A surface layer of an electron emitting region of the emitter is doped with at least one reducing element selected from the group consisting of hydrogen and carbon monoxide. Further, an image display apparatus including the above-mentioned field-emission electron source element is provided. This makes it possible to obtain not only a stable field-emission electron source element that does not cause a current drop even after a high current density operation for a long time but also a high-performance image display apparatus that can maintain a stable display performance over a long period of time.

    Abstract translation: 场发射电子源元件包括阴极基板,形成在阴极基板上并具有开口的绝缘层,形成在绝缘层上的引线电极和形成在开口中的发射极。 发射体的电子发射区的表面层掺杂有至少一种选自氢和一氧化碳的还原元素。 此外,提供了包括上述场发射电子源元件的图像显示装置。 这使得不仅可以获得即使在长时间的高电流密度操作之后也不会引起电流下降的稳定的场致发射电子源元件,而且可以获得可以保持稳定的显示性能的高性能图像显示装置 在很长一段时间内。

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