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公开(公告)号：KR1020170087581A
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160007218
申请日：2016-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 이미지센서및 이를제조하는방법을제공한다. 이미지센서는, 액티브영역및 소자분리막을포함하는기판과, 광전변환층, 웰불순물층, 플로팅확산영역및 전송게이트를포함한다. 평면적관점에서, 전송게이트의하부는소자분리막과접하는제1 면과, 제1 면과실질적으로수직인제2 면과, 제1 및제2 면들사이를연결하는제3 면을포함하되, 제3 면은상기플로팅확산영역과마주한다.
Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法。 图像传感器包括具有有源区域和元件隔离膜的基板以及光电转换层，阱杂质层，浮置扩散区域和传输门。 在平面图中，传输门的下部包括与元件隔离膜接触的第一表面，基本上垂直于第一表面的第二表面以及连接第一表面和第二表面的第三表面， 并面向浮动扩散区域。
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公开(公告)号：KR1020170087580A
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160007215
申请日：2016-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 이미지센서를제공한다. 이미지센서는, 다수의픽셀영역들을정의하는소자분리막에대응하는격자구조를갖는차광막을포함한다. 차광막은픽셀영역들각각을노출시키는홀들을포함한다. 차광막은음의전압을인가하는차지펌프와연결된다.
Abstract translation: 提供图像传感器。 图像传感器包括具有与限定多个像素区域的器件隔离膜对应的栅格结构的光屏蔽膜。 遮光膜包括用于暴露每个像素区域的孔。 遮光膜连接到施加负电压的电荷泵。
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163.发明授权포토다이오드 계면에 광흡수 방지층을 구비하는 단위화소, 및 상기 단위화소를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서 有权在光电二极管界面处具有光吸收防止层的单位像素，以及背面照明CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR101729249B1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020100062076
申请日：2010-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 본발명은포토다이오드와반사방지층의계면에광흡수방지층을구비한단위화소, 및상기단위화소를구비하는백사이드일루미네이션 CMOS 이미지센서을 개시한다. 상기단위화소는, 배선층, 상기배선층상부에형성된포토다이오드, 상기포토다이오드상부에형성된광흡수방지층, 및상기광흡수방지층의상부에형성된반사방지층(Anti-Reflection Layer)을구비한다. 상기광흡수방지층은포토다이오드를구성하는반도체보다에너지밴드갭(Eg)이큰 화합물반도체로형성된다.
Abstract translation: 本发明公开了一种在光电二极管和抗反射层之间的界面处具有光吸收防止层的单位像素，以及包括该单位像素的背侧照明CMOS图像传感器。 单位像素包括布线层，形成在布线层上的光电二极管，形成在光电二极管上的光吸收防止层以及形成在光吸收防止层上的防反射层。 光吸收防止层由能带隙（Eg）大于构成光电二极管的半导体的化合物半导体形成。
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164.发明授权빛 샘 보상을 하는 단위이미지센서, 상기 단위이미지센서로 구현된 이미지센서어레이 및 상기 이미지센서어레이의 빛 샘 보상방법 有权一种漏电补偿单元图像传感器图像传感器阵列，包括单位图像传感器和用于补偿图像传感器阵列的漏光的方法
公开(公告)号：KR101703746B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020100053033
申请日：2010-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/361
CPC classification number: H04N5/361 , H04N5/359 , H04N5/3594
Abstract: 본발명은백사이드로입사되는장파장의빛이스토리지다이오드로의영향을최소한으로하는단위이미지센서, 상기단위이미지센서로구현된이미지센서어레이및 상기이미지센서어레이의빛 샘보상방법을개시한다. 상기단위이미지센서는, 포토다이오드(photo diode) 및스토리지다이오드(storage diode)를구비하는백사이드일루미네이션(Backside illumination) 방식이적용되며, 백사이드로인가되는빛은상기포토다이오드의하나의전극을형성하는영역만으로수신하며, 상기포토다이오드의다른전극을형성하는영역및 상기스토리지다이오드의두 개의전극을형성하는영역은웰(Well)에의해서로격리된다.
Abstract translation: 背面照明方式的漏光补偿单元图像传感器包括：光电二极管和存储二极管，其中仅通过形成光电二极管的电极的区域仅接收单元图像传感器背面的光，以及区域 用于形成光电二极管的另一个电极和用于形成存储二极管的两个电极的区域由阱彼此分离，从而补偿光泄漏。
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公开(公告)号：KR1020160022456A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140107842
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L29/4236
Abstract: 씨모스이미지센서가제공된다. 씨모스이미지센서는서로대향하는제 1 면및 제 2 면을갖는제 1 도전형의에피택셜층, 상기에피택셜층의상기제 1 면에서상기제 2 면으로연장되어제 1 픽셀영역및 제 2 픽셀영역을정의하는제 1 소자분리막, 상기제 1 및제 2 픽셀영역들각각의상기에피택셜층내에형성되며, 상기제 1 면에인접하는제 2 도전형의웰 불순물층, 상기웰 불순물층내에형성되는제 2 소자분리막으로서, 상기제 2 소자분리막은상기제 1 및제 2 픽셀영역들각각에서로이격된제 1 및제 2 활성부들을정의하는것, 상기제 1 및제 2 픽셀영역들의상기제 1 활성부들에각각배치되는제 1 및제 2 트랜스퍼게이트들, 상기제 1 및제 2 트랜스퍼게이트들일측의상기제 1 활성부들내에각각형성된제 1 및제 2 플로팅확산영역들, 및상기제 1 및제 2 픽셀영역들을가로지르며, 상기제 1 및제 2 플로팅확산영역들에공통으로연결되는연결배선을포함한다.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器包括：具有第一平面和彼此面对的第二平面的第一导电型外延层; 限定从外延层的第一平面延伸到第二平面的第一像素区域和第二像素区域的第一隔离膜; 第二导电型阱杂质层，其形成在第一和第二像素区域的每个外延层中，并且与第一平面相邻; 形成在所述阱杂质层中的第二隔离膜，并且分别限定在所述第一和第二像素区域中彼此分离的第一和第二有源区; 分别布置在第一和第二像素区域的第一有源区域中的第一和第二传输门; 分别在第一和第二传输门的一侧上形成在第一有源区中的第一和第二浮动扩散区; 以及穿过第一和第二像素区域的连接线，并且共同地连接到第一和第二浮动扩散区域。 本发明的目的是提供具有改进的光学特性的CMOS图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160022087A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140107735
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/359 , H04N5/37457
Abstract: 이미지센서의단위픽셀과이를포함하는픽셀어레이이제공된다. 상기단위픽셀은서로이웃하는제1 포토다이오드및 제2 포토다이오드를포함하는제1 픽셀, 및상기제1 및제2 포토다이오드의측면을완전히둘러싸고, 상기제1 픽셀과인접하는다른픽셀들과상기제1 픽셀을전기적으로분리하는제1 DTI(Deep Trench Isolation)를포함하고, 상기제1 픽셀은, 상기제1 포토다이오드와상기제2 포토다이오드사이에위치하고, 일측이상기제1 DTI와이격되도록형성되는제2 DTI와, 상기제1 및제2 포토다이오드상에위치하고, 상기제1 및제2 포토다이오드와완전히오버랩되는컬러필터와, 상기제1 및제2 포토다이오드와전기적으로연결되는플로팅확산노드를포함하되, 상기제1 및제2 포토다이오드는하나의상기플로팅확산노드를공유한다.
Abstract translation: 提供图像传感器的单位像素和包括单位像素的像素阵列。 单位像素包括：第一像素，其包括彼此相邻的第一光电二极管和第二光电二极管; 以及完全围绕第一和第二光电二极管的侧面的第一DTI（深沟槽隔离），并且将第一像素和与第一像素相邻的其它像素电隔离，其中第一像素包括第二DTI，其位于 第一光电二极管和第二光电二极管，并且具有形成为与第一DTI分离的一侧，位于第一和第二光电二极管上并与第一和第二光电二极管完全重叠的滤色器，以及浮动扩散节点， 电连接到第一和第二光电二极管，并且其中第一和第二光电二极管共享一个浮动扩散节点。
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公开(公告)号：KR1020150130851A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020140058005
申请日：2014-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14641 , H01L27/14603 , H04N5/357 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: 본발명의일 실시예에따른이미지센서는, 동일행에일렬로인접배치된제 1 및제 2 픽셀, 상기제 1 픽셀의구동을제어하는제 1 소스팔로워트랜지스터및 상기제 2 픽셀의구동을제어하는제 2 소스팔로워트랜지스터를포함하며, 상기제 1 소스팔로워트랜지스터및 상기제 2 소스팔로워트랜지스터의배치는서로동일선상(line)에배치되는것을배제한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，图像传感器包括：相邻排列在同一行中的第一和第二像素; 控制第一像素的第一源极跟随器晶体管; 以及第二源极跟随器晶体管，其控制第二像素，其中第一源极跟随器晶体管和第二源极跟随器晶体管布置在同一线上。
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公开(公告)号：KR101543664B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020080123762
申请日：2008-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37452
Abstract: 픽셀어레이및 이를포함하는입체영상센서가개시된다. 본발명의실시예에따른입체영상센서는, 종래의 MOS 구조대신에정션게이트구조를갖는픽셀구조를사용하기때문에광 이용효율이증대될수 있다. 또한, 생성된광전하가웰에저장되기때문에노이즈가크게감소될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150046898A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126449
申请日：2013-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L27/14614 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 이미지소자의제조방법으로, 포토다이오드를포함하는기판에개구부를형성한다. 상기개구부내부표면및 기판상부면을따라게이트절연막및 예비제1 폴리실리콘막을형성한다. 상기개구부내부표면에위치한예비제1 폴리실리콘막에균일하게제1 도전형의불순물이도핑되도록제1 불순물도핑공정을수행하여제1 폴리실리콘막을형성한다. 상기제1 폴리실리콘막상에예비제2 폴리실리콘막을형성한다. 상기예비제2 폴리실리콘막전면에대해제2 불순물도핑공정을수행하여제2 폴리실리콘막을형성한다. 상기제1 및제2 폴리실리콘막을패터닝하여상기개구부에매립게이트전극을형성한다. 상기매립게이트전극의일 측의기판표면부위에제1 불순물영역을형성한다. 상기한이미지소자는균일하게불순물이도핑된매립게이트전극을포함하므로우수한특성을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及图像传感器的制造。 图像传感器的制造方法包括：在具有光电二极管的基板上形成开口部的工序; 沿着基板的开口部分和上表面的内表面形成栅极电介质膜和第一初步多晶硅膜的步骤; 通过进行第一杂质掺杂工艺形成第一多晶硅膜的步骤，其中开口部分的内表面上的初步第一多晶硅均匀地掺杂有第一导电类型的杂质，形成第二初步多晶硅膜的步骤 第一多晶硅膜，通过在第二初步多晶硅膜的前表面上进行掺杂来形成第二多晶硅膜的步骤，通过对第一和第二多晶硅膜进行构图来在开口部分上形成掩埋栅电极的步骤; 以及在所述掩埋栅电极的一侧的所述基板的表面上形成第一杂质区域的工序。 包括均匀掺杂杂质的掩埋栅电极的图像传感器具有优异的特性。
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公开(公告)号：KR1020150029262A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130108175
申请日：2013-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/374
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 동작 방법은 상기 이미지 센서가 각각이 입사광에 따라 생성되는 광전하를 축적하는 포토 다이오드를 포함하는 복수의 픽셀들을 포함하고, 접지 단자에 제1 레벨을 갖는 벌크 제어 신호를 인가하여 상기 포토 다이오드의 포텐셜(potential)을 변경하는 단계, 상기 포토 다이오드에 축적된 광전하를 플로팅 디퓨젼 노드로 전송하는 단계 및 상기 플로팅 디퓨젼 노드의 포텐셜에 따른 픽셀 신호를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 레벨은 0 V가 아닌 레벨이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图像传感器，涉及包括该图像传感器的图像处理系统及其操作方法。 根据本发明的实施例，图像传感器的操作方法包括以下步骤：包括具有光电二极管的多个像素，以累积根据每个入射光产生的光电荷，并通过施加大容量控制来改变光电二极管的电位 信号在接地端子上具有第一电平; 将累积到光电二极管的光电荷传输到浮动扩散节点; 以及根据所述浮动扩散节点的电位产生像素信号，其中所述第一电平是不为0V的电平。
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