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公开(公告)号：CN115335969A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024022.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。
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公开(公告)号：CN113165343A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980076140.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/06 , C09J183/07 , C09J201/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种光照射剥离用粘接剂组合物，其特征在于，能通过照射光而剥离，所述光照射剥离用粘接剂组合物包含粘接剂成分(S)和光吸收性有机化合物(X)，所述光吸收性有机化合物(X)在分子内包含一个以上的芳香族环、一个以上的在环构成原子中包含杂原子的环以及从羰基和硫羰基中选出的一个以上。
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公开(公告)号：CN110573588A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027934.0
申请日：2018-05-23
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/06 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02
Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。
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公开(公告)号：CN119404289A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048256.7
申请日：2023-06-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C08F22/40 , C09D179/08
Abstract: 一种组合物，是包含聚合物和溶剂，且能够形成能够通过除去液而除去的涂膜的、异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物为包含下述式(1)所示的结构单元的聚合物。[在式(1)中，X表示氧原子或NR，R表示氢原子或通过碱而被脱保护的酰亚胺基的保护基。]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113169035B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980075273.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J183/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体(11)与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体(12)隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层(13)和设于所述第二基体(12)侧的第二粘接层(14)进行接合而制成层叠体(10)时，将所述第一粘接层(13)设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂(A)固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层(14)设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂(B)而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。
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公开(公告)号：CN117940849A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059405.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供在半导体装置的制造中能够以基于涂布的简便方法完全覆盖半导体制造用基板(晶片)的端部的保护膜、用于形成该保护膜的保护膜形成组合物、使用该保护膜制造的半导体制造用晶片、该半导体制造用晶片以及半导体装置的制造方法。一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。优选地，所述组合物在25℃具有100cps以下的粘度，具有感光性。优选地，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
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公开(公告)号：CN117157739A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280026155.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有如下化合物和有机硅氧烷聚合物，所述化合物是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有至少一个羟基。
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公开(公告)号：CN115702204A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180042431.2
申请日：2021-06-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L27/20 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08K5/56 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L21/02 , C08K3/04 , C08K3/22 , C09J7/40 , B32B7/06
Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板，透射紫外线；以及粘接层和剥离层，设于半导体基板与支承基板之间，上述剥离层为由剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含：含叔丁氧羰基的乙烯性不饱和单体的聚合物、光致酸产生剂以及溶剂。
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公开(公告)号：CN115335971A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024052.0
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
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公开(公告)号：CN112074931A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029351.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J5/04 , C09J11/06 , C09J183/05 , C09J183/07
Abstract: 本发明的课题是提供在支持体与晶片之间不产生空隙的临时粘接剂。解决手段是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，上述临时粘接剂包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、Tg‑DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂(B)和溶剂(C)。成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，聚有机硅氧烷(a1)包含碳原子数1～10的烷基和碳原子数2～10的烯基，聚有机硅氧烷(a2)包含碳原子数1～10的烷基和氢原子。阻聚剂(B)为式(1)所示的化合物。在式(1)中，R7和R8二者都为碳原子数6～40的芳基，或者二者为碳原子数1～10的烷基与碳原子数6～40的芳基的组合。
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