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公开(公告)号：KR1020100065286A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：KR1020107003980
申请日：2008-08-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B23K20/08 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: B23K20/08 , C23C16/4486
Abstract: Provided is a vaporizer which has a simple structure with improved thermal efficiency. A vaporizer (8) is provided with a nozzle unit (72) for jetting a liquid material in a mist state; a vaporizing unit (76) having a plurality of vaporizing paths (74) which vaporize the material mist and form a material gas; and an ejection head (78) for sending the material gas to the subsequent stages. The vaporizing unit is provided with a vaporizing unit main body (108) wherein the vaporizing paths are formed; a main body container (110) for storing the vaporizing unit main body (108); a heater (112) for heating the material mist passing through the vaporizing paths; and connecting members (114, 116) arranged on the both end sections of the main body container. The vaporizing unit main body and the main body container are composed of a material having thermal conductivity higher than that of the material constituting the connecting members. The end sections of the main body container and the connecting members are bonded by explosion bonding.
Abstract translation: 提供了一种蒸发器，其具有具有改善的热效率的简单结构。 蒸发器（8）设置有用于喷射处于雾状态的液体材料的喷嘴单元（72） 具有多个气化路径（74）的气化单元（76），其蒸发所述材料雾并形成材料气体; 以及用于将材料气体输送到后续级的喷射头（78）。 蒸发单元设置有蒸发单元主体（108），其中形成蒸发路径; 用于储存蒸发单元主体（108）的主体容器（110）; 加热器（112），用于加热通过蒸发路径的物料雾; 以及布置在主体容器的两端部上的连接构件（114,116）。 蒸发单元主体和主体容器由导热率高于构成连接构件的材料的导热性的材料构成。 主体容器和连接构件的端部通过爆炸粘合结合。
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公开(公告)号：KR1020070088501A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020077005091
申请日：2006-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고마츠도모히토
IPC: H01L21/205 , H05B3/06
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68792
Abstract: Disclosed is a substrate stage mechanism (10) on which a substrate is placed in a process chamber of a substrate processing apparatus. This substrate stage mechanism (10) also performs a function of heating the substrate. The substrate stage mechanism (10) comprises a substrate stage (11) having a base (11a) on which a substrate is placed and a heat-generating body (13) provided to the base (11a) for heating the substrate, a supporting member (12) having an upper end joined to the substrate stage (11) and an lower end fixed to the process chamber, and a heating means (17) for heating the supporting member (12). Also disclosed is a substrate processing apparatus comprising a process chamber in which a substrate is placed and a reduced pressure is maintained, the above-described substrate stage mechanism, and a processing mechanism for performing a certain process on the substrate in the process chamber.
Abstract translation: 公开了一种基板台机构（10），基板放置在基板处理装置的处理室中。 该基板台机构（10）还具有加热基板的功能。 基板台机构（10）具有基板台（11），基板（11a）被放置在基板（11a）上，发热体（13）设置在基板（11a）上用于加热基板，支撑部件 （12），其具有接合到所述基板台（11）的上端和固定到所述处理室的下端，以及用于加热所述支撑构件（12）的加热装置（17）。 还公开了一种基板处理装置，其包括其中放置基板并且保持减压的处理室，上述基板台机构和用于在处理室中的基板上执行特定处理的处理机构。
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公开(公告)号：KR100715054B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020057015823
申请日：2004-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/455
Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는, 바닥부를 갖는 진공 가능한 처리용기와, 처리용기 내에 설치되는 탑재대와, 탑재대 상의 기판을 가열하는 가열부와, 처리용기 내에 처리가스를 공급하는 처리가스공급부와, 탑재대와 처리용기의 바닥부 사이의 공간을 둘러싸서, 당해 공간을 처리용기 내의 처리공간으로부터 구획하는 구획부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내로부터 퍼지가스를 배기하는 퍼지가스배기부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내의 압력을 조정하도록, 퍼지가스공급부 및/또는 퍼지가스배기부를 제어하는 제어부와, 처리용기의 바닥부를 관통하여, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내에 삽입되고, 탑재대에 접촉하는 선단부를 갖는 온도검출부를 구비하며, 구획부는 처리용기의 바닥부와 면 접촉하는 하단부를 갖고, 제어부는 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내의 압력을 처리용기 내의 처리공간 내의 압력보다 높게 조정하도록 되어 있다.
Abstract translation: 和处理气体供给到本发明的真空处理装置，并且可以具有一个底部部分真空处理容器，配备在该处理容器中提供了一种用于将处理气体供应到加热单元，以及一个处理容器进行加热载置台的基板， 封闭带的安装底部和处理容器中，并与该分区之间的空间，用于从处理室中的处理空间分隔艺术空间，吹扫气体供给用于供应吹扫气体到由隔壁包围的空间中，分区 并且通过吹扫气体排气和用于控制吹扫气体供给和/或吹扫气体排气部，以调整在由隔板用于从所包围的空间中排出的吹扫气体所包围的空间中的压力的控制器，通过穿透所述处理容器的底部部分 以及温度检测部分，其插入由分隔部分围绕的空间中并具有接触安装台的前端部分， 它具有与容器的底部部分接触，所述控制器适于调整在由比在处理容器内的处理空间中的压力分隔部包围的空间内的高压的底面。
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公开(公告)号：KR100687942B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020057024219
申请日：2004-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고마츠도모히토
CPC classification number: C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y10S55/15
Abstract: 이 트랩 장치는, 반도체 웨이퍼에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 장치(10)내를 진공배기하기 위한 진공 펌프(36)를 갖는 진공 배기계(6)에 개재되어 설치되고, 진공 배기계(6)내를 흐르는 배기 가스중에 포함되는 가스형상의 불순물을 제거하기 위한 트랩 장치에 있어서, 진공 배기계(6)의 배기통로에 개재되어 설치된 불순물 포집용기(50)와, 단열팽창에 의해 초음속 상태가 된 작동 유체를 불어넣어 상기 배기 가스와 혼합시킴과 더불어 상기 불순물 포집용기(50)내에서 상기 불순물의 임계점 이하로 상기 배기 가스의 온도를 저하시키는 노즐 수단(64)을 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020060022277A
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：KR1020057024219
申请日：2004-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고마츠도모히토
CPC classification number: C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y10S55/15
Abstract: A trapping device is disclosed which is arranged in a vacuum exhaust system (6) for removing gaseous impurities contained in the exhaust gas flowing through the vacuum exhaust system (6) which has a vacuum pump (36) for vacuum exhausting a processing unit (10) wherein a certain process is conducted on a semiconductor wafer. The trapping device comprises an impurity collecting chamber (50) arranged along the exhaust passage in the vacuum exhaust system (6) and a nozzle means (64) which injects a working fluid that is in a supersonic state due to adiabatic expansion for mixing the fluid with the exhaust gas and lowering the temperature of the exhaust gas to or below the critical points of the impurities within the impurity collecting chamber (50).
Abstract translation: 公开了一种捕集装置，其布置在真空排气系统（6）中，用于去除流过真空排气系统（6）的排气中含有的气体杂质，该真空排气系统具有用于真空排出处理单元（10）的真空泵（36） ），其中在半导体晶片上进行一定的处理。 捕集装置包括沿着真空排气系统（6）中的排气通道布置的杂质收集室（50）和喷嘴装置（64），其喷射由于绝热膨胀而处于超音速状态的工作流体，用于混合流体 并且将废气的温度降低到或低于杂质收集室（50）内的杂质的临界点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050105249A
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：KR1020057015823
申请日：2004-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45521 , C23C16/455
Abstract: A vacuum processing apparatus is constituted of the following portions: a processing container with the bottom, capable of drawing vacuum; a placement platform installed in the container; a heating portion for heating a substrate on the platform; a processing gas-feeding portion for feeding a processing gas into the container; a partitioning portion surrounding a space between the platform and the bottom of the container and partitioning off the space from a processing space in the container; a purge gas-feeding portion for feeding a purge gas into the space surrounded by the partitioning portion; a purge gas-discharging portion for discharging the purge gas from the space surrounded by the partitioning portion; a control portion for controlling the purge gas-feeding portion and/or the purge gas- discharging portion so as to regulate the pressure in the space surrounded by the partitioning portion; and a temperature-detecting portion penetrating the bottom of the container, inserted in the space surrounded by the partitioning portion, and having the top end in contact with the platform. The partitioning portion has the lower end in surface- contact with the bottom of the container. The control portion regulates the pressure in the space surrounded by the partitioning portion to a pressure higher than that in the processing space in the container.
Abstract translation: 真空处理装置由以下部分构成：具有底部的能够抽真空的处理容器; 安装在容器中的放置平台; 用于加热所述平台上的基板的加热部分; 处理气体供给部，用于将处理气体供给到所述容器中; 围绕所述平台和所述容器的底部之间的空间并将所述空间与所述容器中的处理空间分隔开的分隔部分; 净化气体供给部分，用于将净化气体供给到由分隔部分包围的空间中; 净化气体排出部，用于从由分隔部包围的空间排出净化气体; 用于控制吹扫气体供给部分和/或吹扫气体排出部分以控制由分隔部分围绕的空间中的压力的控制部分; 以及穿过容器底部的温度检测部分，插入到由分隔部分包围的空间中，并且顶端与平台接触。 分隔部分的下端与容器的底部表面接触。 控制部将由分隔部包围的空间的压力调整为比容器内的处理空间高的压力。
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公开(公告)号：KR102107310B1
公开(公告)日：2020-05-06
申请号：KR1020180106309
申请日：2018-09-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
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公开(公告)号：KR101751200B1
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32201
Abstract: 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
Abstract translation: 它提供了一个微波功率损耗和微波炉辐射天线，同时抑制异常放电，可以形成均匀的等离子体，微波等离子体源和等离子体处理装置。 辐射沿腔室中的微波传输传输的微波，和一个微波辐射天线45用于产生表面波等离子体，分别形成在由导体制成，天线主体121，入口的天线主体121的工艺气体 124，气体扩散空间123和被分离，以及多个气体喷出孔125和气体扩散空间中的天线主体121，123和气体排出口125，一个微波传输 它具有安装成环形形状，以包括槽形成所述多个狭槽形成122和天线单元121对应于的微波辐射表面侧区域的环形介电元件（126）。
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公开(公告)号：KR101249654B1
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：KR1020107028657
申请日：2007-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고마츠도모히토
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4581 , C23C16/48 , H01L21/324 , H05B3/143
Abstract: 발열판을, 발열판 수용 용기내에 장착 및 분리 가능하게 마련해서 탑재대를 구성하는 것에 의해, 발열판을 교체, 혹은 교환 가능하게 한 탑재대 구조를 제공한다. 탑재대 구조(29)는, 처리 용기(4)내에 배치되어 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하기 위해서 상기 피처리체를 탑재하는 탑재대(32)와, 상기 탑재대를 상기 처리 용기의 바닥부로부터 기립시켜서 지지하는 통체 형상의 받침대(30)를 가진다. 상기 탑재대(32)는, 전기 가열원으로 이루어지는 발열체(38)를 내열성 재료중에 매립하여 이루어지는 발열판(40)과, 내부에 상기 발열판을 장착 및 분리 가능하게 수용하는 내열 내부식성 재료로 이루어지는 발열판 수용 용기(42)를 가진다. 발열판 수용 용기(42)는 개구를 가지는 용기 본체(76)와, 용기 본체(76)에 부착된 덮개부(78)를 포함한다. 이에 의해, 발열판(40)을 교체, 혹은 교환 가능하게 한다.
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