Abstract:
기존의 계측 장치에 있어서의 검출 한계 이하의 미소한 이물이라도 안정하고 또한 정확하게 검출할 수 있는 범용성이 높은 이물 검출 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 할로겐 원소를 함유하는 유지형상 물질 또는 유기용매를 분무하고, 웨이퍼 W의 표면 온도를 조정해서 분무된 유지형상 물질 또는 유기용매를 웨이퍼 W 표면에 부착된 파티클 P의 주위에 응축시켜 파티클 P를 강조하고, 강조된 파티클 P를 표면 검사 장치를 이용해서 광학적으로 검출한다.
Abstract:
본 발명은 탑 코트층으로서 형성된 용사 피막의 박리를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 용기 내부재를 제공하는 것이다. 기재(71)와 용사 피막(72) 사이에, 할로겐 원소를 포함하는 프로세스 가스에 대하여 내(耐)부식성이 우수한 재료로 이루어지는 배리어 코트층(73)을 형성하고, 이 배리어 코트층(73)을 수지 또는 졸겔법을 이용해 봉공(封孔) 처리한다.
Abstract:
PURPOSE: An inner member of a plasma treatment vessel is provided to restrain the delamination of a sprayed coating layer by preventing a base member from being exposed to process gas or cleaning solutions using a barrier coating layer and resin. CONSTITUTION: An inner member of a plasma treatment vessel includes a base member(71) and a coating layer(72) formed by performing ceramic spraying on the base member. The coating layer includes a main layer(73) and a barrier coating layer(74) between the base member and the main layer. The ceramic of the coating layer contains at least one selected from a group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Cr, Y, Zr, Ta, Ce, and Nd. The coating layer is partially sealed with resin.
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for detecting an abnormal state are provided to improve the accuracy of determining abnormal discharges by detecting the abnormal discharges from sampling data. CONSTITUTION: A monitor(72) detects the operation while a wafer is separated and a return gate valve is opened. The monitor considers the operation as the movement that the wafer is separated. An obtaining unit(73) obtains a high frequency signal from a RF sensor, and an AE signal from an AE sensor. The obtaining unit detects acoustic emission generated from a process chamber. An interpreter(74) interprets the waveform patterns of the AE signal and high frequency signal. An abnormal state determining unit(75) determines whether or not abnormal discharges occur based on the result of interpreting the waveform patterns. [Reference numerals] (14) DC high voltage; (36) Return gate valve; (60) Directivity combining unit; (61) AE sensor; (62) Noise elimination filter; (71) Plasma processing controller; (72) Monitor; (73) Obtaining unit; (74) Interpreter; (75) Abnormal state determining unit; (76) Memory; (AA) Pin; (BB) Threshold
Abstract:
동일한 기판에서 미소 이물질의 검출과 성분 분석을 실행할 수 있는 이물질 검출 방법을 제공한다. 광학식 이물질 검사 장치(13), 전자빔 조사 장치(14), 수증기 공급 유닛(15) 및 압력 제어 밸브(17)를 구비하는 이물질 검출 장치(10)에 있어서, 웨이퍼(W)의 온도 및 해당 웨이퍼의 표면을 둘러싸는 분위기 중의 수증기압을 제어하는 것에 의해 파티클(P)의 주위에 선택적으로 수분을 결로시키고, 그 후에 웨이퍼(W)의 온도를 저하시키면서, 상기 수증기압을 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착되어 있지 않은 경우의 포화증기압 곡선을 초과하지 않도록 제어하여 결로한 수분으로부터 얼음의 결정(T)을 발생 및 성장시키며, 웨이퍼(W)의 표면을 광학적으로 검사하고, 검사 대상인 파티클(P)의 위치를 특정하고, 얼음의 결정(T)을 증발시켜서 제거하고, 나아가 특정된 파티클(P)의 성분을 전자빔을 사용하여 분석한다.
Abstract:
플라즈마를 이용해서 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서로 다른 복수의 프로세스를 실행함에 있어서 장치의 공용화를 도모하는 것, 또한 복수의 장치에서 동일한 프로세스를 실행함에 있어서 장치간의 플라즈마의 상태를 용이하게 맞추는 것을 제공한다. 처리 용기내의 피 처리 기판을 절연재로 이루어지는 링부재로 둘러싸고, 이 링부재내에 플라즈마의 시스 영역을 조정하기 위한 전극을 설치하고, 예컨대 피 처리 기판에 대하여 제 1 프로세스를 실행할 때에는 해당 전극에 제 1 직류 전압을 인가하고, 제 2 프로세스를 실행할 때에는 제 2 직류 전압을 인가하는 구성으로 한다. 이 경우, 각 프로세스 또는 동일한 프로세스를 실행하는 각 장치에 따라서 적절한 직류 전압을 인가함으로써 플라즈마의 상태를 맞출 수 있으므로, 장치의 공용화를 도모할 수 있고, 또한 플라즈마의 상태의 조정을 용이하게 할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for detecting scattered particles is provided to purify a member by scattering the particles attached to a member in a decompression process chamber. CONSTITUTION: The particles scattered from a member in a decompression process chamber(100) is detected. A light source irradiates incident light to the decompression process chamber to pass through the space over the member. A light detecting unit detects scattered light caused by the particles, installed at a predetermined angle with the incident light. The member may be a stage(110) for mounting a substrate to be processed. The incident light is irradiated in parallel with the stage.
Abstract:
PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to adjust a plasma state in every process and commonly use an apparatus with respect to a plurality of different process treatments by applying a predetermined DC voltage to an electrode in a ring member composed of an insulator. CONSTITUTION: The ring member is composed of an insulating material installed to surround a substrate to be processed on a mounting table. The electrode(51) is installed in the ring member. A DC power source applies a DC voltage to the electrode to adjust a plasma sheath region above the ring member.