이물 검출 방법, 장치 및 기억 매체
    11.
    发明授权
    이물 검출 방법, 장치 및 기억 매체 有权
    用于检测外部材料和储存介质的方法和装置

    公开(公告)号:KR101122978B1

    公开(公告)日:2012-03-16

    申请号:KR1020090109931

    申请日:2009-11-13

    CPC classification number: H01L21/67288 G01N21/91 G01N21/94 G01N21/9501

    Abstract: 기존의 계측 장치에 있어서의 검출 한계 이하의 미소한 이물이라도 안정하고 또한 정확하게 검출할 수 있는 범용성이 높은 이물 검출 방법을 제공한다.
    웨이퍼 W의 표면에 할로겐 원소를 함유하는 유지형상 물질 또는 유기용매를 분무하고, 웨이퍼 W의 표면 온도를 조정해서 분무된 유지형상 물질 또는 유기용매를 웨이퍼 W 표면에 부착된 파티클 P의 주위에 응축시켜 파티클 P를 강조하고, 강조된 파티클 P를 표면 검사 장치를 이용해서 광학적으로 검출한다.

    플라즈마 처리 용기 내부재
    13.
    发明公开
    플라즈마 처리 용기 내부재 有权
    具有等离子体处理容器耐腐蚀性的阻挡层涂层的内部构件

    公开(公告)号:KR1020040048343A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:KR1020030085691

    申请日:2003-11-28

    Abstract: PURPOSE: An inner member of a plasma treatment vessel is provided to restrain the delamination of a sprayed coating layer by preventing a base member from being exposed to process gas or cleaning solutions using a barrier coating layer and resin. CONSTITUTION: An inner member of a plasma treatment vessel includes a base member(71) and a coating layer(72) formed by performing ceramic spraying on the base member. The coating layer includes a main layer(73) and a barrier coating layer(74) between the base member and the main layer. The ceramic of the coating layer contains at least one selected from a group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Cr, Y, Zr, Ta, Ce, and Nd. The coating layer is partially sealed with resin.

    Abstract translation: 目的:提供等离子体处理容器的内部构件,以通过使用阻挡涂层和树脂防止基底部件暴露于处理气体或清洁溶液来抑制喷涂层的分层。 构成:等离子体处理容器的内部构件包括通过在基底构件上进行陶瓷喷涂而形成的基底构件(71)和涂层(72)。 涂层包括主层和主层之间的主层(73)和阻挡涂层(74)。 涂层的陶瓷含有选自B,Mg,Al,Si,Ca,Cr,Y,Zr,Ta,Ce和Nd中的至少一种。 涂层用树脂部分密封。

    이상 검출 장치 및 이상 검출 방법
    15.
    发明公开
    이상 검출 장치 및 이상 검출 방법 无效
    异常检测单元和异常检测方法

    公开(公告)号:KR1020130007469A

    公开(公告)日:2013-01-18

    申请号:KR1020120069186

    申请日:2012-06-27

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for detecting an abnormal state are provided to improve the accuracy of determining abnormal discharges by detecting the abnormal discharges from sampling data. CONSTITUTION: A monitor(72) detects the operation while a wafer is separated and a return gate valve is opened. The monitor considers the operation as the movement that the wafer is separated. An obtaining unit(73) obtains a high frequency signal from a RF sensor, and an AE signal from an AE sensor. The obtaining unit detects acoustic emission generated from a process chamber. An interpreter(74) interprets the waveform patterns of the AE signal and high frequency signal. An abnormal state determining unit(75) determines whether or not abnormal discharges occur based on the result of interpreting the waveform patterns. [Reference numerals] (14) DC high voltage; (36) Return gate valve; (60) Directivity combining unit; (61) AE sensor; (62) Noise elimination filter; (71) Plasma processing controller; (72) Monitor; (73) Obtaining unit; (74) Interpreter; (75) Abnormal state determining unit; (76) Memory; (AA) Pin; (BB) Threshold

    Abstract translation: 目的:提供一种用于检测异常状态的方法和装置,以通过检测来自采样数据的异常放电来提高确定异常放电的精度。 构成:监视器(72)在晶片分离并且返回闸阀打开时检测操作。 显示器将操作视为晶片分离的运动。 获取单元(73)从RF传感器获得高频信号和从AE传感器获得的AE信号。 获取单元检测从处理室产生的声发射。 解释器(74)解释AE信号和高频信号的波形模式。 异常状态确定单元(75)基于解释波形图案的结果来确定是否发生异常放电。 (附图标记)(14)直流高压; (36)返闸阀; (60)方向性组合单元; (61)AE传感器; (62)消噪滤波器; (71)等离子处理控制器; (72)监控; (73)获取单位; (74)口译员 (75)异常状态判定单元; (76)记忆; (AA)针; (BB)阈值

    이물질 검출 방법, 이물질 검출 장치, 이물질 검출 시스템 및 기억 매체
    16.
    发明授权
    이물질 검출 방법, 이물질 검출 장치, 이물질 검출 시스템 및 기억 매체 有权
    异物检测方法,异物检测装置,异物检测系统以及存储介质

    公开(公告)号:KR101057866B1

    公开(公告)日:2011-08-19

    申请号:KR1020090063576

    申请日:2009-07-13

    Abstract: 동일한 기판에서 미소 이물질의 검출과 성분 분석을 실행할 수 있는 이물질 검출 방법을 제공한다. 광학식 이물질 검사 장치(13), 전자빔 조사 장치(14), 수증기 공급 유닛(15) 및 압력 제어 밸브(17)를 구비하는 이물질 검출 장치(10)에 있어서, 웨이퍼(W)의 온도 및 해당 웨이퍼의 표면을 둘러싸는 분위기 중의 수증기압을 제어하는 것에 의해 파티클(P)의 주위에 선택적으로 수분을 결로시키고, 그 후에 웨이퍼(W)의 온도를 저하시키면서, 상기 수증기압을 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착되어 있지 않은 경우의 포화증기압 곡선을 초과하지 않도록 제어하여 결로한 수분으로부터 얼음의 결정(T)을 발생 및 성장시키며, 웨이퍼(W)의 표면을 광학적으로 검사하고, 검사 대상인 파티클(P)의 위치를 특정하고, 얼음의 결정(T)을 증발시켜서 제거하고, 나아가 특정된 파티클(P)의 성분을 전자빔을 사용하여 분석한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种异物检测方法,能够检测同一基板上的微粒和分析成分。 的光学异物检查装置13中,电子束照射装置14,蒸汽供应单元15和异物检测装置10,该温度时,压力控制阀17,和晶片(W),具有晶片 通过控制周围大气,表面,之后的蒸气压冷凝在粒子(P)的外周选择性的水分,同时降低在晶片(W)的温度,而不是水蒸汽压力是粘附到晶片的表面上的颗粒 所述颗粒(P)受试者sikimyeo的位置来控制,以便不通过由光学检查某些情况下产生和从水中生长的冰晶体(T),并且检查晶片(W)的表面上以超过缩合的饱和蒸气压力曲线,该曲线 ,冰的晶体(T)被蒸发并除去,此外,使用电子束分析特定粒子(P)的组分。

    플라즈마 처리 장치, 링부재 및 플라즈마 처리 방법
    17.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치, 링부재 및 플라즈마 처리 방법 有权
    等离子体处理装置,环形构件和等离子体处理方法

    公开(公告)号:KR100540051B1

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:KR1020040008149

    申请日:2004-02-07

    CPC classification number: H01J37/32642 H01J37/32706 H01L21/67069

    Abstract: 플라즈마를 이용해서 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 서로 다른 복수의 프로세스를 실행함에 있어서 장치의 공용화를 도모하는 것, 또한 복수의 장치에서 동일한 프로세스를 실행함에 있어서 장치간의 플라즈마의 상태를 용이하게 맞추는 것을 제공한다.
    처리 용기내의 피 처리 기판을 절연재로 이루어지는 링부재로 둘러싸고, 이 링부재내에 플라즈마의 시스 영역을 조정하기 위한 전극을 설치하고, 예컨대 피 처리 기판에 대하여 제 1 프로세스를 실행할 때에는 해당 전극에 제 1 직류 전압을 인가하고, 제 2 프로세스를 실행할 때에는 제 2 직류 전압을 인가하는 구성으로 한다. 이 경우, 각 프로세스 또는 동일한 프로세스를 실행하는 각 장치에 따라서 적절한 직류 전압을 인가함으로써 플라즈마의 상태를 맞출 수 있으므로, 장치의 공용화를 도모할 수 있고, 또한 플라즈마의 상태의 조정을 용이하게 할 수 있다.

    감압 처리실내의 부재 청정화 방법과, 청정도 평가방법과, 청정화 종점 검출 방법과, 기판 처리 장치 및비산 미립자 검출 장치
    18.
    发明公开
    감압 처리실내의 부재 청정화 방법과, 청정도 평가방법과, 청정화 종점 검출 방법과, 기판 처리 장치 및비산 미립자 검출 장치 有权
    用于在分解过程室中净化成员的方法,用于测量纯度的方法,用于检测终点净化的方法,基板处理装置以及用于检测散粒成分的散射颗粒的装置

    公开(公告)号:KR1020050022359A

    公开(公告)日:2005-03-07

    申请号:KR1020040066689

    申请日:2004-08-24

    CPC classification number: H01L21/67028 B08B3/12 H01J37/32862 H01L21/6831

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting scattered particles is provided to purify a member by scattering the particles attached to a member in a decompression process chamber. CONSTITUTION: The particles scattered from a member in a decompression process chamber(100) is detected. A light source irradiates incident light to the decompression process chamber to pass through the space over the member. A light detecting unit detects scattered light caused by the particles, installed at a predetermined angle with the incident light. The member may be a stage(110) for mounting a substrate to be processed. The incident light is irradiated in parallel with the stage.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于检测散射颗粒的装置,通过将附着在构件上的颗粒散布在减压处理室中来净化构件。 构成:检测从减压处理室(100)中的构件散射的粒子。 光源将入射光照射到减压处理室以穿过构件上方的空间。 光检测单元检测由与入射光以预定角度安装的颗粒所引起的散射光。 构件可以是用于安装待处理衬底的台架(110)。 入射光与舞台平行地照射。

    플라즈마 처리 장치, 링부재 및 플라즈마 처리 방법
    19.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치, 링부재 및 플라즈마 처리 방법 有权
    等离子体处理装置,环形构件和等离子体处理方法,用于在各种过程中调整等离子体状态,并且与常规使用装置相关的多种不同的工艺处理方法

    公开(公告)号:KR1020040072467A

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:KR1020040008149

    申请日:2004-02-07

    CPC classification number: H01J37/32642 H01J37/32706 H01L21/67069

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to adjust a plasma state in every process and commonly use an apparatus with respect to a plurality of different process treatments by applying a predetermined DC voltage to an electrode in a ring member composed of an insulator. CONSTITUTION: The ring member is composed of an insulating material installed to surround a substrate to be processed on a mounting table. The electrode(51) is installed in the ring member. A DC power source applies a DC voltage to the electrode to adjust a plasma sheath region above the ring member.

    Abstract translation: 目的:提供一种等离子体处理装置,用于在每个过程中调节等离子体状态,并且通过对由绝缘体组成的环形构件中的电极施加预定的DC电压,通常使用关于多个不同工艺处理的装置。 构成:环形构件由安装成围绕要安装台上要加工的基板的绝缘材料构成。 电极(51)安装在环状部件中。 直流电源向电极施加直流电压,以调整环件上方的等离子体护套区域。

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