公开(公告)号：KR1020070057148A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: A plasma processing system for treating a substrate includes a processing chamber including a first chamber portion configured to receive a first gas for providing a plasma space, and a second chamber portion configured to receive a second gas for providing a process space having process chemistry to treat the substrate. A substrate holder is coupled to the second chamber portion of the processing chamber, and configured to support the substrate proximate the process space, and a plasma source is coupled to the first chamber portion of the processing chamber, and configured to form a plasma in the plasma space. A grid is located between the plasma space and the process space, and configured to permit the diffusion of the plasma between the plasma space and the process space in order to form the process chemistry from the process gas.

Abstract translation: 用于处理衬底的等离子体处理系统包括处理室，该处理室包括构造成容纳用于提供等离子体空间的第一气体的第一室部分和被配置为接收第二气体的第二室部分，用于提供具有处理化学物质的处理空间以处理 底物。 衬底保持器联接到处理室的第二室部分，并且被配置成在接近处理空间的位置支撑衬底，并且等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置成在处理室中形成等离子体 等离子体空间 栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体在等离子体空间和处理空间之间的扩散，以便从工艺气体形成工艺化学物质。

公开(公告)号：KR1020060085334A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：KR1020067005339

申请日：2004-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  사무까와 세이지

Inventor： 사무까와세이지 ,  노자와도시히사

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/452 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3145

Abstract: Disclosed is a film-forming apparatus (10) which comprises a plasma generation chamber (14) for producing a plasma wherein the pressure is increased by a process gas, a film formation chamber (20) wherein a substrate is contained and a film is formed on the substrate, and a separation plate (17) for separating the plasma generation chamber (14) and the film formation chamber (20) which plate has a plurality of holes. The holes of the separation plate (17) are formed to have a diameter such that the pressure in the plasma generation chamber (14) is 2.0 or more times higher than the pressure in the film formation chamber (20). The film-forming apparatus (10) further comprises a means for applying a certain bias voltage between the plasma generation chamber (14) and the film formation chamber (20).

Abstract translation: 公开了一种成膜装置（10），其包括用于产生等离子体的等离子体产生室（14），其中压力由处理气体增加，成膜室（20），其中容纳基底并形成膜 和用于分离等离子体产生室（14）和成膜室（20）的分离板（17），该板具有多个孔。 分离板（17）的孔形成为具有使得等离子体生成室（14）中的压力比成膜室（20）中的压力高2.0倍以上的直径。 成膜装置（10）还包括用于在等离子体产生室（14）和成膜室（20）之间施加一定偏压的装置。

公开(公告)号：KR100297358B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019920013069

申请日：1992-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세가와마고또 ,  마쓰시다다까야 ,  호리오까게이지 ,  하세가와이사히로 ,  노자와도시히사 ,  이시가와요시오 ,  히라스까마사히또 ,  가네꼬사또시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266

Abstract: 마그네트론플라즈마에칭장치에는실리콘웨이퍼(10)를재치하고또, 전극으로서기능하는서셉터가배설된다. 서셉터의주위에는웨이퍼보다도큰 외경을갖고또, 이것보다도전기정항이낮은카본링이배설된다. 카본링은서셉터와전기적으로접속된다. 카본링에의해에칭처리의웨이퍼면내균일성이향상된다.

Abstract translation: 磁控管等离子体蚀刻装置被安装到所述硅晶片10并且还设置在基座其功能如同一个电极。 围绕基座站立，晶片具有更大的外径比此外，该术语是低于jeongijeong碳环布置。 Eunseo碳环被连接到在基座和电。 蚀刻处理的晶片的面内均匀性是由碳环改善。

公开(公告)号：KR1019930005111A

公开(公告)日：1993-03-23

申请号：KR1019920014931

申请日：1992-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 노자와도시히사 ,  호리오까게이지 ,  하세가와이사히로

IPC: H01L21/20

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019920003819A

公开(公告)日：1992-02-29

申请号：KR1019910012349

申请日：1991-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 노자와도시히사 ,  아라미쥰이찌 ,  하세가와이사히로 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H05H1/03

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920003815A

公开(公告)日：1992-02-29

申请号：KR1019910012352

申请日：1991-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아라미쥰이찌 ,  노자와도시히사 ,  호리오까게이지 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H05H1/00

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1020160052336A

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：KR1020150148531

申请日：2015-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  노자와도시히사 ,  야마시타고헤이

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 본발명은, 배치대의회전중심으로부터배치대의직경방향에있어서의피처리기판의막 두께의균일성을향상시키는것을목적으로한다. 개시하는성막장치는, 기판을배치하고, 축선(X)을중심으로회전하는배치대와, 제1 영역에있어서하면이배치대에대향하도록설치되고, 내부에제1 및제2 버퍼공간을갖는유닛(U)과, 제1 및제2 버퍼공간에공급되는전구체가스의유량을독립적으로제어하는유량제어기를구비한다. 유닛(U)의하면에는, 제1 버퍼공간으로연통되고, 제1 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는내측분사부(161a)와, 제2 버퍼공간으로연통되고, 제2 버퍼공간에공급된전구체가스를분사하는복수의분사구(16h)를포함하는중간분사부(162a)가마련된다. 내측분사부(161a)에포함되는분사구(16h)는모두중간분사부(162a)에포함되는분사구(16h)보다도축선(X)에가까운위치에마련된다.

Abstract translation: 提供本发明用于提高从放置台的旋转中心沿着放置台的直径方向的被处理基板的膜厚的均匀性。 公开的成膜装置包括：放置台，其布置基板并围绕轴线（X）旋转; 单元（U），其安装成具有位于第一区域中的放置台的下侧并且具有内部的第一和第二缓冲空间; 以及流量控制器，其独立地控制供应到第一和第二缓冲空间的前体气体的流动。 单元（U）的下侧布置有：连接到第一缓冲空间的内部喷射单元（161a），并且包括喷射供应到第一缓冲空间的前体气体的多个喷射孔（16h） 和连接到第二缓冲空间的中间喷雾单元（162a），并且包括喷射供给到第二缓冲空间的前体气体的多个喷射孔（16h）。 包括在内部喷雾单元（161a）中的所有喷射孔（16h）布置在比包括在中间喷射单元（162a）中的喷射孔（16h）更靠近轴线（X）的位置。

公开(公告)号：KR1020160030364A

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：KR1020150124872

申请日：2015-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3288 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치의처리용기내의모퉁이부에부착된막을효율적으로박리시키는것을과제로한다. 처리가스를플라즈마화시켜웨이퍼(W)를처리하는플라즈마처리장치(1)는, 웨이퍼(W)를기밀하게수용하는처리용기(2)와, 처리용기(2)의바닥면에설치되고, 웨이퍼(W)를배치하는서셉터(10)와, 처리용기(2) 내에처리가스또는퍼지가스중 적어도어느하나를공급하는가스공급관(50)과, 처리용기(2) 내에서처리가스의플라즈마를생성하는레이디얼라인슬롯안테나(3)와, 처리용기(2) 내부를, 배기관(22)을통해배기하는배기기구(21)와, 처리용기(2) 내의모퉁이부에대하여초음파진동을인가하는초음파진동발생기구(70)를갖는다.

Abstract translation: 本发明涉及附着在等离子体处理装置的处理容器内的角部上的膜的有效剥离。 将处理气体形成等离子体并处理晶片（W）的等离子体处理装置（1）包括：气密地接收晶片（W）的处理容器（2） 设置在处理容器（2）的底面并设置晶片（W）的感受体（10）; 供给管道（50），其将所述处理气体和净化气体中的至少一个供给到所述处理容器（2）中; 产生处理容器（2）内的处理气体的等离子体的径向线槽天线（3）; 排出装置（21），其通过排气（22）将气体从处理容器中排出; 以及超声振动产生装置（70），其对处理容器（2）内的角部施加超声波振动。

公开(公告)号：KR1020150073086A

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020140177590

申请日：2014-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  사이토다케히사 ,  야마기시고지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511

Abstract: 기판처리장치의처리용기내에처리가스를도입할때에, 상기처리가스가경유하는확산실내에서의가스의흐름을최적화함으로써, 처리용기내에도입되는처리가스의균일화를행한다. 처리가스에의해피처리체를처리하는기판처리장치로서, 피처리체를수용하는처리용기와, 상기처리용기내에마련되고, 피처리체를배치하는배치부와, 상기처리용기의측면에마련되며, 상기처리용기의내부에처리가스를공급하는처리가스공급부와, 상기처리가스공급부의외방에마련되는처리가스확산기구를구비하고, 상기처리가스확산기구는다단으로마련된제1 확산실과제2 확산실로구성되며, 상기제1 확산실은상기제2 확산실의상방에위치하고, 이들제1 확산실과제2 확산실은복수의처리가스연통로를통해연통하고있는것을특징으로하는, 기판처리장치가제공된다.

Abstract translation: 当处理气体被引入基板处理装置的处理容器中时，工艺气体通过的扩散室中的气流被优化，从而使引入到处理容器中的处理气体相等。 提供了一种通过处理气体处理物体的基板处理装置，该处理气体包括存储该物体的处理容器; 形成在处理容器中的布置部件，并且布置该物体; 处理气体供给部，其形成在所述处理容器的侧面，并且将所述处理气体供给到所述处理容器内; 以及处理气体扩散工具，其形成在处理气体供给部分的外侧，其中处理气体扩散工具由多级形成的第一扩散室和第二扩散室组成，第一扩散室位于 第二扩散室和第一扩散室和第二扩散室通过多个处理气体连接路径连接。

公开(公告)号：KR1020150037889A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157001975

申请日：2013-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이와사키마사히데 ,  이와오도시히코

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834

Abstract: 일실시형태의성막장치는, 배치대, 처리용기, 가스공급부및 플라즈마생성부를구비한다. 배치대는, 그복수의기판배치영역이둘레방향으로이동하도록축선을중심으로회전가능하게설치되어있다. 처리실은, 배치대를수용하고있고, 제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에의해축선에대하여둘레방향으로이동하는기판배치영역은, 제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역의위쪽에있어서도파로를구획하는 1 이상의도파관과, 그 1 이상의도파관에접속된마이크로파발생기와, 1 이상의도파관의하측도체부에형성된복수의개구를통과하여제2 영역까지연장된유전체제의복수의돌출부를포함한다. 복수의돌출부는, 상기축선에대하여방사방향으로배열되어있다.