公开(公告)号：KR1020100024357A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020090077701

申请日：2009-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데아키 ,  사노사토시

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R3/00 ,  G01R1/07342

Abstract: PURPOSE: A probe polishing method, a program thereof, and probe apparatus are provided to detect abnormal material on upper face of a wafer and to eliminate foreign material authentically from a grinding wafer. CONSTITUTION: A first accepting unit(20) accepts a grinding wafer. An image capturing unit(19A) photographs the upper side of the grinding wafer loaded on a mounting unit. A second accepting unit(21) accepts the grinding wafer detecting the foreign material with a imaging device.

Abstract translation: 目的：提供探针抛光方法，程序和探针装置，以检测晶片上表面的异常材料，并从研磨晶片真正消除异物。 构成：第一接受单元（20）接受研磨晶片。 图像拍摄单元（19A）拍摄加载在安装单元上的研磨晶片的上侧。 第二接受单元（21）接受用成像装置检测异物的研磨晶片。

公开(公告)号：KR1020100014162A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020090070209

申请日：2009-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데아키

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2894 ,  G01R31/2887

Abstract: PURPOSE: An inspecting method and a program for an object to be inspected are provided to improve the operation efficiency of a tester by using a second test efficiently. CONSTITUTION: A mounting table(11) is moved to an X, Y, and Z and &thgr; direction. A probe card(12) is arranged on a main chuck. An alignment tool(13) aligns the position of a wafer and a probe card at the mounting table. The mounting table and the alignment apparatus align the electrical pad of each device of wafer under a control device. The mounting table feeds a wafer to inspect the electrical property of each device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检查对象的检查方法和程序，以通过有效地使用第二测试来提高测试者的操作效率。 构成：将安装台（11）移动到X，Y和Z， 方向。 探针卡（12）布置在主卡盘上。 对准工具（13）在安装台对准晶片和探针卡的位置。 安装台和对准装置将晶片的每个装置的电焊盘对准控制装置。 安装台供给晶片以检查每个设备的电气特性。

公开(公告)号：KR1019980023914A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960078047

申请日：1996-12-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데아키 ,  아베유이치

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체웨이퍼에 형성된 반도체소자나 액정표시체 등의 피검사체의 전기적 검사를 실시하는 검사장치에 관한 것으로서,
피검사체를 검사하는 검사수단을 갖는 검사섹션과, 복수의 피검사체가 안에 수용된 용기를 지지하는 지지수단과, 이 용기와 상기 검사섹션의 사이에서 피검사체를 반송하는 반송수단을 갖는 로더섹션과, 반송수단이 용기내의 피검사체를 꺼내어 검사섹션에 반송하고 검사수단이 반송된 피검사체를 검사하며, 반송수단이 검사된 피검사체를 상기 용기 또는 다른 용기내에 반송하도록 상기 검사수단과, 지지수단과, 반송수단을 각각 제어하는 제어수단과,
표시화면과, 상기 제어수단의 제어를 완수하게 하는 조작수단을 갖는 표시장치와, 검사시에 상기 피검사체의 소재장소 및 검사의 진보상황을 포함하는 피검사체의 상태를 상기 표시장치의 표시화면에 리얼타임으로 표시시키는 상태표시처리수단을 구비하고, 이 상태표시처리수단은 상기 로더섹션에 있어서의 상기 피검사체의 상태를 점검하는 동시에 그 상태를 표시처리하는 로더상태표시처리수단과, 상기 검사섹션에서의 상기 피검사체의 상태를 점검하는 동시에 그 상태를 표시처리하는 검사상태표시처리수단을 갖는 검사장치로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060105675A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.

公开(公告)号：KR101302914B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：KR1020090070209

申请日：2009-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데아키

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2894 ,  G01R31/2887

Abstract: 본 발명은 첫회의 검사에서 특정의 디바이스 D에 있어서 규칙적으로 검사 불량이 발생한 경우, 2회째의 검사에서 그 검사 불량이 디바이스 D에 원인이 있는지 아닌지를 판단할 수 있고, 더 나아가서는 양품률을 향상시킬 수 있는 피검사체의 검사 방법 및 피검사체의 검사용 프로그램을 제공한다. 본 발명의 검사 방법은 제어 장치(14)의 제어 하에, 웨이퍼 W를 탑재하는 탑재대(11)를 이동시켜, 웨이퍼 W의 2개의 디바이스 D에 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)를 전기적으로 접촉시켜, 모든 피검사 디바이스 D에 대해 전기적 특성 검사를 실행할 때, 모든 피검사 디바이스 D의 전기적 특성 검사를 종료한 후, 복수의 프로브(12A)가 접촉하는 2개의 디바이스 D중, 2개째의 디바이스 D에서 검사 불량이 발생되고 있는 경우에는 모든 디바이스 D에 대해 재검사를 실행하고, 재검사시에, 프로브 카드(12)와 웨이퍼 W가 접촉하는 금회의 접촉 위치를, 전회의 검사에서의 접촉 위치로부터 디바이스 1개분만큼 어긋나게 해서 디바이스 D의 전기적 특성 검사를 2개분씩 실행하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101237665B1

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：KR1020090072978

申请日：2009-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히데아키 ,  후카사와유키히코

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2891

Abstract: 본 발명의 프로브 방법은 웨이퍼 W의 경사 방향으로 배열된 4개의 칩 C에 복수의 프로브(12A)를 전기적으로 접촉시켜 동시에 4개씩 검사를 실행할 때에, 웨이퍼 W의 센터 칩 Cc를 포함하는 제 1 기준 경사 칩 열(L1) 및 이 좌측 상부측에 평행하게 배열된 복수의 경사 칩 열을 각각 구하고, 각각에 복수의 프로브(12A)를 정수배해서 배치하여 각 경사 칩 열의 콘택트 위치를 각각 설정하는 공정과, 제 1 기준 경사칩 열(L1)의 우측 하부측에 있어서 제 2 기준 경사 칩 열(L3) 및 이 제 2 기준 경사 칩 열(L3)에 평행하게 배열된 복수의 경사 칩 열에 대해 제 1 공정과는 반대 방향으로 콘택트 위치를 설정하는 공정과, 콘택트 위치의 설정에 의거하여 복수의 인덱스 그룹 및 검사의 순번을 설정하는 공정을 구비하고 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种探测方法，其特征在于，在将所述探针配置为与包含连续配置在倾斜方向上的四个芯片的芯片行进行接触的情况下，使得所述探针卡一次测试四个芯片， 并且包含位于晶片中心的中心芯片和多个第一附加倾斜芯片行，该第一附加倾斜芯片行与第一参考斜芯片行平行布置在第一参考斜芯片行的上侧，并且设置在第一参考斜芯片列的上侧之间的接触位置 探针和第一倾斜芯片排，其中接触位置是通过移动探针而获得的探针的位置; 在与第一步相反的方向上设置探针与第二倾斜芯片排之间的接触位置; 并设置多个索引组和测试顺序。