Abstract:
A semiconductor device, wherein a substrate (51) is formed in a rectangular shape with four sides along dicing lines, and a jetty part (56) is formed to surround all the peripheries of an actuator element (50) and electrode pads (54) and (55) for input/output. The jetty part (56) is formed in a rectangular shape with four sides, and each side thereof is continuously extended parallel with each side of the substrate (51). Since the adhesion of a protective tape (9) can be increased by the jetty part (56), foreign matters (104) produced in dicing can be prevented from adhering to the actuator element (50) and the electrode pads (54) and (55).
Abstract:
다방향의 자유도를 갖는 미소 구조체에 대하여, 가동부에 직접 접촉하지 않고 각 자유도 방향의 특성의 동적 시험을 실시할 수 있는 검사 장치를 제공한다. 기판(8) 상에 형성된 가동부(16a)를 갖는 적어도 1 개의 미소 구조체(16)의 특성을 평가하는 미소 구조체의 검사 장치로서, 상기 미소 구조체(16)의 전기 신호를 취출하기 위하여, 미소 구조체(16)에 형성된 패드(8a)에 전기적으로 접속하는 프로브(4a)와, 미소 구조체(16)의 가동부(16a)의 근방에 배치되어, 기체를 분출 또는 흡입하는 복수의 노즐(10)과, 상기 복수의 노즐(10)로부터 분출 또는 흡입되는 기체의 유량을 제어하는 노즐 유량 제어부(3)와, 노즐(10)로부터 분출 또는 흡입되는 기체에 의해 인가된 가동부(16a)의 변위를, 프로브(4a)를 거쳐 얻어지는 전기 신호에 의해 검출하고, 검출 결과에 기초하여 미소 구조체(16)의 특성을 평가하는 평가 수단을 구비한다. 검사장치, 프로브, 노즐
Abstract:
본 발명은 관통 기판은 표면(11)과 이면(12)을 관통하는 관통 구멍(19)을 갖는 실리콘 기판(10)과, 관통 구멍(19)의 내벽면을 따라 설치된 실리콘 산화막(13)과, 실리콘 산화막(13)의 내벽면에 형성된 Zn 및 Cu의 층(14, 15)과, Zn 및 Cu의 층(14, 15)의 내벽면을 따라, 사이에 절연층(16)을 통해, Cu의 시드 층(17)으로부터 성장된 Cu의 도금층(18)을 갖는 것을 목적으로 한다. 그 결과 크로스토크에 의해 노이즈를 배제할 수 있는 관통 전극을 제공할 수 있다. 관통 기판, 인터포저, 절연층, 도금층, 노이즈
Abstract:
본 발명은 간편한 방식으로 미소한 가동부를 갖는 미소 구조체를 고정밀도로 검사하는 프로브 카드 및 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 프로브 카드(6)는 스피커(2)와, 프로브 침(4)을 고정하는 회로 기판(100)을 포함하고, 회로 기판(100)에 스피커(2)가 적재된다. 그리고, 회로 기판(100)에는 개구 영역이 설치되고, 그 위에 스피커(2)를 적재함으로써 테스트 음파가 미소 구조체의 가동부에 대하여 출력된다. 그리고, 이 테스트 음파에 따라 가동부가 움직임으로써 변화하는 전기적 특성 변화를 프로브 침(4)에 의해 검출하여 미소 구조체의 특성을 검사한다.
Abstract:
인터포저의 제조 방법에 있어서는, 기판(10)의 이면(12)측의 관통 구멍(13)의 개구부에 시드층(14)을 형성하고, 그 시드층(14)을 기초로 도금용 전극층(15)을 형성하며, 그곳으로부터 기판(10)의 표면(11)측으로 도금층(16)을 형성하여 관통 구멍(13)을 매립한다. 그 결과, 제조 공정이 간단하고, 또한 관통 구멍의 내부에 블로우홀이 생기지 않는 인터포저의 제조 방법을 제공할 수 있다. 인터포저, 시드층, 도금층, 블로우홀
Abstract:
A speaker unit (2) has a plurality of sound sources so that a sound wave is outputted from each of the sound sources. The arrival of the sound wave as a compressional wave outputted from the speaker unit (2), i.e., an air vibration moves a movable portion of a 3-axis acceleration sensor which is a minute structure of a detection chip TP. A change of the resistance value changing according to this motion is measured according to the output voltage given via a probe (4). A control unit (20) judges the characteristic of the 3-axis acceleration sensor according to the measured characteristic value, i.e., the measurement data. Moreover, an interval between a plurality of sound sources is set to a predetermined value according to a distance difference to the 3-axis acceleration sensor and a wavelength of the test sound wave, so that a test sound wave as a synthesized wave is applied to the movable portion so as to maximize a synthesized sound field of the synthesized sound wave.
Abstract:
An interposer producing method comprises the steps of forming a seed layer (14) in the opening in a through-hole (13) on the back (12) side of a base plate (10), forming a plating electrode layer (15) on the basis of the seed layer (14), and forming a plated layer (16) on the face (11) side of the base plate (10) to fill the through-hole (13). As a result, it is possible to provide an interposer producing method in which the production process is easy and no blowhole is produced in the through-hole.
Abstract:
제 1 연산 증폭기 OP 1 의 귀환 회로에 콘덴서 C 및 임피던스 변환기 H iz 가 직렬로 삽입되고, 해당 콘덴서와 변환기의 접속점에 신호선 L을 거쳐서 용량 센서의 전극 P 1 이 접속된다. 신호선 L은, 저항값이 높은 저항 R 3 을 거쳐서 소정의 기준 전위에 접속되어 있다. 귀환 회로에 콘덴서가 삽입된 경우, 신호선이 플로팅 상태로 되어 회로 동작이 불안정해지지만, 신호선 L이 고저항 R 3 을 거쳐서 소정의 전위에 고정되기 때문에, 동작이 안정화한다. 임피던스 변환기를 볼티지폴로워로 구성하고, 그 출력에 저항 R 3 을 접속해도 좋다.
Abstract:
교류 전압 발생기(11)와, 비반전 입력 단자가 소정의 전위(본 예에서는, 접지)에 접속된 연산 증폭기(14)와, 임피던스 변환기(16)와, 교류 전압 발생기(11)와 연산 증폭기(14)의 반전 입력 단자 사이에 접속되는 저항(R1)(12)과, 연산 증폭기(14)의 반전 입력 단자와 임피던스 변환기(16)의 출력 단자 사이에 접속되는 저항(R2)(13)과, 연산 증폭기(14)의 출력 단자와 임피던스 변환기(16)의 입력 단자 사이에 접속되는 임피던스 소자(콘덴서)(15)를 구비하는 정전 용량 검출 회로(10)로서, 피검출 콘덴서(17)는 임피던스 변환기(16)의 입력 단자와 소정의 전위 사이에 접속되어 있다.
Abstract:
기준 참조 전압(Vref0)을 아날로그 승산기(11)에서 n승하여, 참조전압(Vref1)을 얻는다. Vref1을 아날로그 승산기(12), (13)에서 순차적으로 n승하여 Vref2, Vref3을 얻는다. Vref0∼Vref3을 스위치군(38)∼(41)에서 제어하여, 센서 회로(2)의 입력 전압(Vin)과 함께 아날로그 승산기(14)에 입력한다. 아날로그 승산기(14)의 곱셈 결과(Vx)와 센서 회로(2)의 출력 전압(Vout)을 비교기(15)에서 순차 비교하여 디지털 출력값(Dout)을 얻는다. 아날로그 승산기(14)는 적당히 설정한다.