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    실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막의 적층 방법, 그리고 성막 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
    11.
    发明公开
    실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막의 적층 방법, 그리고 성막 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
    沉积氧化硅膜和硅酸盐膜的方法，膜形成装置及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020120112081A

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：KR1020120030450

    申请日：2012-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 엔도아츠시 ,  구로카와마사키 ,  이리우다히로키

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

    CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/67309 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A depositing method for a silicon oxide film and a silicon nitride film, a film forming apparatus, and a manufacturing method for a semiconductor device are provided to prevent bending of a substrate even if the deposition number of the silicon nitride film and the silicon oxide film increases. CONSTITUTION: A ceiling plate(102) is installed on a ceiling within a process chamber(101). A manifold(103) is connected to a bottom opening portion of the process chamber. The manifold supports a bottom portion of the process chamber. A table(108) opens and closes the bottom opening portion of the manifold. The table is supported on a rotary shaft(110) passing through a cover portion(109). [Reference numerals] (114a) Silicon source gas supply source; (114b) Silicon oxide source gas supply source; (114c) Source gas supply source containing a nitration agent; (114d) Source gas supply source containing an oxidizing agent; (114e) Source gas supply source containing boron; (120) Inert gas source gas supply source; (132) Exhaust mechanism; (150) Controller; (151) User interface; (152) Memory portion

    Abstract translation: 目的：提供一种用于氧化硅膜和氮化硅膜的沉积方法，成膜设备和用于半导体器件的制造方法，以防止基板的弯曲，即使氮化硅膜和硅的沉积次数 氧化膜增加。 构成：顶板（102）安装在处理室（101）内的天花板上。 歧管（103）连接到处理室的底部开口部分。 歧管支撑处理室的底部。 台（108）打开和关闭歧管的底部开口部分。 桌子被支撑在穿过盖部分（109）的旋转轴（110）上。 （114a）硅源气体供给源; （114b）氧化硅源气体供给源; （114c）含有硝化剂的源气源; （114d）含有氧化剂的源气体供给源; （114e）含硼的源气源; （120）惰性气体源气源; （132）排气机构; （150）控制器; （151）用户界面; （152）存储器部分

    성막 장치 및 그 운용 방법
    13.
    发明授权
    성막 장치 및 그 운용 방법 有权
    电影成型装置及其操作方法

    公开(公告)号：KR101614408B1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：KR1020120109844

    申请日：2012-10-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 엔도아츠시 ,  미즈나가사토시 ,  오츠카타케히로

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271

    Abstract: (과제) 처리용기내의처리공간에접하는부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제할수 있는성막장치의운용방법을제공한다. (해결수단) 처리용기(2) 내에서보유지지(保持) 수단(22)에보유지지된피(被)처리체(W)의표면에카본막을성막하는성막공정을행함과함께불필요한카본막을제거하기위해클리닝가스로클리닝공정을행하도록한 성막장치의운용방법에있어서, 성막공정에앞서, 처리용기내의처리공간에접하는부재의표면에카본막(74)의밀착성을향상시키고그리고클리닝가스에대하여내성을갖는내성프리코팅막(70)을형성한다. 이에따라, 카본막의밀착성을향상시키고, 게다가불필요한카본막을제거하는클리닝처리를행해도내성프리코팅막을잔존시킨다.

    종형 배치식 성막 장치
    14.
    发明公开
    종형 배치식 성막 장치 有权
    垂直成型薄膜成型设备

    公开(公告)号：KR1020120112082A

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：KR1020120030451

    申请日：2012-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 엔도아츠시 ,  구로카와마사키 ,  이리우다히로키

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22

    CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271

    Abstract: PURPOSE: A vertical batch-type film depositing apparatus is provided to control the difference between a deposition amount to a semiconductor wafer piled on an upper end of a wafer boat and a deposition amount to the semiconductor wafer piled on a bottom end of the wafer boat. CONSTITUTION: A process chamber(101) integrally performs deposition for a plurality of processed objects(W). A heater(131) heats the plurality of processed objects received to the process chamber. An exhaust device(130) exhausts the inside of the process chamber. A receiving container(102) receives the process chamber. A gas supply device(120) supplies process gas to the inside of the receiving container. [Reference numerals] (126a) Silicon source gas supply source; (126b) Source gas supply source containing an oxidizing agent; (126c) Source gas supply source containing a nitration agent; (126d) Source gas supply source containing boron; (126e) Inert gas source gas supply source; (130) Exhaust mechanism; (150) Controller; (151) User interface; (152) Memory portion

    Abstract translation: 目的：提供一种垂直分批式成膜装置，用于控制堆积在晶片舟皿上端的半导体晶片的沉积量与堆叠在晶片舟皿底端的半导体晶片的沉积量之间的差异 。 构成：处理室（101）整体地执行多个处理物体（W）的沉积。 加热器（131）将接收到处理室的多个处理对象加热。 排气装置（130）排出处理室的内部。 接收容器（102）接收处理室。 气体供给装置（120）向处理容器的内部供给处理气体。 （126a）硅源气体供给源; （126b）含有氧化剂的源气体供给源; （126c）含有硝化剂的源气体供给源; （126d）含硼的源气源; （126e）惰性气体源气体供应源; （130）排气机构 （150）控制器; （151）用户界面; （152）存储器部分

    처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법
    16.
    发明授权
    처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법 有权
    用于处理系统的处理系统和操作方法

    公开(公告)号：KR100680863B1

    公开(公告)日：2007-02-09

    申请号：KR1020057014229

    申请日：2004-02-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

    Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

    Abstract: 본 발명에 따른 처리시스템은, 내부에 피처리기판이 올려 놓아지는 반응용기와, 기판처리시에 상기 반응용기 내로 처리가스를 공급하는 처리가스공급기구, 클리닝 시에 상기 반응용기 내로 부식성을 가진 클리닝가스를 공급하는 클리닝가스공급기구, 상기 반응용기에 접속된 배기로 부재, 상기 반응용기 및 상기 배기로 부재 중의 특정한 일부분을 가열하는 가열수단, 상기 특정한 일부분의 온도를 검출하는 온도검출수단, 이 온도검출수단에 의해 검출된 검출 값을 기초로 상기 특정한 일부분이 소정의 목표온도로 되도록 상기 가열부재를 제어하는 온도제어수단 및, 상기 목표온도를 기판처리 시와 클리닝 시로 변경하는 온도변경수단을 구비하고 있다. 상기 목표온도는 상기 온도변경수단에 의해, 기판처리 시에서는 당해 특정한 일부분에 반응 부생성물이 부착되는 것이 억제될 수 있는 온도로 되는 한편, 클리닝 시에는 당해 특정한 일부분의 부식이 억제될 수 있는 온도로 된다.

    처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법
    18.
    发明公开
    처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법 有权
    用于处理系统的处理系统和操作方法

    公开(公告)号：KR1020050097969A

    公开(公告)日：2005-10-10

    申请号：KR1020057014229

    申请日：2004-02-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

    Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

    Abstract: A treating system comprising a reaction vessel having a substrate to be treated placed therein, a mechanism for supplying a treating gas into the reaction vessel when a substrate is treated, a mechanism for supplying a corrosive cleaning gas into the reaction vessel at cleaning, an exhaust-path member connected to the reaction vessel, a heating means for heating the reaction vessel and a specific part of the exhaust-path member, a means for detecting the temperature of the specific part, a temperature control means for controlling the heating means based on a detection value detected by the temperature detecting means so that the specific part reaches a specified target temperature, and a temperature changing means for changing the target temperature according to different steps --- substrate treating and cleaning. The target temperature is set by the temperature changing means to one at which the deposition of a reaction byproduct on the specific part can be prevented at substrate treating, while it is set to one at which the corrosion of the specific part can be prevented at cleaning.

    Abstract translation: 一种处理系统，包括具有待处理基板的反应容器，用于在处理基板时将处理气体供应到反应容器中的机构，用于在清洁时将腐蚀性清洁气体供应到反应容器中的机构，排气 连接到反应容器的平台部件，用于加热反应容器和排气通道部件的特定部分的加热装置，用于检测特定部件的温度的装置，用于基于以下步骤控制加热装置的温度控制装置： 由温度检测装置检测出的特定部位达到规定的目标温度的检测值，以及根据不同的步骤改变目标温度的温度改变装置 - 基板处理和清洁。 目标温度由温度变化装置设定为在基板处理时可以防止在特定部分上沉积反应副产物的目标温度，同时将其设定为可以在清洁时防止特定部分的腐蚀的温度 。

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