公开(公告)号：KR101475546B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020100006725

申请日：2010-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  오오야요시노부 ,  오카모토신 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697

Abstract: 형상성좋고, 또한높은에칭레이트로피에칭막을에칭해서고어스펙트비의홀을형성할수 있는플라즈마에칭방법을제공하는것이다. 플라즈마에칭에의해에칭대상막에홀을형성하는데있어서, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을온으로해서처리용기내에플라즈마를생성하고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 1 조건과, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을오프로해서처리용기내의플라즈마를소멸시키고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 2 조건을교대로반복하고, 제 1 조건에의해플라즈마중의양이온에의해에칭을진행시키고, 제 2 조건에의해음이온을생성하고, 직류전압에의해음이온을상기홀 내에공급함으로써홀 내의양전하를중화한다.

公开(公告)号：KR1020110097706A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020110016251

申请日：2011-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모치키히로마사 ,  오카모토신 ,  니시지마다카시 ,  야마자키후미오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 내부에 플라즈마가 발생하는 처리실, 해당 처리실 내부에 배치된 탑재대, 해당 탑재대에 대향해서 상기 처리실 내부에 배치된 전극, 상기 처리실 내부에 제 １ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 1 고주파 전원, 상기 탑재대에 상기 제 １ 고주파 전력보다 주파수가 낮은 제 ２ 고주파 전력을 인가하기 위한 제 2 고주파 전원, 상기 전극에 직류 전력을 인가하기 위한 직류 전원을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 에칭 대상막과, 그 에칭 대상막 상에 형성된 마스크막을 갖는 기판에 에칭 처리를 실시하는 에칭 처리 방법이 제공된다. 상기 에칭 처리 방법은, 상기 기판상의 마스크막에 형성된 패턴의 형상을 개량하는 패턴 형상 개량 스텝과, 상기 패턴의 형상이 개량된 마스크막을 이용하여 상기 에칭 대상막을 플라즈마로 에칭하는 대상막 에칭 스텝을 갖는다. 또한, 상기 패턴 형상 개량 스텝에서는, 상기 마스크 막을 플라즈마로 에칭하고, 상기 대상막 에칭 스텝에서는, 상기 직류 전력을 상기 전극에 인가하는 동시에, 상기 제 ２ 고주파 전력을 상기 탑재대에 제 1 전력 레벨과 상기 제 1 전력 레벨보다 낮은 제 2 전력 레벨이 반복되는 펄스파 형상으로 인가한다.

公开(公告)号：KR100782621B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: 진공 챔버(1)내에 Ar 가스를 공급하고, 이 상태에서, 우선 고주파 전원(11)으로부터 탑재대(2)(하부 전극)에, 예컨대 300 W 등의 비교적 낮은 고주파 전력을 공급하여, 약한 플라즈마를 발생시키고, 반도체 웨이퍼(W)에 작용시켜 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 축적된 전하의 상태를 조정한다. 이 때, 전하가 이동하기 쉽게 하기 위해, 정전척(4)에의 직류 전압(HV)의 인가를 행하지 않는다. 이 후, 정전척(4)에의 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 후 2000 W 등의 통상의 처리용의 높은 고주파 전력을 공급하여, 강한 플라즈마를 발생시키고, 통상의 플라즈마 처리를 행한다. 이에 의해, 피처리 기판에 발생하는 표면 아킹의 발생을 방지하여, 종래와 비교하여 생산성의 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR100260589B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019950030201

申请日：1995-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카모토신 ,  이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  고이즈미마키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G03F7/091 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: 에칭방법은, 웨이퍼상에 피에칭층을 형성하고, 이 피에칭층을 난반사 방지막으로 덮고, 이 난반사 방지막을 포토레지스트막으로 덮는 공정과, 포토레지스트막을 패터닝 노광하는 공정과, 노광된 포토레지스트막을 현상하고, 난반사 방지막이 노출하는 패턴개구부를 형성하는 공정과, 웨이퍼를 챔버 내에 반입하고, 챔버 내를 배기하여 감압분위기로 하고, O
2 가스 및 N
2 가스 중 적어도 한쪽과 C
4 F
8 가스와의 혼합가스를 처리실내에 도입하여, 이 혼합가스의 플라즈마를 생성시키고, 플라즈마 중의 활성종을 웨이퍼에 작용시켜서, 이에 의해 패턴개구부의 주위측벽의 포토레지스트막을 실질적으로 에칭하지 않고, 패턴개구부에 노출한 난반사 방지막을 에칭하고, 피에칭층을 에칭하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020050058464A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: Argon gas is supplied into a vacuum chamber (1). Keeping this condition, relatively small high-frequency power such as 300W is supplied to a platform (2) (lower electrode) from a high-frequency power supply (11) in order to produce a weak plasma which acts on a semiconductor wafer (W) so as to adjust the condition of charge built up within it (W). During this adjustment, no DC voltage (HV) is applied to an electrostatic chuck (4) for ease of charge movement. Thereafter a direct current voltage is started to be applied to the electrostatic chuck (4), and then strong high-frequency power such as 2000W for a normal processing is supplied to produce a strong plasma, performing a normal processing. Thus, surface arching that possibly occurs in the processed substrate is avoided, improving the productivity compared to the conventional ones.

Abstract translation: 将氩气供应到真空室（1）中。 保持这种状态，从高频电源（11）向平台（2）（下电极）提供相对较小的高频功率（例如300W），以产生作用在半导体晶片（W）上的弱等离子体 ），以便调整其中积聚的电荷的条件（W）。 在该调整期间，为了便于充电移动，不将静电卡盘（4）施加直流电压（HV）。 此后，开始向静电吸盘（4）施加直流电压，然后提供诸如2000W的强大的高频功率进行正常处理以产生强等离子体，进行正常处理。 因此，避免了可能发生在处理过的衬底中的表面拱形，从而提高了与传统衬底相比的生产率。

公开(公告)号：KR100430189B1

公开(公告)日：2004-05-03

申请号：KR1019997003072

申请日：1997-10-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  니시아라데츠야 ,  이나자와고우이치로 ,  오카모토신

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: An etching gas is supplied into a process chamber (16) and turned into plasma so as to etch a silicon nitride film (12) arranged on a field silicon oxide film (4) on a wafer (w). A mixture gas containing at least CH2F2 gas and O2 gas is used as the etching gas. Parameters for planar uniformity, by which the etching apparatus is set in light of a set value of the planar uniformity, include the process pressure and the mixture ratio (CH2F2/O2) of the mixture gas. As the set value of the planar uniformity is more strict, either one of the process pressure and the mixture ratio is set higher.

Abstract translation: 蚀刻气体被供给到处理室（16）中并变成等离子体，以蚀刻在晶片（w）上的场氧化硅膜（4）上布置的氮化硅膜（12）。 使用至少包含CH 2 F 2气体和O 2气体的混合气体作为蚀刻气体。 蚀刻装置根据平面均匀性的设定值设定的面均匀性参数包括处理压力和混合气体的混合比（CH 2 F 2 / O 2）。 由于平面均匀性的设定值更严格，所以处理压力和混合比中的任一个设定得更高。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030051720A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020037005351

申请日：2001-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  오카모토신 ,  이나자와고이치로 ,  슈에마사도모키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 1층 이상의 저 유전상수 막과 1층 이상의 하드 마스크를 사용하는 이중 상감 구조의 에칭 방법에 있어서, 쇼울더 마모를 방지하기 위해서 상기 하드 마스크 상에 최종적인 구조중에 잔류하지 않는 더미 막을 적어도 1층 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 이중 상감 구조의 에칭 방법을 제공한다. 그에 따라, 하드 마스크의 쇼울더 마모를 억제 가능한 이중 상감 구조의 에칭 방법이 가능해진다.

Abstract translation: 在通过使用至少一层低k膜和至少一层硬掩模来实现双镶嵌结构的蚀刻方法中，最终不留在双镶嵌结构中的伪膜形成在 在硬掩模上至少有一层，以防止肩部下垂。 通过采用这种方法，可以通过蚀刻来实现其中硬掩模处的肩部凹陷程度最小化的双镶嵌结构。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019960012337A

公开(公告)日：1996-04-20

申请号：KR1019950030201

申请日：1995-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카모토신 ,  이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  고이즈미마키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G03F7/091 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: 에칭방법은, 웨이퍼상에피에칭층을형성하고, 이피에칭층을난반사방지막으로덮고, 이난반사방지막을포토레지스트막으로덮는공정과, 포토레지스트막을패터닝노광하는공정과, 노광된포토레지스트막을현상하고, 난반사방지막이노출하는패턴개구부를형성하는공정과, 웨이퍼를챔버내에반입하고, 챔버내를배기하여감압분기로하고, O가스및 N가스중 적어도한쪽과 CF가스와의혼합가스를처리실내에도입하여, 이혼합가스의플라즈마를생성시키고, 플라즈마중의활성종을웨이퍼에작용시켜서, 이에의해패턴개구부의주위측벽의포토레지스트막을실질적으로에칭하지않고, 패턴개구부에노출한난반사방지막을에칭하고, 피에칭층을에칭하는공정을구비한다.

Abstract translation: 蚀刻方法，以形成晶片状外延蚀刻层，两脚覆盖蚀刻层膜扩散，覆盖防反射膜沂南过程是一个光致抗蚀剂膜，光处理，以形成抗蚀剂图案进行曝光的膜，并显影曝光的光致抗蚀剂膜 通过形成图案开口于膜漫射曝光的步骤，以使晶片插入腔室和排气腔室压力分支和O介绍了气体，和N 2气体的混合气体的CF气体中的至少一种在处理室中 并且，它被称为创建离婚总和气体的等离子体，并且通过活性物质的血浆到晶片中的动作，并且因此而基本上不蚀刻所述图案中的开口的侧壁周边的光致抗蚀剂，防止漫反射通过，P暴露于图案中的开口膜 并蚀刻蚀刻层。