公开(公告)号：KR1020170087426A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：KR1020170009829

申请日：2017-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3464 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/3065

Abstract: 기판을에칭하는방법이기술된다. 이방법은, 플라즈마처리시스템의처리공간내의제1 및제2 물질에노출되는표면을갖는기판을배치하는단계와, 상기제2 물질을제거하는속도보다큰 속도로제1 물질을선택적으로제거하도록변조플라즈마에칭공정을실행하는단계를포함한다. 상기변조플라즈마에칭공정은, 상기플라즈마처리시스템에제1 전력레벨로고주파(RF) 신호를인가하는것과, 상기플라즈마처리시스템에제2 전력레벨로 RF 신호를인가하는것과, 상기플라즈마처리시스템에제3 전력레벨로 RF 신호를인가하는것을포함하는순차적전력인가스텝을갖는전력변조사이클을포함한다. 그후, 전력변조사이클이적어도 1 사이클이상반복되며, 각변조사이클은변조시간주기를갖는다.

Abstract translation: 描述了蚀刻基板的方法。 此方法中，调节等离子体选择性地去除步骤和更大的速率升至第一材料比除去定位具有在等离子体处理系统的处理空间暴露于第一mitje第二材料的表面的基底的速度的第二材料 并执行蚀刻工艺。 调制等离子体蚀刻工艺，以及所施加的射频（RF）信号，以第一功率电平haneungeot到等离子体处理系统，并且所施加的RF信号到所述第二功率电平haneungeot的等离子体处理系统，包括：所述等离子体处理系统 并且具有顺序功率施加步骤的功率调制周期包括施加功率级别为3的RF信号。 然后，功率调制周期重复至少一个周期，并且每个调制周期具有调制时间周期。

公开(公告)号：KR101755077B1

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020140113923

申请日：2014-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타무라아키노리 ,  오타케히로토 ,  스즈키에이지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 산화실리콘으로구성된제1 영역과실리콘으로구성된제2 영역을갖는피처리체로부터제1 영역을선택적으로제거하는방법이제공된다. 이방법은복수회의시퀀스를실시한다. 각시퀀스는, 피처리체를수용한처리용기내에서, 수소, 질소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성하여, 제1 영역의일부를변질시켜, 변질영역을형성하는공정(a)과, 처리용기내에서변질영역을제거하는공정(b)을포함한다. 또한, 복수회의시퀀스중 첫회보다나중의정해진횟수이후의시퀀스가, 변질영역을형성하는공정(a) 전에, 처리용기내에서발생시킨환원성가스의플라즈마에피처리체를노출하는공정(c)을더 포함한다.

Abstract translation: 提供了从具有由氧化硅构成的第一区域和由硅构成的第二区域的待加工物体选择性地去除第一区域的方法。 该方法执行多个序列。 每个序列是在一个处理容器容纳的目标对象，并且生成所述含有处理气体的氢，氮和氟的等离子体，从而劣化第一区域的一部分，所述步骤（a）以形成改变的区域中， 和（b）去除处理容器中的改变区域。 此外，工件暴露于它是在处理容器中产生后序列的给定数量后的序列的多次的多个第一时间的还原气体的等离子体，所述步骤之前的步骤（a），以形成退化区域（c）包括euldeo 的。

公开(公告)号：KR1020150026962A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020140113923

申请日：2014-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타무라아키노리 ,  오타케히로토 ,  스즈키에이지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 산화실리콘으로 구성된 제1 영역과 실리콘으로 구성된 제2 영역을 갖는 피처리체로부터 제1 영역을 선택적으로 제거하는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수 회의 시퀀스를 실시한다. 각 시퀀스는, 피처리체를 수용한 처리 용기 내에서, 수소, 질소 및 불소를 함유하는 처리 가스의 플라즈마를 생성하여, 제1 영역의 일부를 변질시켜, 변질 영역을 형성하는 공정(a)과, 처리 용기 내에서 변질 영역을 제거하는 공정(b)을 포함한다. 또한, 복수 회의 시퀀스 중 첫회보다 나중의 정해진 횟수 이후의 시퀀스가, 변질 영역을 형성하는 공정(a) 전에, 처리 용기 내에서 발생시킨 환원성 가스의 플라즈마에 피처리체를 노출하는 공정(c)을 더 포함한다.

Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于从具有由硅氧化物构成的第一区域和由硅组成的第二区域的被处理物体中选择性地去除第一区域的方法。 该方法执行多个序列。 每个序列包括（a）通过在容纳待处理物体的处理容器内产生含有氢，氮和氟的处理气体的等离子体来形成劣化区域的过程，并使第一区域的一部分劣化; 和（b）除去加工容器内的劣化区域的处理。 此外，在多个序列之后的比第一序列晚的确定序列之后的序列还包括（c）在成形处理（a）之前将待处理物体暴露于在处理容器内产生的还原气体的等离子体的处理 恶化地区。

公开(公告)号：KR1020150016498A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147030699

申请日：2013-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도무라미츠히로 ,  기타무라아키노리 ,  히가시츠츠미신지 ,  오타케히로토 ,  츠카모토다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/32136

Abstract: 다층막을 에칭할 때에 이용하는 마스크를 양호하게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 플라즈마 에칭 방법은, 붕소가 도핑된 비정질 카본을 에칭하는 방법으로서, 염소 가스와 산소 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 사용하고, 배치대(3)의 온도를 100℃ 이상으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140107603A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020147020737

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라레이안젤리크데니스 ,  모리다쿠야 ,  오타케히로토

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/6656

Abstract: 스페이서 에칭 공정을 수행하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법은 기판 상의 게이트 구조 위에 스페이서 물질을 등각적으로 도포하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽을 따라 위치한 스페이서 측벽을 유지하면서, 게이트 구조의 캡핑 영역 및 게이트 구조의 베이스에 인접한 기판 상의 기판 영역으로부터 스페이서 물질을 부분적으로 제거하기 위해 스페이서 에칭 공정 순서(sequence)를 수행하는 단계를 포함한다. 이 스페이서 에칭 공정 순서는, 스페이서 산화층을 형성하기 위해 스페이서 물질의 노출면을 산화시키는 단계, 기판 상의 기판 영역에서의 스페이서 물질 및 게이트 구조의 캡핑 영역에서의 스페이서 물질로부터 스페이서 산화층을 이방적으로 제거하기 위해 제 1 에칭 공정을 수행하는 단계, 및 게이트 구조의 측벽에 스페이서 측벽을 남겨 두기 위해 기판 상의 기판 영역 및 게이트 구조의 캡핑 영역으로부터 스페이서 물질을 선택적으로 제거하도록 제 2 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.