公开(公告)号：KR1020160088816A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004684

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: (과제) 개구의폐색을방지하면서, 질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정으로서, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는, 상기제 1 공정과, 피처리체를수용한처리용기내에있어서, 산소함유가스및 불활성가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 2 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 3 공정을포함한다. 이방법에서는, 제 1 공정, 제 2 공정, 및제 3 공정을포함하는시퀀스가반복하여실행된다.

Abstract translation: 提供了一种用于在防止堵塞开口的情况下，相对于由氮化硅构成的第二区域蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。 根据实施例的方法包括：在存储目标物体的处理室中产生含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第一过程，并且在目标物体上形成含有碳氟化合物的沉积物; 在与目标物体一起存储的处理室中产生含有含氧气体和惰性气体的处理气体的等离子体的第二工序; 以及通过沉积物中所含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域的第三过程。 重复执行包括第一，第二和第三处理的序列。

公开(公告)号：KR1020150031227A

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020147030897

申请日：2013-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3065

Abstract: 웨이퍼 상에 적층된 실리콘 산화막층을, 상기 실리콘 산화막 상에 형성된 실리콘 마스크를 마스크로 하여 플라즈마 에칭 처리하는 방법으로서, CF 함유 가스의 플라즈마에 의해 실리콘 산화막층(3)의 에칭 처리를 행하고, 계속해서, Si 함유 가스의 플라즈마에 의해 마스크 상에 Si 함유물을 퇴적시키며, 그 후, 실리콘의 마스크 상에 Si 함유물을 퇴적시킨 상태로, CF 함유 가스의 플라즈마에 의해 재차 실리콘 산화막층의 에칭 처리를 행한다. 이에 의해, 애스펙트비가 60 이상인 홀을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020150021475A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020140107884

申请日：2014-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  우라카와마사후미 ,  하야카와요시노부 ,  구보타가즈히로 ,  와타나베히카루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76802

Abstract: 일 측면에 있어서는, 실리콘 산화막을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 산화막 상에 형성된 마스크를 갖는 피처리체를 처리 가스의 플라즈마에 노출시켜, 실리콘 산화막을 에칭하는 공정을 포함한다. 마스크는, 실리콘 산화막 상에 형성된 제1 막, 및 상기 제1 막 상에 형성된 제2 막을 포함하며, 플라즈마 중의 활성종에 대하여, 제2 막은 제1 막의 에칭 레이트보다 낮은 에칭 레이트를 갖는 막으로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种蚀刻氧化硅膜的方法，其可以减少弓形变形。 该方法包括通过暴露具有氧化硅膜的待处理物体和形成在氧化物膜上的掩模来蚀刻氧化硅膜以处理气体等离子体的工艺。 掩模包括形成在氧化硅膜上的第一膜和形成在第一膜上的第二膜，其中第二膜在等离子体中相对于活性类型的蚀刻速率低于第一膜。

公开(公告)号：KR101744625B1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897

Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는에칭방법이제공된다. 이에칭방법은공정(a)과공정(b)을포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에피처리체가노출되고, 제 2 영역상에제 1 영역상에형성되는보호막보다두꺼운보호막이형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에의해제 1 영역이에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의온도가 60 ℃이상 250 ℃이하의온도로설정된다.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 该方法包括步骤（a）和（b）。 在步骤（a）中，碳氟化合物气体的等离子表面处理过的物质被暴露，并且形成比在第二区域上的第一区域上形成的保护膜更厚的保护膜。 在步骤（b）中，碳氟化合物气体释放到等离子体中的区域1被蚀刻。 在步骤（a）中，待处理物体的温度设定为60℃以上且250℃以下的温度。

公开(公告)号：KR1020160103531A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020160021034

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897

Abstract: 본발명은산화실리콘으로구성된제1 영역을에칭하는기술에있어서, 질화실리콘으로구성된제2 영역의깎임을억제하고, 또한처리시간을짧게하는것을목적으로한다. 일실시형태의방법에서는, 제1 영역을에칭하기위해서, 1회이상의시퀀스가실행된다. 1회이상의시퀀스의각각은, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는제1 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제1 영역을에칭하는제2 공정을포함한다. 1회이상의시퀀스의실행후, 플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성되어, 제1 영역이더욱에칭된다.

Abstract translation: 本发明涉及蚀刻由氧化硅构成的第一区域的技术，以抑制由氮化硅构成的第二区域的切割并缩短处理时间。 在根据本发明实施例的方法中，执行一个或多个序列来蚀刻第一区域。 一个或多个序列中的每一个包括在处理对象上形成包含碳氟化合物的沉积物的第一过程，以及由沉积物中包含的碳氟化合物的基团蚀刻第一区域的第二过程。 在执行一个或多个序列之后，产生包括碳氟化合物气体的第二工艺气体，并且进一步蚀刻第一区域。

公开(公告)号：KR1020150128582A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020150063089

申请日：2015-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897

Abstract: 본발명은스루풋을저하시키지않고, 산화실리콘으로구성되는영역을선택적으로에칭하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 산화실리콘으로구성된산화층을갖는피처리체로부터이 산화층을선택적으로에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 처리용기내에서, 수소, 질소, 및불소를함유하는가스의플라즈마를생성하고, 상기산화층을변질시켜, 변질층을형성하는공정과, (b) 변질층을형성하는공정후, 처리용기내에서 2차전자를피처리체에조사함으로써변질층을제거하는공정으로서, 처리용기내에양이온을플라즈마를생성하고, 또한, 플라즈마처리장치의상부전극에음의직류전압을인가함으로써, 양이온을상기상부전극에충돌시켜, 이상부전극으로부터 2차전자를방출시키는상기공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明能够选择性地蚀刻氧化硅区域而不会降低生产量。 提供了在等离子体处理装置的处理容器中从具有由氧化硅形成的氧化物层的处理材料中选择性地蚀刻氧化物层的方法。 该方法包括：在处理容器中产生包括氢，氮和氟的气体等离子体的步骤（a），通过破坏氧化物层形成破坏层; 以及步骤（b），其通过在形成所述覆盖层之后向所述处理容器中的处理材料发射二次电子来除去所述破坏层，从而在所述处理容器中产生阳离子的等离子体，并且从所述上电极排出所述二次电子 通过对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，使上部电极和阳极之间发生碰撞。