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公开(公告)号：KR1019970063423A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019970003015
申请日：1997-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
막형성방법 및 막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
처리액이 사용량이 적어도 되며, 또한 균일한 두께의 액막을 형성하는 것이 가능한 막형성방법 및 막형성장치와, 1종류 처리액의 점도를 조정하므로써, 다른 종류의 막두께의 액막을 형성하는 것을 가능하게 하는 막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
스핀척으로 유지된 반도체 웨이퍼 표면에 용제공급노즐로부터 레지스트액의 용제를 방울져 떨어뜨린다. 이어서, 스핀척으로 반도체 웨이퍼를 회전시켜서 반도체 웨이퍼(W)의 표면전체에 레지스트액을 확산시킨다. 이와 동시에, 반도체 웨이퍼(W)에 레지스트액 공급노즐로부터 레지스트액을 적하하고 용제에 추종시켜서 확산시킨다. 이 때에, 처리용기의 덮개체를 닫고 처리공간을 외부공기와 차단함과 동시에 처리공간 내에 안개형상의 용제를 공급한다. 이에 의해 처리공간내는 안개형상의 용제로 충만된다. 용제가 공급된 처리공간 내에서는 레지스트액 중의 용제의 증발이 억제된다. 그리고, 레지스트액이 반도체 웨이퍼(W)의 둘레부까지 균일한 막두께로 도포된다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 제조프로세스중의 포토리소그래피공정에 있어서, 레지스트막을 도포하는데 사용함.-
公开(公告)号：KR1019990062627A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980051267
申请日：1998-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 레지스트막의 형성방법은, (a) 기판상에 레지스트막을 형성하는 공정과, (b) 상기 공정(a)에서 형성된 레지스트막의 표층부를 제거하여, 레지스트막의 막두께를 상기 공정(a)의 그것보다도 얇게 하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019990023269A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980031132
申请日：1998-07-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 액막형성장치는, 패턴을 형성해야 할 면이 윗쪽을 향하도록 기판을 실질적으로 수평으로 유지하는 기판유지부와, 이 기판유지부에 유지된 기판의 주위를 둘러싸고, 이 기판의 윗면과 같거나 또는 그것에 근사한 레벨의 액받음면을 갖는 액받음대와, 상기 기판의 유효영역의 폭과 같거나 또는 그것보다도 긴 처리액의 토출부를 갖는 공급노즐과, 이 공급노즐의 길이에 직교하는 방향으로 이 공급노즐을 이동시키는 이동기구를 구비하며, 상기 기판유지부는, 상기 액받음대와 기판의 바깥둘레끝단부와의 상호 간극으로 처리액이 유출되지 않도록 이 간극을 시일하는 것으로서, 상기 공급노즐에 의해 상기 액받음대 상으로 처리액을 공급하여 액도포를 행하고, 이어서 공급노즐을 이동시키면서 이 공급노즐로부터 처리액을 토출시켜 기판 표면의 전체에 � �쳐 처리액을 액도포한다.
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公开(公告)号：KR1019980070998A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980002785
申请日：1998-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B24B29/02
Abstract: 본 발명의 연마 장치는 발포수지로 형성된 연마층을 구비하는데, 이 연마층은 그것의 연마면에 부분적으로 노출되도록 연마층내에 수납된 복수의 기계적 연마입자를 구비한다. 피연마체와 연마층은 피연마체가 연마층의 연마면과 접촉할 수 있는 상태로 서로에 대해 회전되어, 상기 피연마체를 상기 기계적 연마입자로 연마한다.
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公开(公告)号：KR1019950007025A
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：KR1019940020788
申请日：1994-08-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
Abstract: 피처리체의 테두리 근방 하면을 향하여 소정의 각도로 바깥방향으로 경사져서 세정액을 분사하는 세정노즐과, 피처리체의 상방향으로부터 세정액을 회수하는 회수수단을 구비하고 있다. 세정노즐로부터의 세정액은 분사가 세면 피처리체의 회전에 의한 원심력에 의하여 테두리부 하면의 도포막 제거에 이용되고 또, 테두리를 통하여 상면측으로 돌아 들어가고 상면 테두리부의 도포막 제거에 이용된다. 세정액의 점성을 고려하여 그 유량 내지 흡인량을 적절하게 조절함으로써 제거폭을 조절한다. 피처리체의 하면측에 설치한 세정노즐로부터 세정액을 공급하여 상하 양면의 필요없는 도포막을 제거하며, 피처리체의 테두리의 수직면의 필요 없는 도포막에 대해서도 확실하게 제거한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100281723B1
公开(公告)日：2001-10-22
申请号：KR1019960018732
申请日：1996-05-30
Applicant: 아이피이씨-플래너 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본 발명은 연마량을 정밀도 좋게, 또한 용이하게 제어할 수 있고 종점검출이 용이한 연마방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 연마액을 이용하여 피연마체를 CMP에 의해 연마하는 방법이며, 미리 연마시에 있어서의 피연마체의 피연마면의 온도를 측정한 정보를 기초로 하여 연마시에 있어서의 피연마면의 온도의 변화점을 검출하고 변화점의 정보를 기초로 하여 연마의 종점을 검출하는 방법 및 그 장치 및 연마액을 이용하여 피연마체를 CMP에 의해 연마하는 방법이며, 피연마체 및 참조용 피연마체를 연동시켜서 공통의 연마체에 의해 동시에 연마하고 참조용 피연마체의 연마량을 감시하며, 그 연마량을 기초로 하여 피연마체의 연마량을 구하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020010029808A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000033205
申请日：2000-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6715
Abstract: PURPOSE: A film forming method and film forming system is provided to simplify the process of forming two-layer structure of insulation film and hard mask layer without using a CVD device. CONSTITUTION: A film forming method comprises the steps of forming a first coating film by providing a first coating liquid onto a substrate; and a second step of forming a second coating film by providing a second coating liquid onto the first coating film, wherein at least one of first and second coating films is an inorganic film. A film forming system comprises a cassette station for delivering/supplying wafers in cassette units from/to the film forming system; a first treatment station having a plurality of treatment units for performing predetermined treatments during an insulation film forming process; an interface unit arranged to be adjacent to the first treatment station, and which conveys wafers; and a second treatment station having a heat treatment furnace performing a heat treatment in a batch manner.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜系统，以简化在不使用CVD装置的情况下形成绝缘膜和硬掩模层的两层结构的工艺。 构成：成膜方法包括以下步骤：通过在基材上提供第一涂布液形成第一涂膜; 以及通过在第一涂膜上设置第二涂布液形成第二涂膜的第二步骤，其中第一涂膜和第二涂膜中的至少一个是无机膜。 成膜系统包括用于从成膜系统/从成膜系统向盒单元输送/供应晶片的盒式台架; 第一处理站具有多个处理单元，用于在绝缘膜形成过程中执行预定处理; 布置成与第一处理站相邻并且传送晶片的接口单元; 以及第二处理台，具有以分批方式进行热处理的热处理炉。
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公开(公告)号：KR100284557B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019940020788
申请日：1994-08-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
Abstract: 기판의 테두리 근방 하면을 향하여 소정의 각도로 바깥방향으로 경사져서 용해액을 분사하는 용해액노즐과, 기판의 상방향으로부터 용해액을 회수하는 흡인 회수수단을 구비하고 있다. 용해액노즐로부터의 용해액은 분사가 세면 기판의 회전에 의한 원심력에 의하여 테두리부 하면의 도포막 제거에 이용되고 또, 테두리를 통하여 상면측으로 돌아 들어가고 상면 테두리부의 도포막 제거에 이용된다. 용해액의 점성을 고려하여 그 유량 내지 흡인량을 적절하게 조절함으로써 제거폭을 조절한다. 기판의 하면측에 설치한 용해액노즐로부터 용해액을 공급하여 상하 양면의 필요 없는 도포막을 제거하며, 기판의 테두리의 수직면의 필요없는 도포막에 대해서도 확실하게 제거한다.
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公开(公告)号：KR1019980042826A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019970063352
申请日：1997-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고니시노부오
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
반도체장치의 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
초미세한 패턴노광이 단시간에 가능하며, 신속하며 용이하게 제거할 수 있도록 막두께의 얇은 포토레지스트막을 형성할 수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공힘.
3. 발명의 해결방법의 요지
실리콘 웨이퍼 표면에 유기절연막을 형성하는 공정과, 이 유기절연막 상에 포토레지스트막을 형성하는 공정과, 이 포토레지스트막을 패턴노광하는 공정과, 패턴노광되는 포토레지스트막에 실리콘함유 화합물을 반응하며, 포토레지스트막의 노광부분을 실릴화되므로써, 포토레지스트막의 노광부분을 미노광부분보다 에칭내성을 높게하는 공정, 및 이 실릴화되는 포토레지스트막을 마스크로서 사용하며, 반응성이온 에칭에 의하여 포토레지스트막의 미노광부분을 드라이현상하며, 유기절연막을 에칭하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
MOS(Metal Oxide Semiconductor)와 같은 반도체장치의 제조프로세스에서는 포토리소그라피 기술에 사용됨.-
公开(公告)号：KR1019960040559A
公开(公告)日：1996-12-17
申请号：KR1019960018732
申请日：1996-05-30
Applicant: 아이피이씨-플래너 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본 발명은 연마량을 정밀도 좋게, 또한 용이하게 제어할 수 있고 종점검출이 용이한 연마방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 연마액을 이용하여 피연마체를 CMP에 의해 연마하는 방법이며, 미리 연마시에 있어서의 피연마체의 피연마면의 온도를 측정한 정보를 기초로 하여 연마시에 있어서의 피연마면의 온도의 변화점을 검출하고 변화점의 정보를 기초로 하여 연마의 종점을 검출하는 방법 및 그 장치 및 연마액을 이용하여 피연마체를 CMP에 의해 연마하는 방법이며, 피연마체 및 참조용 피연마체를 연동시켜서 공통의 연마체에 의해 동시에 연마하고 참조용 피연마체의 연마량을 감시하며, 그 연마량을 기초로 하여 피연마체의 연마량을 구하는 것을 특징으로 한다.
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