Abstract:
PURPOSE: An analog-digital converter and a method thereof are provided to increase accuracy by using folding and interpolation. CONSTITUTION: An upper signal processing part(120) generates an upper analog signal by amplifying an analog signal in a preset amplification ratio. A lower signal processing part(130) generates a lower analog signal by amplifying and folding the analog signal through an amplification line including an odd number of amplifiers. A comparison part(140) generates a comparison signal by comparing the upper analog signal and the lower analog signal according to a preset reference voltage. An encoding part(150) generates an upper digital signal by the upper analog signal and a lower digital signal by the lower analog signal according to the comparison signal. The encoding part generates an output signal by adding the upper digital signal and the lower digital signal. [Reference numerals] (110) Input part; (120) Upper signal processing part; (130) Lower signal processing part; (140) Comparison part; (150) Encoding part
Abstract:
비선형 싱글 슬로프 아날로그 디지털 변환기, 이를 이용한 이미지 센서 장치, 이를 이용한 온도 센서 장치, 및 비선형 싱글 슬로프 아날로그 디지털 변환 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 비선형 싱글 슬로프 아날로그 디지털 변환기는 입력 전압과 램프 입력을 비교되는 시점에 비교 신호를 출력하는 비교기; 입력되는 클록 신호로부터 서로 다른 샘플링 주파수의 신호를 생성하고, 상기 생성된 신호에서 순차적으로 낮은 샘플링 주파수의 신호를 선택하여 출력하는 비선형 카운터; 및 상기 비선형 카운터에서 출력되는 신호 중 상기 비교 신호에 해당하는 시점의 신호에 대한 정보를 저장하는 메모리부를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An analog-to-digital converter using correlated double sampling and an analog-to-digital converting method using the same are provided to reduce switching noise and power consumption by satisfying the number of bits to count the dissemination of reset signals. CONSTITUTION: A CMOS image sensor comprises a pixel array(1), a comparator(2), a CDS processing unit(3), an N-bit counter(6), and a latch unit(7). The CMOS image sensor comprises a vertical scanning circuit(8), a horizontal scan circuit(9), a lamp signal generator(10), an output circuit(11), and a control signal generating unit(12). The CDS processing unit comprises a CDS counter(4) and an and-logic(5) The control signal generating unit creates signals to control a vertical scanning circuit, a horizontal scanning circuit, a CDS processing unit, an N bit counter.
Abstract:
PURPOSE: A clock delay circuit using a power source is provided to correct an error in a measurement environment and a manufacture process by controlling a clock signal of a high speed analog to digital converter in the outside. CONSTITUTION: A plurality of current control time delay cell(100) are serially connected and control the delay time of the clock based on an amount of inputted currents. A delay time controller(300) respectively inputs one input bias current quantity corresponding to the delay time of the clock to the current control time delay cell. The delay time controller is comprised of one first n-MOS FET. In the first n-MOS FET, a gate terminal is connected to the current control time delay cell. A drain terminal and the gate terminal are connected to the current source. A source terminal is connected to the ground. The current control time delay cell includes at least one basic CMOS inverter and one transformed inserter into which the n-MOS FET is inserted.
Abstract:
PURPOSE: A comparator, an analog-to-digital (A/D) converter, a ramp signal slope compensating circuit, a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor containing the circuit, and a ramp signal slope compensating method in accordance with the above are provided to prevent the slope ratio of a fine ramp signal to a coarse ramp signal from being distorted due to the slope change of the fine ramp signal and to improve linearity of A/D conversion. CONSTITUTION: An A/D converter (10) includes an amplifier, a comparator (12), a first memory part (16), and a second memory part (18). The amplifier receives a pixel voltage, a reference voltage, a fine ramp voltage, and a coarse ramp voltage. The comparator is equipped with a switch, which is connected between a coarse ramp voltage input terminal receiving coarse ramp voltage input and the amplifier, and a capacitor. One end of the capacitor is connected between the switch and the amplifier, and the other end is connected to a ground voltage. The first memory part stores the most significant bit among 1 least significant bit (LSB) for the coarse ramp voltage. The second memory part stores the least significant bit among 1 LSB for the coarse ramp voltage. [Reference numerals] (12) Comparator; (14) Sink block part; (16) First memory part; (18) Second memory part; (21) Fine ramp generator; (22) Coarse ramp generator; (30) N bit counter
Abstract:
본 발명은 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 관한 것으로서, 제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 있어서, 제 1 PMOS와 제 3 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하고, 제 2 PMOS와 제 4 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하되, 제 1 PMOS의 드레인이 제 8 NMOS의 소스에 연결되고, 제 2 PMOS의 드레인이 제 7 NMOS의 소스에 연결된 크로스 커플된 형태인 것을 특징으로 하며, 기존의 single ended 형태의 소오스 팔로워와 동일한 전력, 면적 상에서 상호 간섭에 의해 더욱더 낮은 출력 임피던스를 가지므로 넓은 아날로그 대역폭을 만족시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 GHz 이상의 변환속도를 갖는 고속의 데이터 변환기, 그 중 고속의 아날로그-디지털 변환기 내부의 클럭 신호를 외부에서 조절함으로써 제조 공정, 측정 환경에서 발생한 오차를 보정할 수 있는 전류원을 이용한 클럭 지연회로를 제공하기 위한 것으로서, 입력되는 전류량에 기반하여 클럭의 지연시간이 조절되는 직렬로 연결된 적어도 하나 이상의 전류조절 시간지연 셀과, 클럭의 지연시간에 상응하는 1 개의 입력 바이어스 전류량을 상기 전류조절 시간지연 셀에 각각 입력하는 지연시간 조절부를 포함하는데 있다. 클럭 발생기, 디지털-아날로그 변환기, 데이터 변환기, 클럭 타이밍