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公开(公告)号：KR100982314B1
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020080064957
申请日：2008-07-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며, 채널영역 및 소스/드레인영역을 포함하는 산화물 반도체층; 및 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층과 상기 소스/드레인 전극 사이에는 콘택층을 포함하며, 상기 콘택층은 GIZO 및 IZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며, 채널영역 및 소스/드레인영역을 포함하는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 및 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층과 상기 소스/드레인 전극 사이에는 콘택층을 포함하며, 상기 콘택층은 GIZO 및 IZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
GIZO 반도체층-
公开(公告)号：KR100963104B1
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080066002
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 산소를 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 활성층, 활성층 상부에 형성된 보호층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 보호층이 산소와의 결합력을 갖는 무기물을 포함하는 산화물로 이루어진다.
화합물 반도체, 활성층, 보호층, 무기 산화물, 광 흡수Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管，具有制造的方法，和含有氧作为活性层的化合物半导体的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，通过栅极绝缘膜的绝缘栅电极 由包括源电极和与保护层接触的漏电极，以及形成在所述有源层上的有源层，所述有源层，上由含有氧，氧化物的，其包括具有与氧的结合力的无机材料的保护层的化合物半导体构成。
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公开(公告)号：KR100963026B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층, 게이트 절연층에 의해 활성층과 절연되는 게이트 전극 및 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며, 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진다. 산화물을 포함하는 계면 안정화층은 게이트 절연층 및 보호층과 동질성을 갖기 때문에 화학적으로 높은 계면 안정성을 유지하며, 활성층과 같거나 활성층보다 큰 밴드갭을 갖기 때문에 물리적으로 전하 트랩핑을 억제한다.
산화물 반도체, 활성층, 계면 안정화층, 밴드갭, 전하 트랩핑Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括：形成在所述基板和漏电极，源电极和漏电极上形成源电极和部分重叠 由氧化物半导体制成的有源层，有源层和绝缘栅电极和形成的至少一个表面上的界面稳定层的有源层的上表面和下表面的，所述界面稳定层具有3.0的带隙到8.0eV是通过栅极绝缘层 据的具有氧化物形成。 包含氧化物的界面稳定层被保持在化学上高的界面稳定性，因为其具有的栅极绝缘层和所述保护层和亲和力，并且抑制电荷俘获在物理上是因为它具有更大的带隙比有源层，或相同的有源层。
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公开(公告)号：KR1020100002504A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062418
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/78606
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method and a flat panel display for including the thin film transistor, and the manufacturing method thereof and thin film transistor physically suppresses the charge trapping. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). An active layer is insulated on a gate insulating layer by the gate electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A source electrode and a drain electrode are connected to the active layer. An interface stabilization layer is formed in the upper side and lower surface of the active layer. It is included of the oxide having the interface stabilizing layer is the band gap of 8.0 to 3.0. The oxide semiconductor includes the zinc oxide.
Abstract translation: 目的：一种薄膜晶体管，制造方法和用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管物理地抑制电荷捕获。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 有源层通过栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 活性层包括氧化物半导体。 源电极和漏极连接到有源层。 界面稳定层形成在有源层的上侧和下表面。 包含具有界面稳定层的氧化物的带隙为8.0〜3.0。 氧化物半导体包括氧化锌。
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公开(公告)号：KR1020090105558A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031090
申请日：2008-04-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device with the thin film transistor are provided to apply an existing passivation film, thereby increasing compatibility of processes and equipment to reduce manufacturing costs. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a substrate(10), a gate electrode(11), an oxide semiconductor layer(13), a source electrode(14a) and a drain electrode(14b). The gate electrode is formed on the substrate. The oxide semiconductor layer is insulated from the gate electrode by a gate insulating layer(12). The oxide semiconductor layer includes a channel region, a source region and a drain region. The source electrode and the drain electrode contacted with the source region and the drain region. The oxide semiconductor layer is made by GIZO layers with a double layer structure with different concentrations of indium.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法以及具有薄膜晶体管的平板显示装置以应用现有的钝化膜，从而增加工艺和设备的兼容性以降低制造成本。 构成：薄膜晶体管包括基板（10），栅电极（11），氧化物半导体层（13），源电极（14a）和漏电极（14b）。 栅电极形成在基板上。 氧化物半导体层通过栅极绝缘层（12）与栅电极绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域接触。 氧化物半导体层由具有不同浓度铟的双层结构的GIZO层制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101064442B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090077485
申请日：2009-08-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276
Abstract: 본 발명은 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터가 구비되는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광 표시장치에 있어서, 주사선과 이와 중첩되는 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨으로써, 주사선과 데이터선 사이의 중첩 부분에서 생성되는 기생 캐패시턴스를 감소시키는 유기전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치는, 제 1방향으로 배열되는 다수의 주사선들과; 상기 다수의 주사선들과 교차되는 제 2방향으로 배열되는 다수의 데이터선들과; 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차부마다 위치되며, 복수의 박막트랜지스터 및 유기발광소자를 포함하는 화소들이 포함되고, 상기 각 화소에 포함되는 박막트랜지스터는 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터이며, 상기 주사선들과 데이터선들의 서로 교차되어 중첩되는 부분에 대하여 상기 주사선과 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020100005900A
公开(公告)日：2010-01-18
申请号：KR1020080066002
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor forming a protective layer is provided to prevent the degradation of the electrical characteristic of the thin film transistor due to the damage of the active layer by forming the protective layer on the top of the active layer into the inorganic oxide. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on the substrate(10). An active layer(14) is insulated to the gate electrode by gate insulating layer(13). The active layer is comprised of the compound semiconductor. The compound semiconductor comprises the oxygen. A protective layer(15) is formed in the top of the active layer. A source electrode(16a) and drain electrode(16b) are touched with the active layer. The protective layer is comprised of the oxide. The oxide includes the inorganic material. The inorganic material has the coherence with the oxygen. One or more ion can be doped in the compound semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供形成保护层的薄膜晶体管，以通过在有源层的顶部形成保护层而形成无机氧化物，以防止由于有源层的损坏导致的薄膜晶体管的电特性的劣化。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 有源层（14）通过栅极绝缘层（13）与栅电极绝缘。 有源层由化合物半导体构成。 化合物半导体包括氧气。 在有源层的顶部形成保护层（15）。 源极电极（16a）和漏电极（16b）与有源层接触。 保护层由氧化物构成。 氧化物包括无机材料。 无机材料与氧气具有一致性。 可以在化合物半导体中掺杂一种或多种离子。
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公开(公告)号：KR1020100004662A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：KR1020080064957
申请日：2008-07-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262 , H01L29/458
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a fabricating method of the thin film transistor and organic light emitting display device comprising the same are provided to improve an off-current characteristic by forming a contact layer with materials having different densities. CONSTITUTION: A gate electrode is located on a substrate. A gate insulating layer is located on the surface of the gate electrode. An oxide semiconductor layer(140) is insulated from the gate electrode with the gate insulating layer. The oxide semiconductor layer comprises a channel region, a source, drain regions(140s,140d). The source and drain electrode are electrically connected to the oxide semiconductor layer. The contact layer is included between the oxide semiconductor layer, source, and drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置，以通过与具有不同密度的材料形成接触层来改善截止电流特性。 构成：栅电极位于基板上。 栅极绝缘层位于栅电极的表面上。 氧化物半导体层（140）与栅电极与栅极绝缘层绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极，漏极区（140s，140d）。 源极和漏极电连接到氧化物半导体层。 接触层包括在氧化物半导体层，源极和漏极之间。
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公开(公告)号：KR100922066B1
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：KR1020070077473
申请日：2007-08-01
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L31/153 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/04 , G01J1/0418 , G01J1/0488 , G01J1/4228 , G02F1/13318 , H01L27/1446 , H01L27/3269 , H01L31/02162 , H01L31/103 , H01L31/105
Abstract: 본 발명은 광 감지센서 및 이를 이용한 발광표시장치에 관한 것으로, 본 발명의 광 감지센서는 외부 광에 대하여 투과도가 서로 다르게 설정되는 다수의 광 입사막으로 이루어진 광 입사부; 및 상기 다수의 광 입사막으로부터 입사되는 광의 량에 따라 전기적 신호를 출력하는 다수의 광 감지소자를 포함하며, 상기 다수의 광 감지소자로부터 출력되는 전기적 신호에 의해 상기 외부 광의 세기가 감지되며, 상기 광 입사막과 광 감지소자는 서로 대응되게 배치된다.
광 입사부, 광 감지센서, 외부 조도-
公开(公告)号：KR101152575B1
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100043503
申请日：2010-05-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G09G3/30 , G09G3/3233 , G09G5/00 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0223 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , G09G2320/048
Abstract: 본발명은평판표시장치의화소회로및 그의구동방법에관한것으로, 화소회로는제 1 게이트가스캔라인에연결되고드레인이데이터라인에연결된제 1 트랜지스터, 제 1 게이트가제 1 트랜지스터의소스에연결되고드레인이제 1 전원전압에연결된제 2 트랜지스터, 제 2 트랜지스터의제 1 게이트및 소스사이에연결된캐패시터, 그리고제 2 트랜지스터의소스및 제 2 전원전압사이에연결된유기전계발광다이오드를포함하며, 제 1 및제 2 트랜지스터의제 2 게이트가제어신호라인에공통으로연결된다. 제어신호라인을통해제 1 및제 2 트랜지스터의제 2 게이트로소정전압레벨의제어신호를인가함으로써제 1 및제 2 트랜지스터의문턱전압을원하는레벨로용이하게조절할수 있다.
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