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公开(公告)号：KR100765756B1
公开(公告)日：2007-10-15
申请号：KR1020050074925
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04N9/8205 , G11B19/025 , G11B27/322 , G11B27/34 , G11B2220/2562 , H04N5/85
Abstract: 본 발명은 사용자 입력을 위해 화면상에 표시되는 버튼이 선택될 수 있도록 마련된 메뉴 정보로 이루어지는 메뉴 스트림 데이터를 포함하고, 메뉴 스트림 데이터는 버튼에 대한 사용자 조작을 결정하는 사용자 조작 정보(UOP(User Operation) 정보)를 포함하여, 사용자 및/또는 제작자의 의도에 따라 버튼 선택UOP 및 선택 버튼 실행UOP 중 결정된 하나의 UOP를 실행시킬 수 있다.
버튼 넘버, UOP, 저장매체, 네비게이션 명령어, 레지스터Abstract translation: 本发明包括由所提供的菜单信息组成的菜单流数据，从而可以选择显示在屏幕上的按钮用于用户输入，菜单流数据包括用户操作信息（UOP ）信息），可以根据用户和/或制作者的意图执行在按钮选择UOP和选择按钮执行UOP中确定的一个UOP。
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公开(公告)号：KR1020070043108A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050098970
申请日：2005-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L29/4933
Abstract: 반도체 장치의 제조방법은, 먼저 피모스와 엔모스 영역을 갖는 반도체 기판 상에 게이트 산화막을 형성한다. 이어서 상기 게이트 산화막 상에 엔형 불순물이 도핑된 도프트 폴리 실리콘막을 증착한다. 계속하여 상기 피모스 영역의 상기 도프트 폴리 실리콘막에 피형 불순물을 도핑한다. 다음에 상기 피형 불순물이 도핑된 도핑영역을 포함하는 도프트 폴리 실리콘막 상에 상기 피형 불순물이 아웃 디퓨전 되는 것을 방지하는 확산 방지막을 형성한다. 이어서 상기 결과물을 열처리 공정을 수행한다. 이로써, 상기 열처리 공정에 의하여 피형 불순물이 아웃 디퓨전 되는 현상을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070011794A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020050066359
申请日：2005-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/0223 , H01L21/67063
Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to improve a phenomenon that a tunnel oxide layer becomes thinner, by forming a preliminary tunnel oxide layer, by partially etching an isolation layer and by transforming the preliminary tunnel oxide layer into an oxide layer by a re-oxidation process. An isolation layer pattern has first and second portions, exposing an active region(100b) of a substrate(100). The first portion protrudes from the surface of the substrate. The second portion is buried in the substrate, having a greater width than that of the first portion. A preliminary tunnel oxide layer and a floating gate pattern(122a) are formed on the active region. A part of the isolation layer pattern is eliminated to expose the sidewall of the floating gate pattern. The preliminary tunnel oxide layer is re-oxidized to be a tunnel oxide layer(120a) by thermal oxidation, radical oxidation or plasma oxidation.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，通过形成预备的隧道氧化物层，通过部分地蚀刻隔离层并且通过再次将预备的隧道氧化物层转化为氧化物层来改善隧道氧化物层变薄的现象 氧化过程。 隔离层图案具有第一和第二部分，暴露衬底（100）的有源区（100b）。 第一部分从基板的表面突出。 第二部分被埋在衬底中，其宽度大于第一部分的宽度。 在有源区上形成初步隧道氧化物层和浮栅图案（122a）。 消除隔离层图案的一部分以露出浮栅图案的侧壁。 初步隧道氧化层通过热氧化，自由基氧化或等离子体氧化再氧化成隧道氧化物层（120a）。
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公开(公告)号：KR1020070010308A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050064786
申请日：2005-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/01
CPC classification number: G06F3/0489 , G06F3/0482
Abstract: A method and apparatus for controlling reproduction of a menu are provided to directly perform a button selecting operation without having an unnecessary waiting time when a button is selected from a menu offered to a user interface. A maximum numerical value of at least one button selecting numerical value provided by a menu is confirmed(602). A numerical value corresponding to a numerical key pushed by a user is inputted(604). The number of figures of the inputted numerical value is compared with the number of figures of the maximum numerical value(606). When the number of figures of the inputted numerical value is identical to the number of figures of the maximum numerical value, a button having a selection numerical value corresponding to the inputted numerical value is set to a selection state(609).
Abstract translation: 提供一种用于控制菜单再现的方法和装置，以便在从提供给用户界面的菜单中选择按钮时，直接执行按钮选择操作而不需要不必要的等待时间。 确定由菜单提供的至少一个按钮选择数值的最大数值（602）。 输入与用户按下的数字键对应的数值（604）。 将输入的数值的数量与最大数值的数量（606）进行比较。 当所输入的数值的数量与最大数值的数量相同时，具有与输入的数值对应的选择数值的按钮被设定为选择状态（609）。
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公开(公告)号：KR100670916B1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020010037911
申请日：2001-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 자기정렬된 셸로우 트렌치 소자분리 방법 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 산화막, 제1 도전층 및 저지막을 차례로 형성한다. 하나의 마스크를 사용하여 상기 저지막, 제1 도전층 및 산화막을 식각하여 산화막 패턴, 제1 도전층 패턴 및 저지막 패턴을 형성하고, 계속해서 상기 제1 도전층 패턴에 인접한 기판의 상부를 식각하여 트렌치를 형성한다. 어닐링을 실시하여 상기 제1 도전층 패턴의 측벽을 라운딩시킨 후, 상기 트렌치의 내면을 산화시켜 트렌치 내벽산화막을 형성한다. 상기 트렌치의 내부에 필드 산화막을 형성한다. 제1 도전층 패턴으로 이루어진 플로팅 게이트의 측벽이 포지티브 기울기를 갖는 것을 방지하여 후속하는 게이트 식각시 게이트 잔류물에 의해 소자의 전기적 불량이 유발되는 것을 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100619053B1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020040083517
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B27/105 , G11B27/10 , G11B27/3027 , G11B2220/2541 , H04N5/44504 , H04N5/765 , H04N5/781 , H04N5/782 , H04N5/783 , H04N5/85 , H04N5/9205 , H04N9/8042 , H04N9/8063 , H04N9/8233 , H04N9/8715 , H04N21/23412 , H04N21/4307 , H04N21/4312 , H04N21/4314 , H04N21/4334 , H04N21/44012 , H04N21/44016 , H04N21/4884
Abstract: 서브 타이틀을 기록한 정보저장매체 및 서브 타이틀 처리장치가 개시된다. 본 발명에 따라, 정보저장매체는 AV 데이터; 및 적어도 하나의 서브 타이틀 텍스트 데이터와 상기 서브 타이틀 텍스트의 출력형태를 지정하는 출력 스타일 정보를 텍스트 형식으로 저장하고 있는 서브 타이틀 데이터를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 텍스트 서브 타이틀 데이터에 포함되어 있는 각 서브 타이틀 항목의 출력 시간이 중복될 수 있고, 서브 타이틀 파일을 용이하게 제작할 수 있으며, AV 스트림에 대한 서브 타이틀을 보다 다양한 형태로 출력할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100608074B1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020060035352
申请日：2006-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04N5/44508 , G09G2340/10 , G09G2340/125 , H04N5/44543 , H04N5/85 , H04N5/9201 , H04N9/8042 , H04N9/8063 , H04N9/8227 , H04N21/4221 , H04N21/4307 , H04N21/431 , H04N21/4348 , H04N21/435 , H04N21/485 , H04N21/8146
Abstract: 본 발명은 사용자의 요구에 의해 활성화되는 인터랙티브 그래픽 스트림을 저장한 저장 매체를 재생하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비디오 데이터 및 메뉴 화면을 제공하기 위한 그래픽 데이터를 기록한 저장 매체를 재생하는 재생 방법은, 그래픽 데이터를 디코딩하는 단계; 및 디코딩된 그래픽 데이터의 종류에 기초하여, 그래픽 데이터가 제1 그래픽 데이터인 경우 사용자로부터 활성화 요구가 있으면 디코딩된 그래픽 데이터를 출력하고, 그래픽 데이터가 제2 그래픽 데이터인 경우 그래픽 데이터에 포함된 지정된 출력 시간이 되면 디코딩된 그래픽 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 지정된 시간에 또는 사용자의 요구가 있을 때에 메뉴 화면과 같은 그래픽이 화면이 출력되도록 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100587670B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040001144
申请日：2004-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/022 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28273 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L29/513
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 셀의 유전막 형성방법에 관한 것으로, 본발명의 하부 산화막, 질화막 및 상부 산화막이 순차적으로 적층된 3중 유전막 구조를 갖는 비휘발성 메모리 셀의 유전막 형성방법은, 상기 하부산화막을 ISSG를 이용한 래디컬 산화방식으로 형성하는 단계와; 상기 하부산화막의 상부에 상기 질화막을 형성하는 단계와; 상기 질화막의 상부에 상기 상부산화막을, ISSG를 이용한 래디컬 산화방식으로 상기 하부 산화막의 두께보다 두껍게 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 신뢰성 있는 산화막의 형성을 통하여 누설전류가 작고, 전하 리텐션 특성 개선 및 유전막의 두께조절이 가능하여 고집적이 가능한 메모리 소자의 형성이 가능해진다.
유전막, 플로팅, 컨트롤, 산화막, 래디컬 산화-
公开(公告)号：KR1020060052745A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020060035352
申请日：2006-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04N5/44508 , G09G2340/10 , G09G2340/125 , H04N5/44543 , H04N5/85 , H04N5/9201 , H04N9/8042 , H04N9/8063 , H04N9/8227 , H04N21/4221 , H04N21/4307 , H04N21/431 , H04N21/4348 , H04N21/435 , H04N21/485 , H04N21/8146
Abstract: 본 발명은 사용자의 요구에 의해 활성화되는 인터랙티브 그래픽 스트림을 저장한 저장 매체를 재생하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비디오 데이터 및 메뉴 화면을 제공하기 위한 그래픽 데이터를 기록한 저장 매체를 재생하는 재생 방법은, 그래픽 데이터를 디코딩하는 단계; 및 디코딩된 그래픽 데이터의 종류에 기초하여, 그래픽 데이터가 제1 그래픽 데이터인 경우 사용자로부터 활성화 요구가 있으면 디코딩된 그래픽 데이터를 출력하고, 그래픽 데이터가 제2 그래픽 데이터인 경우 그래픽 데이터에 포함된 지정된 출력 시간이 되면 디코딩된 그래픽 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 지정된 시간에 또는 사용자의 요구가 있을 때에 메뉴 화면과 같은 그래픽이 화면이 출력되도록 제어할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050078498A
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020040006652
申请日：2004-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04N9/8205 , H04N5/85 , H04N9/8042
Abstract: 이벤트 정보가 포함된 동영상 데이터가 기록된 저장 매체, 재생 장치, 및 그 재생 방법이 개시된다.
본 발명에 따른 저장 매체는, AV 데이터; 및 AV 데이터를 재생하는 중에 미리 정의된 특정 장면이 재생되면 이벤트를 발생시키고, 발생된 이벤트에 대응하는 미리 정의된 프로그램 기능이 추가된 특정 어플리케이션을 특정 장면과 동기화하여 실행시키는 이벤트 정보를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 동영상 전체 또는 일부를 재생하면서 프로그램 기능이 추가된 어플리케이션이 동영상의 특정 장면과 동기화되어 실행되도록 제어할 수 있다.
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