公开(公告)号：KR100655647B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020050059768

申请日：2005-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세연 ,  전필권 ,  박정대 ,  한명옥 ,  김재욱 ,  채승기 ,  김국주 ,  이재석 ,  고용균 ,  임광신 ,  이양구

IPC: H01L21/304

Abstract: A cleaning composition for a semiconductor substrate is provided to remove polymer without damaging a conductive structure in cleaning a substrate with the conductive structure by including an organic ammonium fluoride aqueous solution, a buffer agent and an anti-corrosion agent. A cleaning composition for a semiconductor substrate is fabricated which includes an organic fluoride ammonium aqueous solution of 80-99.8999 weight percent, a buffer agent of 0.1~5 weight percent and an anti-corrosion agent of 0.0001~15 weight percent(S110). The organic fluoride ammonium aqueous solution includes an alkylammonium compound, a fluoride compound and deionized water. The anti-corrosion agent includes at least an alkanesulphonic acid-based compound. By using the cleaning composition with respect to the semiconductor substrate having a conductive structure with polymer residue, the polymer, the organic fluoride ammonium aqueous solution and the buffer agent are reacted to remove the polymer. An anti-corrosion layer is formed on the conductive structure(S120). The semiconductor substrate is rinsed(S130). The semiconductor substrate is dried(S140).

Abstract translation: 提供一种用于半导体基板的清洁组合物，其通过包含有机氟化铵水溶液，缓冲剂和防腐蚀剂来在用导电结构清洁基板时去除聚合物而不损坏导电结构。 制备用于半导体衬底的清洁组合物，其包含80-99.8999重量％的有机氟化铵铵水溶液，0.1-5重量％的缓冲剂和0.0001-15重量％的防腐蚀剂（S110）。 有机氟化铵铵水溶液包括烷基铵化合物，氟化物和去离子水。 防腐蚀剂至少包含烷烃磺酸类化合物。 通过对具有导电结构的半导体基板使用具有聚合物残渣的清洁组合物，聚合物，有机氟化铵铵水溶液和缓冲剂反应以除去聚合物。 在导电结构上形成防腐蚀层（S120）。 冲洗半导体衬底（S130）。 将半导体衬底干燥（S140）。

公开(公告)号：KR1020060046905A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020040092422

申请日：2004-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  윤창로 ,  고용균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 건조하는 장치로, 장치는 건조기와 그 내부로 알코올 증기를 공급하는 증기 공급부를 가진다. 증기 공급부는 버블링 방식에 의해 알코올 증기를 발생시키는 제 1증기 발생기와 알코올 액의 가열에 의해 알코올 증기를 발생시키는 제 2증기 발생기를 가진다. 건조기 내에서 마란고니 건조방식에 의해 건조공정 수행시 제 1증기 발생기로부터 알코올 증기가 건조기로 공급되고, 스프레이 건조방식에 의해 건조공정 수행시 제 2증기 발생기로부터 알코올 증기가 건조기로 공급된다.
알코올 증기, IPA, 건조, 마란고니, 스프레이

公开(公告)号：KR100481858B1

公开(公告)日：2005-04-11

申请号：KR1020020042851

申请日：2002-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  이헌정 ,  전필권 ,  박상오 ,  전상문 ,  김진성 ,  임광신

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비 및 상기 장비를 사용하는 건조방법을 제공한다. 이 건조장비는 액체를 저장하는 액조, 상기 액조의 상부에 설치된 챔버, 및 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 분배기를 구비한다. 상기 분배기를 통하여 유기용매가 공급되면, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 유기용매층이 형성된다. 상기 유기용매층 및 상기 유기용매층 상의 대기는 히터에 의해 가열된다. 또한, 상기 챔버의 내부는 건조가스관에 의해 공급되는 건조가스로 채워진다. 상기 건조방법은 액조 내에 저장된 액체 내에 반도체기판을 담구는 것과 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 것을 구비한다. 이에 따라, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 상기 공비 혼합물층보다 높은 농도를 갖는 유기용매층이 형성된다. 이어서, 상기 반도체기판을 상승시킴과 동시에 상기 유기용매층을 지나는 반도체기판의 표면을 가열시킨다. 그 결과, 상기 반도체기판의 표면 상에 잔존하는 유기용매 용액(organic solvent solution) 내의 수분이 완전히 증발된다. 다음에, 상기 반도체기판에 잔존하는 유기용매를 건조가스를 사용하여 제거한다.

公开(公告)号：KR100471191B1

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020040083689

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬과 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 포함한다. 상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 중심부를 지나는 중심 판넬을 포함한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬과 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 이에 따라, 상기 돌출부들 사이에 복수개의 슬롯들이 한정된다. 상기 슬롯들 내에 복수개의 반도체 웨이퍼들이 끼워진다. 적어도 상기 중심 판넬에 정렬 수단이 설치된다. 상기 정렬 수단은 상기 슬롯들에 끼워진 웨이퍼들이 서로 균일한 간격으로 이격되도록 상기 슬롯들의 실제 폭들을 조절한다.

公开(公告)号：KR1020040022355A

公开(公告)日：2004-03-12

申请号：KR1020020053631

申请日：2002-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  류재준 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: An apparatus for drying a substrate is provided to form a stable isopropyl alcohol vapor region inside a receptacle and uniformly perform a stable dry process on semiconductor substrates by making clean air from being intercepted by a cover such that the clean air is induced to the inside of the receptacle through an opening of the receptacle. CONSTITUTION: The opening(202a) is formed in the upper portion of the receptacle(202). Isopropyl alcohol vapor(10) for drying a plurality of substrates(W) is received in the receptacle. A support unit(212) vertically supports each of the plurality of substrates in the receptacle and horizontally supports the plurality of substrates in parallel with each other, extending to a portion over the receptacle through the opening of the receptacle. The cover(228) intercepts the clean air that is directly induced from an air cleaner(260) disposed in a portion over the receptacle to the inside of the receptacle through the opening of the receptacle.

Abstract translation: 目的：提供一种用于干燥基材的装置，以在容器内部形成稳定的异丙醇蒸汽区域，并通过使盖子被干净的空气吸收而使清洁空气被引导到半导体基板上，从而对半导体基板进行稳定的干燥处理 通过容器的开口在容器的内部。 构成：开口（202a）形成在容器（202）的上部。 用于干燥多个基材（W）的异丙醇蒸气（10）被容纳在容器中。 支撑单元（212）垂直地支撑插座中的多个基板中的每一个并且彼此平行地水平地支撑多个基板，通过插座的开口延伸到插座上方的一部分。 盖228拦截从设置在容器上的部分中的空气滤清器（260）直接引导的清洁空气，通过容器的开口到容器的内部。

公开(公告)号：KR1020040013223A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020046060

申请日：2002-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임광신 ,  전필권 ,  이헌정 ,  박상오 ,  고용균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67313 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating an integrated circuit is provided to prevent wafers from being tilted and meeting each other and avoid a water spot in a dry process by making a wafer guide include a stopper rod. CONSTITUTION: Fluid is received in a chamber. A plurality of substrates are placed in a guide located inside the chamber. The guide includes at least one support rod and the stopper rod. The support rod supports the substrates. The stopper rod prevents adjacent substrates supported by the support rod from being tilted and meeting each other.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造集成电路的装置，以防止晶片倾斜并彼此相遇，并且通过制造晶片导向器包括止动杆来避免在干燥过程中的水斑。 构成：流体被接收在腔室中。 将多个基板放置在位于室内的引导件中。 引导件包括至少一个支撑杆和止动杆。 支撑杆支撑基板。 止动杆防止由支撑杆支撑的相邻基板倾斜并彼此相遇。

公开(公告)号：KR1020020088233A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：KR1020010027298

申请日：2001-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류재준 ,  임광신 ,  고용균 ,  손일현

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A marangoni type wafer cleaning equipment is provided to prevent the leakage of solvent vapor flowing into a drying and washing unit so that the efficiency of cleaning process of a wafer is improved. CONSTITUTION: A marangoni type wafer cleaning equipment includes a storing part for solvent(B) and a drying part for a wafer(34) and a washing unit surrounded by the upper hood(206) and a housing(208) respectively. The upper hood is arranged without any separation with the housing in order to prevent the leakage of the solvent vapor inside the drying and washing room. A heater(201) in liquid tank(200) is installed to increase the vapor pressure of solvent. The third pipe is equipped to avoid overload of vapor pressure caused by heating and a control valve(205) is used to make the pressure constant.

Abstract translation: 目的：提供一种马兰戈尼型晶片清洗设备，以防止流入干燥和洗涤单元的溶剂蒸气泄漏，从而提高了晶片清洗工艺的效率。 构成：马兰戈尼型晶片清洗设备包括用于溶剂（B）的存储部分和用于晶片（34）的干燥部分和由上罩（206）和壳体（208）包围的洗涤单元。 为了防止干燥和洗涤室内的溶剂蒸汽泄漏，上罩与外壳布置而没有任何分离。 安装在液罐（200）中的加热器（201）以增加溶剂的蒸气压。 配备第三根管道，以避免由加热引起的蒸汽压过载，并使用控制阀（205）使压力恒定。

公开(公告)号：KR100169786B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019950053373

申请日：1995-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주진호 ,  강성철 ,  고용균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67353 ,  G01N1/34 ,  H01L21/67386 ,  Y10T436/25

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 오염 평가를 위해 마련되는 전 처리 분석장치에 관한 것으로, 특히 미량의 표면 불순물을 정량 분석하기 위해 시료로 제공되는 웨이퍼가 주변 환경과 격리되며, 일정량으로 공급되는 전 처리 용액에 의해 분석 및 평가가 가능한 웨이퍼 표면 불순물의 전 처리 분석 장치에 관한 것으로 웨이퍼가 고정될 수 있도록 내주면 상단에 요홈부가 형성되고, 외주면 둘레로 다수의 체결공이 형성된 하부 케이스와, 상기 하부 케이스와 대응하여 결합되도록 외주면 둘레에 체결공이 형성되고, 내주면 일 측에 용액 공급로가 형성된 상부 케이스와, 상기 상부 케이스 평면을 긴밀하게 막아 주며, 하부 케이스와 일체로 결합되도록 상부 커버가 구비되어 표면 불순물의 정량 분석이 가능하게 됨을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 불순물의 전 처� � 분석 장치.

公开(公告)号：KR1020090093627A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020080019261

申请日：2008-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  고용균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  G02F1/1303 ,  G02F2001/1316 ,  H01L21/02057

Abstract: An apparatus and method for cleaning substrate is provided to minimize the damage of patterns of the substrate caused by sonic energy by cleaning the substrate by weak sonic energy. The substrate(W) is placed in the substrate support member(100). The chemical supply member(300) supplies the chemical solution to the substrate. The vibrator(410) delivers the sound wave to the chemical solution. The vibration generation member(420) generates the sound wave and applies the sound wave to vibrator. The metal oxide is coated on the surface of vibrator. The metal oxide comprises yttrium oxide(Y2O3).

Abstract translation: 提供一种用于清洁衬底的设备和方法，以通过弱声波能量清洁衬底来最小化由声能引起的衬底图案的损伤。 将衬底（W）放置在衬底支撑构件（100）中。 化学品供应构件（300）将化学溶液供应到基底。 振动器（410）将声波传送到化学溶液。 振动产生构件（420）产生声波并将声波施加到振动器。 金属氧化物被涂覆在振动器的表面上。 金属氧化物包括氧化钇（Y 2 O 3）。

公开(公告)号：KR1020070064163A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020050124782

申请日：2005-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  임광신 ,  한명옥 ,  이헌정

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1037 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: A method for forming a recess channel transistor is provided to improve the reliability and to enhance the productivity by removing quickly a silicon fence using a wet etching process under hydrogen peroxide and ammonium hydroxide conditions. An isolation layer(118) for defining an active region is formed on a substrate(111). A trench is formed within the active region. A wet etching process is performed on the trench to remove a silicon fence, wherein the silicon fence exists between the trench and the isolation layer. The wet etching process is performed by using a predetermined etching solution containing ammonium hydroxide and hydrogen peroxide. The wet etching process is performed in a processing temperature of 80 °C or more.

Abstract translation: 提供一种用于形成凹槽通道晶体管的方法，以提高可靠性并通过在过氧化氢和氢氧化铵条件下使用湿蚀刻工艺快速移除硅栅栏来提高生产率。 在衬底（111）上形成用于限定有源区的隔离层（118）。 在有源区内形成沟槽。 在沟槽上进行湿蚀刻处理以去除硅栅栏，其中硅栅栏存在于沟槽和隔离层之间。 通过使用含有氢氧化铵和过氧化氢的预定蚀刻溶液来进行湿蚀刻工艺。 湿式蚀刻工艺在80℃以上的加工温度下进行。