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公开(公告)号：KR100803223B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020070094900
申请日：2007-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28141 , H01L21/28273 , H01L21/823468 , H01L29/788
Abstract: A semiconductor device having a pair of pins and a fabricating method thereof are provided to improve a short channel effect and to reduce an off current and junction leakage current, by preventing variation of a threshold voltage. A semiconductor substrate(110) has a pair of fins(105a,105b), and inner spacer insulating layers(155) which are spaced apart from each other are formed on upper portions of the fins to reduce a gate width between the fins. A gate electrode(170) covers a portion of outer sides of fins opposite to the inner spacer insulating layers, extends across the inner spacer insulating layers, and defines a void(160) between the fins. The semiconductor has a body(102), and the fins protrude from the body.
Abstract translation: 提供具有一对引脚及其制造方法的半导体器件，以通过防止阈值电压的变化来改善短沟道效应并减少截止电流和结漏电流。 半导体衬底（110）具有一对翅片（105a，105b），并且彼此间隔开的内部间隔绝缘层（155）形成在翅片的上部，以减小鳍片之间的栅极宽度。 栅电极（170）覆盖与内间隔物绝缘层相对的翅片的外侧的一部分，延伸穿过内间隔绝缘层，并且在翅片之间限定空隙（160）。 半导体具有主体（102），并且翅片从主体突出。
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公开(公告)号：KR100754386B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020040086540
申请日：2004-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/44
Abstract: 양방향 화학기상증착 시스템 및 이를 이용한 펄스형 공정 진행 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 양방향 화학기상증착 시스템은, 제 1 및 제 2 프로세스 챔버들, 하나 이상의 반응 소스들, 및 상기 반응 소스들에 대응되는 반응 소스 공급기들을 포함한다. 반응 소스 공급기들은 상기 반응 소스 각각과 연결되는 제 1 배관부, 일단은 상기 제 1 배관부와 연결되고 다른 단은 상기 제 1 프로세스 챔버와 연결되는 제 2 배관부, 및 일단은 상기 제 1 배관부와 연결되고 다른 단은 상기 제 2 프로세스 챔버와 연결되는 제 3 배관부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070069581A
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050131879
申请日：2005-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , D01F9/127 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00 , Y10T428/2918 , C01B32/05 , B01J6/00 , H01J1/30
Abstract: A method of growing carbon fiber at a low temperature, which can grow the carbon fiber at a low temperature of 450 deg.C or less by metal organic chemical vapor deposition, is provided. A preparation method of carbon fiber(20) comprises the steps of: mounting a substrate(10) in a reaction chamber(5), and heating the substrate to a temperature range from 200 to 450 deg.C to maintain the temperature range; preparing an organometallic compound including nickel(Ni) element; vaporizing the organometallic compound to prepare an organometallic compound vapor; and supplying the organometallic compound vapor and a reaction gas including ozone(O3) into the reaction chamber, thereby chemically reacting the organometallic compound vapor with the reaction gas to grow carbon fiber on the substrate. The organometallic compound is at least one material selected from the group consisting of Ni(C5H5)2, Ni(CH3C5H4), Ni(C5H7O2)2, Ni(C11H19O2)2, Ni(C7H16NO) and Ni(C7H17NO)2. The carbon fiber is vertically grown. The substrate is a glass substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate, or a silicon substrate.
Abstract translation: 提供了一种通过金属有机化学气相沉积在低温下生长碳纤维在低于450℃或更低的温度下生长碳纤维的方法。 碳纤维（20）的制备方法包括以下步骤：将基材（10）安装在反应室（5）中，并将基材加热到200-450℃的温度范围，以保持温度范围; 制备包括镍（Ni）元素的有机金属化合物; 蒸发有机金属化合物以制备有机金属化合物蒸气; 并将有机金属化合物蒸气和包含臭氧（O 3）的反应气体供给到反应室中，从而使有机金属化合物蒸气与反应气体化学反应，以在基材上生长碳纤维。 有机金属化合物是选自Ni（C 5 H 5）2，Ni（CH 3 C 5 H 4），Ni（C 5 H 7 O 2）2，Ni（C 11 H 19 O 2）2，Ni（C 7 H 16 NO）和Ni（C 7 H 17 NO）2）中的至少一种。 碳纤维垂直生长。 基板是玻璃基板，蓝宝石基板，塑料基板或硅基板。
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公开(公告)号：KR100707201B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050070076
申请日：2005-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/65
Abstract: 본 발명은 강유전체 캐패시터, 그 제조 방법 및 강유전체 메모리 소자에 관한 것이다. 강유전체 캐패시터에 있어서, Ir-Ti 또는 Ru-Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물로 형성된 제 1전극층; 상기 제 1전극층 상에 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공한다. 별도의 산화 방지막 등이 필요 없으며, 내산화성을 향상시킬 수 있고, 단순한 구조를 지니며, 경제적으로 우수한 합금 전극 및 이를 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100693820B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050082479
申请日：2005-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: C23C26/00 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 코팅 시 발생하는 에지 비드(edge bead) 문제를 해결하기 위한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법에 관한 것으로, 자기장 발생 장치를 이용하여 이온화된 솔벤트 증기에 의한 솔벤트 증기층을 웨이퍼의 표면에 형성하고, 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트액을 분사(spray)함으로서, 포토레지스트액이 웨이퍼의 에지(edge)에서 많이 증발하는 것을 방지하여 에지 비드가 발생하는 것을 방지한다.
포토레지스트 코팅, 에지 비드(edge bead)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100540260B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030054373
申请日：2003-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/40
Abstract: 본 발명은 광 도파로와 광섬유를 함께 연결시키기 위한 V 그루브가 상기 광 도파로와 상응하도록 형성되는 하이브리드 플랫폼에 있어서, 상기 V 그루브의 양측에 일정 간격을 갖는 보조 V 그루브를 형성하여, 상기 V 그루브와 보조 V 그루브간의 최소 선폭에 의해 쏘잉(sawing) 공정시 식각 마스크가 용이하게 분리되도록 하여, 광섬유 정렬시, 삽입을 가로막는 식각마스크를 완전히 제거할 수 있는 효과가 있다.
하이브리드 플랫폼, 광섬유, V 그루브, 시각 마스크, 최소선폭-
公开(公告)号：KR1020050105695A
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020040030928
申请日：2004-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 본 발명은 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 트랜지스터 구조체를 포함하는 메모리 소자의 캐패시터에 있어서, 상기 트랜지스터 구조체의 불순물 영역 상에 형성되며, 금속 전극 및 금속 산화물 전극을 포함하는 하부 전극; 상기 하부 전극을 둘러싸며 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 피로 특성이 좋으며, 고집적 반도체 메모리 소자의 구현이 가능하다.
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公开(公告)号：KR101424139B1
公开(公告)日：2014-08-04
申请号：KR1020080075619
申请日：2008-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 적층 구조에 대한 접근이 용이한 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법이 제공된다. 적어도 한층으로 적층되고, 데이터를 저장할 수 있는 복수의 가변 저항체들이 제공된다. 적어도 하나의 층선택 비트 라인은 상기 복수의 가변 저항체들의 제 1 단에 결합된다. 복수의 비트 라인들은 상기 복수의 가변 저항체들의 제 2 단에 결합된다. 복수의 선택 트랜지스터들은 상기 복수의 비트 라인들 및 상기 복수의 가변 저항체들의 사이에 결합된다. 복수의 워드 라인들은 상기 복수의 선택 트랜지스터들의 온-오프를 제어하도록 상기 복수의 선택 트랜지스터들에 결합된다.
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