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公开(公告)号：KR101177277B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020060138863
申请日：2006-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/28282
Abstract: 본 발명은 금속-부도체 전이 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자에 관하여 개시한다. 개시된 금속-부도체 전이 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자는, 기판 상에 형성된 터널층, 전하 저장층, 블로킹층, 게이트 전극으로 구성된 게이트 적층물을 구비하며, 상기 터널층 및 상기 블로킹층 중 적어도 어느 하나는 MIT 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100829557B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020020035141
申请日：2002-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 열자기 자발 홀 효과를 이용한 자기 램 및 이를 이용한 데이터 기록 및 재생 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 자기 램은 MOS 트랜지스터와 이것의 소오스와 연결되고 데이터가 기록되는 메모리 층과 메모리 층을 가열하기 위한 히팅 수단과 데이터 기록시에 상기 메모리 층의 히팅된 영역의 자화 상태를 바꾸기 위해 자기장을 인가하도록 구비된 기록 라인을 구비한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 고집적에 따른 코아시브티의 증가 및 셀의 열적 안정성 문제를 해소할 수 있고, 셀 저항이 작아서 초고속 동작이 가능하며, 제조 공정이 단순하여 제조 비용을 줄일 수 있다. 또한, 메모리 층의 자화 상태에 따른 자발 홀 전압차가 크기 때문에, 높은 데이터 센싱 마진을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100803210B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060031933
申请日：2006-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극, 이를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극은, 기판 상에 형성된 ZnO층; 및 상기 ZnO층 상에 형성된 탄소나노튜브를 구비한다. 따라서, ZnO층 상에 형성한 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 전극을 전계 방출 소자에 적용하여 구동 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.
단일벽 탄소나노튜브, ZnO, 전계 방출 전극, 촉매, 물플라즈마 화학기상증착법-
公开(公告)号：KR100773537B1
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020030035562
申请日：2003-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 한 개의 트랜지스터와 한 개의 저항체를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판에 형성된 트랜지스터와 상기 트랜지스터의 드레인에 연결된 데이터 저장부를 구비하되, 상기 데이터 저장부가 소정의 전압 범위에서 나타나는 저항 특성이 다른 전압 범위에서 나타나는 저항 특성과 전혀 다른 데이터 저장 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 1T-1R 또는 1D-1R로 구성된 비휘발성 메모리 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020070100532A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：KR1020060031933
申请日：2006-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , B82Y40/00
Abstract: A field emission electrode using carbon nanotubes and a manufacturing method thereof are provided to reduce a driving voltage of a field emission device by applying an electrode including single-walled carbon nanotubes formed on a ZnO layer. A field emission electrode includes a substrate(10), a ZnO layer(12) formed on the substrate and carbon nanotubes(16) formed on the ZnO layer. The carbon nanotubes is grown on a catalyst material(14). The conductivity of the ZnO layer is controlled by doping a dopant containing any one of In, Al, Li, Tb, Ga, Co, B and Zr. Since the ZnO layer is stable at a relatively high temperature, the carbon nanotubes are stably formed on the substrate at a relatively high temperature.
Abstract translation: 提供使用碳纳米管的场致发射电极及其制造方法，通过施加包含形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极来降低场致发射器件的驱动电压。 场致发射电极包括基板（10），形成在基板上的ZnO层（12）和形成在ZnO层上的碳纳米管（16）。 碳纳米管在催化剂材料（14）上生长。 通过掺杂含有In，Al，Li，Tb，Ga，Co，B和Zr中的任一种的掺杂剂来控制ZnO层的导电性。 由于ZnO层在相对高的温度下是稳定的，所以在相对较高的温度下在基板上稳定地形成碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060056460A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040095548
申请日：2004-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 탄소나노튜브 합성에 촉매로써 작용하는 촉매입자가 함유된 유기 금속 화합물과 탄소 공급원을 포함하는 혼합액을 형성하는 제1 단계와, 표면상에서 상기 탄소나노튜브가 합성되는 지지체를 상기 혼합액에 첨가하는 제2 단계와, 상기 지지체가 첨가된 상기 혼합액에 초음파를 조사하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050071757A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000052
申请日：2004-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 반도체성 탄소나노튜브의 선별방법이 개시된다.
본 발명은 탄소나노튜브와 황산 및 질산을 혼합한 혼산용액을 혼합하는 단계; 상기 탄소나노튜브 분산용액을 교반하는 단계; 상기 분산용액을 여과하는 단계; 및 여과된 탄소나노튜브를 가열하여 관능기를 제거하는 단계를 포함하는 반도체성 탄소나노튜브의 선별방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 간단한 공정을 통해 반도체성 탄소나노튜브를 대량 및 고순도로 선별해 낼 수 있기 때문에 메모리소자나 센서 등 다른 소자에 응용성을 극대화시킬 수 있으며 디펙트가 있는 탄소나노튜브도 함께 제거할 수 있다는 장점이 있다. 한편, 본 발명에 따르면 탄소나노튜브 조생성물에서 불순물을 제거하는 공정과 반도체성 탄소나노튜브를 분리하는 공정을 함께 수행할 수도 있으므로 공정의 효율면에서 매우 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020050071751A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000042
申请日：2004-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , C12N15/1006 , C12Q1/6806 , C01B32/158 , C12Q2563/155 , C12Q2563/157
Abstract: 본 발명은 핵산을 함유하는 시료 및 염 용액의 혼합물을 탄소나노튜브에 접촉시키는 단계; 세척 버퍼를 사용하여 상기 핵산 탄소나노튜브 복합체를 세척하는 단계; 및 상기 핵산 탄소나노튜브 복합체로부터 핵산을 용출하는 단계를 포함하는, 탄소나노튜브를 이용한 핵산의 정제 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020040066420A
公开(公告)日：2004-07-27
申请号：KR1020030003476
申请日：2003-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C15/02
Abstract: PURPOSE: An MRAM having a unit cell formed with one transistor and two MTJs and a fabricating method thereof are provided to enhance a sensing margin and reduce noise by using two MTJ cells as a main cell and a reference cell, respectively. CONSTITUTION: An MRAM having a unit cell formed with one transistor and two MTJs includes a semiconductor substrate, a transistor, a plurality of interlayer dielectrics, a first MTJ cell, and a second MTJ cell. The transistor is formed on the semiconductor substrate(50). The interlayer dielectrics(60,62,68,70) are formed on the semiconductor substrate to cover the transistor. The first and the second MTJ cells(42,44) are connected in parallel to a drain region of the transistor within the interlayer dielectrics. The first MTJ cell as a main cell is connected to a first bit line within the interlayer dielectrics. The second MTJ cell as a reference cell is connected to a second bit line within the interlayer dielectrics.
Abstract translation: 目的：提供具有由一个晶体管和两个MTJ形成的单元的MRAM及其制造方法，以分别通过使用两个MTJ单元作为主单元和参考单元来增强感测余量并降低噪声。 构成：具有由一个晶体管和两个MTJ形成的单元电池的MRAM包括半导体衬底，晶体管，多个层间电介质，第一MTJ电池和第二MTJ电池。 晶体管形成在半导体衬底（50）上。 层间电介质（60,62,68,70）形成在半导体衬底上以覆盖晶体管。 第一和第二MTJ电池（42,44）与层间电介质中的晶体管的漏极区域并联连接。 作为主单元的第一MTJ单元连接到层间电介质内的第一位线。 作为参考单元的第二MTJ单元连接到层间电介质内的第二位线。
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公开(公告)号：KR100374795B1
公开(公告)日：2003-03-03
申请号：KR1020010001882
申请日：2001-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박완준
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: PURPOSE: A magnetic random access memory(MRAM) device is provided, which decodes data with a unit cell, and also improves an operation speed with a low MR(MagnetoResistance) ratio. CONSTITUTION: The MRAM device comprises a word line(30), a data decoding line(20), a write line and a memory array. The memory array comprises a plurality of cells, and each cell comprises four magnetoresistive devices connected in a wheatstone bridge type. Two magnetoresistive devices are active magnetoresistive devices whose magnetization orientation is varied due to a magnetic field and are connected serially, and the other two magnetoresistive devices are passive magnetoresistive devices which are not influenced by a magnetoresistance and are connected serially. And the word line is crossed with a cross point between two active magnetoresistive devices and a cross point between two passive magnetoresistive devices. The data decoding line is formed by being crossed with a cross point of the active resistor device and the passive resistor device. And the write line is formed above or below the active magnetoresistive device.
Abstract translation: 目的：提供一种磁随机存取存储器（MRAM）装置，其用单位单元解码数据，并且还以较低的MR（磁阻）比提高操作速度。 构成：MRAM器件包括字线（30），数据解码线（20），写入线和存储器阵列。 存储器阵列包括多个单元，并且每个单元包括以惠斯通电桥类型连接的四个磁阻器件。 两个磁阻器件是有源磁阻器件，其磁化方向因磁场而变化，并串联连接，另外两个磁阻器件为不受磁阻影响且串联连接的无源磁阻器件。 字线与两个有源磁阻器件之间的交叉点和两个无源磁阻器件之间的交叉点交叉。 数据解码线通过与有源电阻器件和无源电阻器件的交叉点交叉而形成。 写入线形成在有源磁阻器件的上方或下方。
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