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公开(公告)号：KR101900738B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020120092056
申请日：2012-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: COF 기판은베이스필름, 제 1 상부도전패턴들, 적어도하나의제 2 상부도전패턴, 및하부도전패턴들을포함한다. 제 1 상부도전패턴들은상기베이스필름의상부면에배열된다. 제 1 상부도전패턴들각각은서로이격된인너패턴과아우터패턴을포함한다. 제 2 상부도전패턴은상기베이스필름의상부면에상기제 1 상부도전패턴들사이에위치하도록배열된다. 하부도전패턴들은베이스필름의하부면에배열되어, 상기인너패턴과상기아우터패턴을전기적으로연결시킨다. 따라서, 미세한피치를갖는패널패턴들간의쇼트발생이상기된 COF 기판구조에의해억제된다.
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公开(公告)号：KR101686199B1
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020100027467
申请日：2010-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/683 , H01L25/065 , H01L25/10
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/05171 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48235 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73277 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 반도체하우징패키지를제공할수 있다. 상기반도체하우징패키지는몰드막, 하우징칩, 재배선패턴및 하우징단자를포함할수 있다. 상기몰드막은하우징칩을감싸면서하우징칩을부분적으로노출시킬수 있다. 상기재배선패턴은하우징칩과전기적으로접속하면서몰드막상에배치될수 있다. 상기하우징단자는재배선패턴과접촉할수 있다. 상기반도체하우징패키지는반도체베이스패키지상에위치하면서반도체베이스패키지와함께반도체패키지구조물을구성할수 있다. 상기반도체패키지구조물은프로세서베이스드시스템에배치될수 있다.
Abstract translation: 可以提供半导体外壳封装。 半导体外壳封装可以包括模具层，壳体芯片，再分布结构和壳体节点。 模具层可围绕并部分地暴露外壳芯片。 再分布结构可以电连接到壳体芯片并且可以设置在模具层上。 壳体节点可以与再分布结构接触。 半导体外壳封装可以设置在半导体基底封装上，并且可以与半导体基底封装构成半导体封装结构。 半导体封装结构可以设置在基于处理器的系统上。
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公开(公告)号：KR101583354B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020090048214
申请日：2009-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/04 , H01L23/3128 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2224/0401
Abstract: 반도체패키지의형성방법을제공한다. 제 1 기판상에제 1 칩을포함하는 1 패키지를형성하고, 제 2 기판상에제 2 칩을포함하는 2 패키지를형성하고, 비아홀 및리세스구조가제공된몰딩캡을형성하고, 상기몰딩캡을개재하여상기제 1 패키지상에상기제 2 패키지를제공한다. 상기비아홀은상기리세스구조와동시에형성된다.
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公开(公告)号：KR1020100129577A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020090048214
申请日：2009-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/04 , H01L23/3128 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2224/0401
Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device package is provided to form a package structure with high reliability by controlling the shape of a via hole. CONSTITUTION: The lower side of a molding cap(120) is formed with a recess structure(123) corresponding to a first package. A first package is formed by providing a first chip to a first substrate. The first substrate is electrically connected to the first chip with a bonding bump or bonding wire. A first pad is formed on the upper side of the first substrate for electrical connection.
Abstract translation: 目的：提供一种形成半导体器件封装的方法，通过控制通孔的形状来形成具有高可靠性的封装结构。 构成：成形盖（120）的下侧形成有与第一包装对应的凹部结构（123）。 通过向第一基板提供第一芯片形成第一封装。 第一基板通过接合凸块或接合线与第一芯片电连接。 第一衬垫形成在第一衬底的上侧，用于电连接。
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