公开(公告)号：KR1020040106944A

公开(公告)日：2004-12-20

申请号：KR1020030036260

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  배도인 ,  정이하 ,  권경수 ,  이승배

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for preventing sliding on a blade for moving a wafer is provided to restrain the sliding by maintaining a fixing state of a ring groove by using an O-ring fixed on the ring groove. CONSTITUTION: An apparatus for preventing sliding on a blade includes a plurality of ring grooves(10), an air outlet(20), and an O-ring(30). The ring grooves are formed to be correspond to each other with a central line between them. The air outlet penetrates a plate surface at a center of the ring grooves. The O-ring has a cross sectional diameter which is greater than the ring groove at a stepped portion of the air outlet. A header portion of an upper terminal has an outer diameter which is greater than an inner diameter of the O-ring and smaller than a central diameter between the inner and outer diameters of the O-ring. A fixing unit(40) having a ventilating groove(43) normal to the central portion of the header of the upper terminal fixes the O-ring firmly by bolt-coupling the ventilating groove with a lower connector thereof.

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止在刀片上滑动以移动晶片的装置，以通过使用固定在环形槽上的O形环来维持环形槽的固定状态来抑制滑动。 构成：用于防止在叶片上滑动的装置包括多个环形槽（10），空气出口（20）和O形环（30）。 环槽形成为在它们之间具有中心线而彼此对应。 空气出口穿过环形槽的中心的板表面。 O形环的横截面直径大于空气出口的阶梯部分处的环形槽。 上端子的头部具有比O形环的内径大的外径，并且小于O形环的内径和外径之间的中心直径。 具有与上端子的集管的中心部分垂直的通风槽（43）的固定单元（40）通过将通风槽与其下连接器螺栓连接来牢固地固定O形环。

公开(公告)号：KR1020050077155A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：KR1020040005085

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하민호 ,  전진호 ,  정이하

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578

Abstract: 플라즈마 강화된 화학기상 증착 장비를 제공한다. 이 장비는 공정 챔버을 관통하는 가스 분사관을 포함한다. 가스 분사관에는 그것의 측벽일부로 이루어진 분사 영역이 배치된다. 분사 영역 내에는 복수개의 분사 슬롯들이 배치된다. 분사 슬롯들에 의하여 공정 챔버의 내부에 유도된 플라즈마력이 가스 분사관 내로 침투하는 현상을 최소화하여 파티클성 오염을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020087615A

公开(公告)日：2002-11-23

申请号：KR1020010026441

申请日：2001-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대현 ,  정이하

IPC: G01M3/04

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for gas leakage test is provided to prevent process error by automatically detecting gas leakage and preventing gas from entering the main facility. CONSTITUTION: A method for gas leakage test, comprises the steps of checking pressure of the gas entering the main facility from a gas bombe cabinet system which supplies gas to a semiconductor manufacturing system; warning gas leakage upon detection of the increase of pressure of gas; and preventing gas from entering the main facility. An apparatus for gas leakage test, comprises a pressure sensor(50) for detecting pressure of gas; a control unit(52) for generating warning sound when the pressure detected by the pressure sensor is higher than the previously detected pressure; and solenoid valves(60,62) arranged at the gas supply path, and which cut off gas supply in accordance with the control of the control unit, upon detection of gas leakage.

Abstract translation: 目的：提供气体泄漏试验的方法和装置，通过自动检测气体泄漏并防止气体进入主设备来防止过程误差。 构成：一种气体泄漏试验方法，其特征在于，包括：向从半导体制造系统供给气体的气体保护箱系统检查进入主设备的气体的压力的步骤; 在检测到气体压力增加时警告气体泄漏; 并防止气体进入主设备。 一种用于气体泄漏测试的装置，包括用于检测气体压力的压力传感器（50） 用于当由压力传感器检测到的压力高于先前检测到的压力时产生警告声音的控制单元（52）; 以及布置在气体供给路径处的电磁阀（60,62），并且在检测到气体泄漏时根据控制单元的控制切断气体供应。

公开(公告)号：KR1020000051033A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001265

申请日：1999-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종영 ,  정이하

IPC: C23C14/00

CPC classification number: C23C16/45574

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor depositor is provided to inlet plurality of chemical vapor depositing source gas to a head supplying gas to a substrate at the same time. CONSTITUTION: Reduced gas and tungsten source gas are supplied to the surface of a substrate(4) at the same time even if one between two gas is inlet to a head(60) faster than the other due to time difference of a first and a second valve(25,35) and a first and a second gas flow adjuster(20,30). First inlet gas is discharged at the initial stage of a chemical vapor deposition for 1 to 2 seconds. After that, two gases are fed to the head at the same time. Thus, a chemical vapor depositor prevents defect caused by reaching time difference of reduced gas and tungsten source gas.

Abstract translation: 目的：提供一种化学气相沉积器，用于将多个化学气相沉积源气体引入到同时向衬底供应气体的头部。 构成：即使在两个气体之间的两个气体之间的一个入口到另一个头部（60）的速度比第一和第二气体的时间差更快的情况下，还原的气体和钨源气体被同时供应到基板（4）的表面 第二阀（25,35）和第一和第二气流调节器（20,30）。 第一入口气体在化学气相沉积的初始阶段排出1至2秒。 之后，同时向头部供给两种气体。 因此，化学气相沉积器可以防止由于减少的气体和钨源气体到达时间差造成的缺陷。

公开(公告)号：KR1020000034537A

公开(公告)日：2000-06-26

申请号：KR1019980051876

申请日：1998-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종영 ,  정이하

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A patterning method of a wiring metal layer is provided to simplify fabrication process and improve productivity of equipment. CONSTITUTION: In a patterning method of a wiring metal layer, the wiring metal layer is deposited on a semiconductor substrate. Next, a hard mask layer such as plasma oxide is formed on the wiring metal layer, and continuously an anti-reflection layer such as plasma-enhanced silicon nitride is applied in situ to improve a margin during a photo etching process. The wiring metal layer is then patterned through a photo lithography method. In the patterning method, the forming processes of the hard mask layer and the anti-reflection layer are performed in situ. Therefore, two steps in one equipment are reduced by half, so that a fabrication process can be simplified and productivity of the equipment is improved.

Abstract translation: 目的：提供布线金属层的图案化方法，以简化制造工艺并提高设备的生产率。 构成：在布线金属层的图案化方法中，布线金属层淀积在半导体基板上。 接下来，在布线金属层上形成等离子体氧化物等硬掩模层，并且在光蚀刻工艺中原位施加等离子体增强氮化硅等防反射层，以提高边缘。 然后通过照相光刻法将布线金属层图案化。 在图案化方法中，原位进行硬掩模层和防反射层的形成处理。 因此，一个设备中的两个步骤减少了一半，从而可以简化制造过程并且提高设备的生产率。

公开(公告)号：KR1019990065756A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980001190

申请日：1998-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임용균 ,  정이하

IPC: H01L21/68

Abstract: 물질이 통과하는 주관에 연결되어 주관을 통과하는 물질의 특성을 검출하기 위한 부관의 기능이 상기 주관과 부관의 연결부위가 주관을 통과하는 물질의 파우더 등에 의하여 봉쇄되어 부관이 제기능을 발휘하지 못하는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치의 물질 이동 통로에 관하여 개시한다. 주관에 연결된 슬로우 펌프 라인을 봉쇄하여 펌핑 속도를 저하시키거나, 파우더 등의 누적으로 인하여 쳄버 분위기를 오염시키거나 하는 등의 문제가 발생하는 경우 공정 쳄버 내부의 상태가 정상이라 하여도 펌핑 라인 또는 펌핑 밸브를 교체하거나 세정한 후에 재사용하여야 하지만, 주관에 연결된 부관의 입구를 주관의 내부면에 비하여 돌출되게 형성함으로써 그 입구를 봉쇄하는 필름 등이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이로써 펌핑 속도를 유지할 수 있으며, 반도체 제조 설비의 사용 주기를 연장할 수 있는 장점을 갖는다.

公开(公告)号：KR1019990025200A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046739

申请日：1997-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정이하

IPC: H01L27/108

Abstract: 매엽식 HSG(HemiSpherical Grain) 형성 공정에 사용되는 설비의 챔버 내벽에 프리코팅(pre-coating)한 후 커패시터의 하부 전극 표면에 HSG를 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 내부에 웨이퍼를 로딩할 수 있는 서셉터가 구비된 증착 챔버를 갖춘 증착 장치를 사용한다. 세정 단계를 거친 직후의 증착 챔버의 내벽에 소정의 가스를 사용하여 4 ∼ 5시간동안 프리코팅을 행하고, 상기 프리코팅된 챔버의 내부에 커패시터의 하부 전극 패턴이 형성된 웨이퍼를 로딩하고, 상기 하부 전극 패턴의 표면에 HSG층을 형성한다.