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公开(公告)号：KR1020110082865A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002776
申请日：2010-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to bend the boundary surface between a second electrode exposure area and a semiconductor laminate, thereby preventing lowering of the leakage feature of a light emitting device. CONSTITUTION: A semiconductor laminate comprises first and the second major surfaces which face each other. The semiconductor laminate includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. A connecting fixture is connected from the second major surface to one side of the first conductive semiconductor layer. A first electrode layer is connected to one side of the first conductive semiconductor layer through the connection fixture. A second electrode layer is formed on the second major surface of the semiconductor laminate.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法来使第二电极曝光区域和半导体层叠体之间的边界面弯曲，从而防止发光器件的泄漏特征的降低。 构成：半导体层叠体包括彼此面对的第一和第二主表面。 半导体层叠体包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。 连接夹具从第二主表面连接到第一导电半导体层的一侧。 第一电极层通过连接夹具连接到第一导电半导体层的一侧。 第二电极层形成在半导体层叠体的第二主表面上。
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公开(公告)号：KR1020100063650A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090110315
申请日：2009-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to possible uniform electric current dispersion into an electrode of a small area by including one or more contact holes capable of smoothing the electric current dispersion. CONSTITUTION: An insulating layer(130), a second electrode layer(120), a second conductive semiconductor layer(113), an active layer(112) and the first conductive semiconductor layer(111) are successively formed on a conductive substrate(150). The conductive substrate includes one or more contact holes. The contact hole is expanded from the single-side of the conductive substrate to the partial area of the first conductive semiconductor layer. The second electrode layer includes an domain exposed a part among the interface of the second conductive semiconductor layer. An etch-stop layer is formed on the exposed area.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，通过包括能够使电流分散平滑化的一个或多个接触孔，将可能的均匀电流分散到小面积的电极中。 构造：在导电基板（150）上依次形成绝缘层（130），第二电极层（120），第二导电半导体层（113），有源层（112）和第一导电半导体层 ）。 导电性基板包括一个或多个接触孔。 接触孔被从导电性基板的单面扩大到第一导电半导体层的部分区域。 所述第二电极层包括暴露域在第二导电半导体层的界面中的一部分。 形成在暴露区域的蚀刻停止层。
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公开(公告)号：KR101823929B1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR1020110054945
申请日：2011-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명은반도체발광장치에관한것으로, 도전성기판; 상기도전성기판에배치되며, 제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에위치한활성층을갖는복수의발광구조물; 상기복수의발광구조물이구동가능한 LED 구동회로를구성하도록상기복수의발광구조물을선택적으로연결하는복수의전기연결부; 상기도전성기판과상기복수의발광구조물사이에형성된절연층; 상기 LED 구동회로의제1 및제2 단에관련된발광구조물의해당도전형반도체층과각각연결된제1 및제2 외부접속단자; 및상기 LED 구동회로내의중간접점과관련된발광구조물의해당도전형반도체층을상기도전성기판에연결하도록상기절연층을관통하여형성된복수의도전성비아를포함하고, 상기도전성기판은중간접속단자로제공되며, 상기 LED 구동회로는상기제1 외부접속단자와상기중간접속단자사이의제1 서브회로와상기중간접속단자와상기제2 외부접속단자사이의제2 서브회로를포함하는반도체발광장치를제공한다.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件以提高芯片的设计自由度并通过简化每个单元LED单元的连接和布线类型来提高可靠性。 构成：多个发光结构（10）被布置在导电基板（11）上。 多个发光结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。 在发光结构之间形成绝缘层。 第一和第二外部连接端子（A，B）分别连接到发光结构的对应导电半导体层。
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公开(公告)号：KR1020170054054A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150156745
申请日：2015-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60
Abstract: 본발명은반도체발광소자, 발광패키지, 및발광모듈에관한것으로서, 제 1 도전형반도체층, 활성층, 및제 2 도전형반도체층이순차적층된발광적층체; 상기제 2 도전형반도체층을적어도부분적으로둘러싸는봉지층; 및상기제 1 도전형반도체층을덮도록배치된파장변환층을포함하는발광패키지를제공한다. 상기봉지층또는상기파장변환층은 AlInGaN(0≤x,y,z≤1, x=y=z=0 및 x=y=z=1 제외) 화합물반도체의열팽창계수보다더 큰열팽창계수를가질수 있다. 본발명의반도체발광소자, 발광패키지, 또는발광모듈은동작온도에서열적드룹이완화되어발광효율이개선되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，发光器件封装，以及发光模块，所述第一导电半导体层，有源层，第二mitje导电型半导体层为发光层依次层叠体; 密封层，其至少部分地围绕第二导电类型半导体层; 以及被布置为覆盖第一导电类型半导体层的波长转换层。 密封层或波长转换层由AlInGaN（0≤X，Y，z≤1，X = Y = Z = 0和X = Y = Z = 1除外）可以具有的热膨胀比化合物半导体的热膨胀系数的任何更大的系数 有。 的半导体发光器件，发光器件封装，或本发明的发光模块具有热下垂减轻操作温度以提高发光效率的效果。
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公开(公告)号：KR101711960B1
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020100063352
申请日：2010-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은, 서로대향하는제1 및제2 주면을가지며, 각각상기제1 및제2 주면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에형성된활성층을가지며, 분리홈에의해제1 및제2 영역으로분할된반도체적층체와, 상기제1 영역의제2 주면으로부터상기활성층을지나상기제1 도전형반도체층의일 영역에연결된적어도하나의콘택홀과, 상기반도체적층체의제2 주면상에형성되며, 상기적어도하나의콘택홀을통해상기제1 영역의제1 도전형반도체층에연결되고상기제2 영역의제2 도전형반도체층에연결된제1 전극과, 상기제1 영역의제2 주면상에형성되며상기제1 영역의제2 도전형반도체층에연결된제2 전극과, 상기제2 전극과상기제2 영역의제1 도전형반도체층을연결하는전극연결부를포함하는반도체발광장치를제공한다.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，通过将多个接触孔分散到适当的位置，在大面积上提供高电流色散效率。 构成：通过分离槽将半导体层叠体（15）分割为第一区域和第二区域。 半导体层叠体包括彼此面对的第一和第二主表面。 半导体层叠体包括提供第一和第二主表面的第一和第二导电半导体层（15a，15c）和形成在第一和第二导电半导体层之间的有源层（15b）。 在从第一和第二主表面穿过有源层之后，至少一个或多个接触孔（H）连接到第一导电半导体层的一个区域。 第一电极（12）通过一个或多个接触孔与第一导电半导体层连接。 第二电极（14）连接到第二导电半导体层。 电极连接部分（17）将第二电极和第一导电半导体层互相连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160028086A
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020140116461
申请日：2014-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면과그 사이의측면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에위치한활성층을갖는반도체적층체와, 상기반도체적층체의제1 면에위치하며상기제1 도전형반도체층에접속된제1 전극과, 상기반도체적층체의제2 면에위치하며상기제2 도전형반도체층에접속된제2 전극과, 상기제2 전극에연결되어상기반도체적층체의제1 면까지연장된연결전극(connecting electrode)과, 상기제2 전극상에위치하는지지기판과, 상기연결전극과상기활성층및 상기제1 도전형반도체층사이에배치된절연막을포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于防止可靠性劣化的半导体发光器件。 半导体发光器件包括：具有彼此面对的第一表面和第二表面以及它们之间的侧表面的半导体层叠体，设置在第一表面和第二表面中的每个表面上的第一和第二导电类型半导体层，以及 位于它们之间的活性层; 第一电极，其位于半导体层叠体的第一表面上并连接到第一导电类型半导体层; 第二电极，其位于半导体层叠体的第二表面上并连接到第二导电类型半导体层; 连接电极，其连接到第二电极并延伸到半导体层叠体的第一表面; 位于所述第二电极上的支撑基板; 以及布置在连接电极，有源层和第一导电类型半导体层中的绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020130109319A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020120030950
申请日：2012-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/005 , H01L24/24 , H01L27/156 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device, a light emitting module, and a lighting device are provided to improve optical efficiency by minimizing a decrease of an effective luminescence area due to an isolation process. CONSTITUTION: A semiconductor laminate is formed on a substrate (5). The semiconductor laminate is divided into light emitting cells by an isolation area. A line part (56) electrically connects the light emitting cells. The line part includes a sub connection line (56a) directly connected to the light emitting cell, a main connection line connecting a part of the sub connection line and a first and a second bonding pad. The tilt angle of the line part on the lateral surface of the light emitting cell is larger than the tilt angle of another part on the lateral surface of the light emitting cell.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件，发光模块和照明器件，以通过最小化由隔离过程引起的有效发光面积的减小来提高光学效率。 构成：在基板（5）上形成半导体层叠体。 半导体层叠体通过隔离区域分成发光单元。 线部分（56）电连接发光单元。 线部分包括直接连接到发光单元的子连接线（56a），连接子连接线的一部分的主连接线和第一和第二接合焊盘。 发光单元的侧面上的线部分的倾斜角度大于发光单元的侧表面上的另一部分的倾斜角。
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公开(公告)号：KR1020110085726A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005659
申请日：2010-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to optimize the arrangement structure of electrodes, thereby enhancing electrical features and external light extraction efficiency. CONSTITUTION: A first conductive contact layer(104) is formed on a conductive substrate(107). A light emitting structure is formed on the first conductive contact layer. The light emitting structure comprises a first conductive semiconductor layer(103), an active layer(102), and a second conductive semiconductor layer(101). An insulator(106) is interposed between a first conductive contact layer and a conductive substrate. The conductive substrate supports the light emitting structure.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以优化电极的布置结构，从而增强电气特征和外部光提取效率。 构成：在导电基板（107）上形成第一导电接触层（104）。 在第一导电接触层上形成发光结构。 发光结构包括第一导电半导体层（103），有源层（102）和第二导电半导体层（101）。 绝缘体（106）介于第一导电接触层和导电基底之间。 导电基板支撑发光结构。
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公开(公告)号：KR1020100044726A
公开(公告)日：2010-04-30
申请号：KR1020090100912
申请日：2009-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to maximize a light emitting area by forming a part of an electrode on a light emitting surface and arranging the remained part of the electrode on the lower side of an active layer. CONSTITUTION: A conductive substrate(110), a first electrode layer(120), an insulation layer(130), a second electrode layer(140), a second semiconductor layer(150), an active layer(160) and a first semiconductor layer are successively stacked. A part of the surface of the interface between the second electrode layer and the second semiconductor layer is exposed. The first electrode layer passes through the second electrode layer, the second semiconductor layer and the active layer. The first electrode layer is connected to the first semiconductor layer through contact holes(180).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，用于通过在发光表面上形成电极的一部分来使发光面积最大化，并将电极的剩余部分布置在有源层的下侧。 构造：导电基板（110），第一电极层（120），绝缘层（130），第二电极层（140），第二半导体层（150），有源层（160）和第一半导体 层依次层叠。 第二电极层和第二半导体层之间的界面的一部分露出。 第一电极层穿过第二电极层，第二半导体层和有源层。 第一电极层通过接触孔（180）连接到第一半导体层。
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公开(公告)号：KR1020160101226A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150022468
申请日：2015-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의반도체발광소자는지지기판; 상기지지기판상에배치되며, 상기지지기판에인장응력(tensile stress)을인가하는제1 층; 상기제1 층상에배치되는본딩층; 상기본딩층상에배치되며, 상기지지기판에압축응력(compressive stress)을인가하는제2 층; 및상기제2 층상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括：支撑衬底; 布置在所述支撑基板上以向所述支撑基板施加拉伸应力的第一层; 布置在第一层上的结合层; 布置在所述接合层上以向所述支撑基板施加压缩应力的第二层; 以及布置在所述第二层上并包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构。 因此，半导体发光器件可以提高发光效率。
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