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    상변화 메모리 장치의 제조 방법
    11.
    发明公开
    상변화 메모리 장치의 제조 방법 无效
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020090021762A

    公开(公告)日：2009-03-04

    申请号：KR1020070086555

    申请日：2007-08-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 호리이히데끼 ,  배준수 ,  구봉진 ,  하용호

    IPC: H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

    Abstract: A manufacturing method of the phase change memory device is provided to reduce the driving current without increasing the resistance. A contact region is formed on a substrate. A bottom electrode(130) electrically connected to the contact area is formed. A back up phase change material layer(136) is formed on the bottom electrode. The crystallization temperature improvement material is doped in the back up phase change material layer and the phase change material layer is formed. The upper electrode is formed on the phase change material layer. The data integrity power of the phase change memory device is improved by including the crystallization temperature improvement material doped phase change material layer.

    Abstract translation: 提供相变存储器件的制造方法以在不增加电阻的情况下降低驱动电流。 在基板上形成接触区域。 形成与接触区域电连接的底部电极（130）。 在底部电极上形成备用相变材料层（136）。 在后备相变材料层中掺杂结晶温度改善材料，形成相变材料层。 上电极形成在相变材料层上。 通过包括结晶温度改善材料掺杂的相变材料层来改善相变存储器件的数据完整性功率。

    상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
    12.
    发明公开
    상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 无效
    相变存储器单元，形成相变存储单元的方法，具有相变存储器单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020090020938A

    公开(公告)日：2009-02-27

    申请号：KR1020070085582

    申请日：2007-08-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신희주 ,  하용호 ,  박정희 ,  강명진 ,  박두환

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/1625 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

    Abstract: A phase-change memory unit, a manufacturing method thereof, a phase-change memory device having the same and a manufacturing method of a phase-change memory device are provided to reduce amount of metallic component diffused to a phase change material layer pattern by forming a transition metal film pattern between a phase change material layer and an upper electrode. A bottom electrode(120) is formed on the substrate. A phase change material layer pattern(152) is formed on the bottom electrode. The phase change material layer pattern comprises carbon and GST compound. A first transition metal film pattern(162) is formed on the phase change material layer pattern. An upper electrode(172) is formed on the first transition metal film pattern. The first transition metal film pattern comprises one or more selected from the group consisting of titanium(Ti), vanadium(V), chrome(Cr), manganese(Mn), iron(Fe), cobalt(Co), nickel(Ni), zirconium(Zr), niobium(Nb), molybdenum(Mo), ruthenium(Ru), rhodium(Rh), palladium(Pd), hafnium(Hf), tantalum(Ta), tungsten(W), rhenium(Re), osmium(Os), iridium(Ir) and platinum(Pt).

    Abstract translation: 相变存储器单元，其制造方法，具有该相变存储器件的相变存储器件和相变存储器件的制造方法被提供以通过形成来减少扩散到相变材料层图案的金属成分的量 相变材料层和上部电极之间的过渡金属膜图案。 在基板上形成底部电极（120）。 在底部电极上形成相变材料层图案（152）。 相变材料层图案包括碳和GST化合物。 在相变材料层图案上形成第一过渡金属膜图案（162）。 在第一过渡金属膜图案上形成上电极（172）。 第一过渡金属膜图案包括选自钛（Ti），钒（V），铬（Cr），锰（Mn），铁（Fe），钴（Co），镍（Ni） ，锆（Zr），铌（Nb），钼（Mo），钌（Ru），铑（Rh），钯（Pd），铪（Hf） ，锇（Os），铱（Ir）和铂（Pt）。

    하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들
    13.
    发明公开
    하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들 有权
    具有底电极的相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090010427A

    公开(公告)日：2009-01-30

    申请号：KR1020070073521

    申请日：2007-07-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  임영수 ,  하용호 ,  장준영 ,  임동원

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1233

    Abstract: A phase change memory device is provided to reduce current applied in reset action and overcome patterning limit and implement phase change memory device which is good for high integration. A substrate in which bottom patterns are equipped is formed. Bottom electrodes of a linear type or a L type are contacted to bottom patterns on the substrate mounting the bottom patterns and are equipped with an upper side having x-axis and y-axis. Phase change patterns are contacted to the upper side of the bottom electrodes and have the respective wider width than the x-axis and y-axis. Upper electrodes are arranged on the phase change patterns.

    Abstract translation: 提供相变存储器件以减少复位动作中施加的电流并克服图案化限制并实现有利于高集成度的相变存储器件。 形成有底部图案的基板。 直线型或L型的底部电极与安装底部图案的基板上的底部图案接触，并配备有具有x轴和y轴的上侧。 相变图案与底部电极的上侧接触并且具有相对于x轴和y轴宽度宽的宽度。 上电极配置在相变图案上。

    셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자
    16.
    发明授权
    셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자 有权
    具有自加热器结构的相变存储器件

    公开(公告)号：KR100486306B1

    公开(公告)日：2005-04-29

    申请号：KR1020030011356

    申请日：2003-02-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이지혜 ,  호리이히데키 ,  하용호

    IPC: H01L27/10

    CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    Abstract: 상변화 메모리층의 저면에 하부 전극 및 상부 전극과의 전기적 접촉을 위한 2개의 접촉면이 형성되어 있는 셀프 히터 구조의 상변화 메모리 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 반도체 기판상의 제1 레벨상에 형성된 제1 도전층과, 상기 반도체 기판상에서 상기 제1 레벨과는 다른 높이를 가지는 제2 레벨상에 형성된 제2 도전층과, 상기 반도체 기판의 주면과 평행하게 연장되고, 상기 반도체 기판에 대면하는 제1면을 가지는 상변화 메모리층과, 상기 제1 도전층으로부터 상기 상변화 메모리층으로 전기 신호를 공급하기 위하여 상기 상변화 메모리층의 제1면에 형성된 제1 접촉면과, 상기 상변화 메모리층으로부터 상기 제2 도전층으로 전기 신호를 공급하기 위하여 상기 상변화 메모리층의 제1면에 상기 제1 접촉면과 이격되어 형성된 제2 접촉면을 포함한다.

    상 변화 메모리의 셋(ｓｅｔ) 시간을 최소화하는프로그래밍 방법 및 프로그래밍 방법을 구현하는 기입드라이버 회로
    17.
    发明公开
    상 변화 메모리의 셋(ｓｅｔ) 시간을 최소화하는프로그래밍 방법 및 프로그래밍 방법을 구현하는 기입드라이버 회로 失效
    减少相位随机存取存储器的设定时间并编写驱动电路的编程方法

    公开(公告)号：KR1020050017352A

    公开(公告)日：2005-02-22

    申请号：KR1020030056011

    申请日：2003-08-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 하용호 ,  조백형 ,  이지혜

    IPC: G11C13/02

    CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092

    Abstract: PURPOSE: A programming method for reducing set time of phase random access memory and a writing driver circuit thereof are provided to reduce the set time of phase random access memory(PRAM) by speeding up the crystallizing process through applying current pulse having the three different stages of current amount for changing a phase change material(such as GST(Ge-Sb-Te)) to a low resistance state. CONSTITUTION: A programming method of phase random access memory(PRAM) having a phase changing material which changes into a high resistance state or into a low resistance state in response to an applied current pulse, comprises the step of: applying the current pulse having three different current stages which are the first stage(ST1) of predetermined current amount, the second stage(ST2) of current amount smaller than the first stage, and the third stage(ST3) of current amount smaller than the first stage and bigger than the second stage, in order to change the phase changing material to a low resistance state. Wherein, the current amount of the first stage is enough to heat the phase changing material up to the melting temperature.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于减少相位随机存取存储器及其写入驱动电路的编程方法，以通过施加具有三个不同级的电流脉冲来加速结晶过程来减少相位随机存取存储器（PRAM）的设定时间 用于将相变材料（例如GST（Ge-Sb-Te））改变为低电阻状态的电流量。 构成：具有相变材料的相位随机存取存储器（PRAM）的编程方法，其响应于施加的电流脉冲而变为高电阻状态或变为低电阻状态，包括以下步骤：施加具有三个 作为预定电流量的第一级（ST1）的不同的电流级，电流量的第二级（ST2）小于第一级，以及比第一级小的电流量的第三级（ST3），大于 第二级，以便将相变材料改变为低电阻状态。 其中，第一阶段的当前量足以将相变材料加热到熔融温度。

    상변화 기억 소자 및 그 형성 방법
    18.
    发明公开
    상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 有权
    相变存储器件减少电流脉冲的尺寸和形成方法

    公开(公告)号：KR1020040076225A

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：KR1020040012358

    申请日：2004-02-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 호리이 ,  구봉진 ,  하용호 ,  박정희 ,  이지혜

    IPC: H01L27/115 ,  H01L27/105

    CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A phase change memory device is provided to reduce the dimension of a current pulse in a writing operation by increasing the resistivity of a phase change material layer, and to easily control the resistivity of a phase change material layer pattern by properly controlling the density of added nitrogen elements and/or added silicon elements. CONSTITUTION: A phase change material layer pattern is prepared. The first and second electrodes supply an electrical signal, confronting each other and contacting the phase change material layer pattern. The phase change material layer pattern is of a polycrystalline state, including nitrogen elements.

    Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件，通过提高相变材料层的电阻率来减小写入操作中的电流脉冲的尺寸，并通过适当地控制密度来容易地控制相变材料层图案的电阻率 的添加的氮元素和/或添加的硅元素。 构成：制备相变材料层图案。 第一和第二电极提供彼此面对并接触相变材料层图案的电信号。 相变材料层图案为多晶状态，包括氮元素。

    하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들
    20.
    发明授权
    하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들 有权
    具有底部电极的相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR101186653B1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：KR1020070073521

    申请日：2007-07-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  임영수 ,  하용호 ,  장준영 ,  임동원

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    Abstract: 하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들을 제공한다. 상기 상변화 기억 소자들은 기판 상에 하부패턴이 구비된다. 상기 하부패턴들을 갖는 기판 상에 상기 하부패턴들과 각각 접촉하고, x축 및 y축을 갖는 상부면을 구비하는 일자형 또는 L형 하부전극들이 배치된다. 상기 하부전극들 상부면의 상기 x축은 사진공정의 한계해상도보다 좁은 폭을 갖는다. 상기 일자형 또는 L형은 상기 하부전극들의 상기 x축 방향 단면 모양을 나타낸다. 상기 하부전극들의 상기 상부면과 접촉하되, 상기 하부전극들 상부면의 상기 x축 및 상기 y축보다 각각 넓은 폭을 갖는 상변화 패턴들이 배치된다. 상기 상변화 패턴들 상에 상부전극들이 배치된다. 하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들의 제조방법들 또한 제공된다.
    일자형 하부전극, L형 하부전극, 한계해상도, 상변화 패턴

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