公开(公告)号：KR1020070110683A

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：KR1020060043463

申请日：2006-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  김종만 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667

Abstract: A degassing method of a thin layer and a manufacturing method of a silicon thin film using the same are provided to improve reliability by reducing effectively the amount of impurities within the silicon thin film. A degassing method includes a process for removing residual impurity gas from a thin film(3) formed with a predetermined material by applying microwaves of a predetermined frequency for inducing resonance of gas particles to the thin film, in order to remove the impurity gas from the thin film. The thin film is formed with a silicon thin film. A wavelength of the microwaves has a value of a range of 1mm to 1m. The frequency of the microwave corresponds to a natural frequency of the gas particles. A manufacturing method of the silicon thin film includes a process for forming the silicon thin film on a substrate(1) and a process for removing the residual gas from the silicon thin film by applying the microwaves to the silicon thin film.

Abstract translation: 提供薄层的脱气方法和使用其的硅薄膜的制造方法，以通过有效地减少硅薄膜内的杂质的量来提高可靠性。 脱气方法包括通过施加预定频率的微波来引起气体颗粒与薄膜的共振来从由预定材料形成的薄膜（3）中除去残余杂质气体的方法，以便从 薄膜。 该薄膜由硅薄膜形成。 微波的波长的值为1mm〜1μm的范围。 微波的频率对应于气体颗粒的固有频率。 硅薄膜的制造方法包括在基板（1）上形成硅薄膜的工艺以及通过向硅薄膜施加微波来从硅薄膜除去残留气体的工艺。

公开(公告)号：KR100612868B1

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020040090495

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  임혁 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  김석필 ,  조세영 ,  정지심 ,  박경배 ,  김도영

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L29/66765 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은: 기판과 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서, 상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT

Abstract translation: 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。

公开(公告)号：KR100601950B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020040024010

申请日：2004-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  김도영 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 전자소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전자 소자는, 플라스틱 기판과, 상기 기판 상에 적층된 투명한 열전도막과, 상기 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막과, 상기 폴리 실리콘막 상에 형성된 기능 소자를 구비한다. 상기 기능 소자는, 트랜지스터, 발광소자, 메모리 소자 중 어느 하나이며, 상기 기능 소자는, 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 박막 트랜지스터일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060028595A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040077615

申请日：2004-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  선우문욱 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  정지심

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor is provided. The method includes forming an amorphous silicon layer on a substrate, forming a source region, a drain region, and a region of a plurality of channels electrically interposed between the source region and the drain region by patterning the amorphous silicon layer, annealing a region of the channels, sequentially forming a gate oxide film and a gate electrode on a channel surface, and doping the source region and the drain region.

公开(公告)号：KR1020170033831A

公开(公告)日：2017-03-27

申请号：KR1020170032461

申请日：2017-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  정지심 ,  권장연 ,  이광희

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

Abstract: 전기적신뢰성이향상된능동형표시장치의스위칭소자및 그구동방법이개시된다. 개시된능동형표시장치의스위칭소자는직렬연결된다수의박막트랜지스터를포함한다. 따라서, 하나의스위칭소자내에서다수의박막트랜지스터가동시에온(ON)이되는시간이외에는, 하나의스위칭소자내의각각의박막트랜지스터에비동시적으로양의전압을인가함으로써스위칭소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101587550B1

公开(公告)日：2016-01-22

申请号：KR1020090101733

申请日：2009-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영남 ,  김도환 ,  한혁수 ,  허성 ,  정지심 ,  최윤혁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 트랜지스터가개시된다. 개시된트랜지스터는게이트; 상기게이트와인접배치되며, 미엘린막을포함하여이루어진게이트절연막; 상기게이트절연막에의해상기게이트와이격되는채널층; 상기채널층의양측에각각접촉형성된소스및 드레인;을포함한다.

公开(公告)号：KR101375834B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020070118827

申请日：2007-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  윤선미 ,  이상윤 ,  최재영 ,  신현진 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/66765 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/778

Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR101345378B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070048310

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김준성 ,  이상윤 ,  황억채 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。

公开(公告)号：KR101281167B1

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：KR1020060116057

申请日：2006-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  권장연 ,  이상윤 ,  정지심

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 적은 공정수와 간단하고 쉬운 공정으로 제조될 수 있도록 그 구조가 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자가 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자는, 기판 상에 형성된 상호 연결된 한 조의 스위칭용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭용 트랜지스터는 순차적층된 제1 비정질 실리콘층과 제1 다결정 실리콘층을 포함하는 제1 듀얼채널층; 및 상기 제1 듀얼채널층의 하부에 형성되어 상기 제1 비정질 실리콘층과 마주하는 제1 게이트 전극;을 구비하는 하부 게이트 구조로 형성되고, 상기 구동용 트랜지스터는 순차적층된 제2 비정질 실리콘층과 제2 다결정 실리콘층을 포함하는 제2 듀얼채널층: 및 상기 제2 듀얼채널층의 상부에 형성되어 상기 제2 다결정 실리콘층과 마주하는 제2 게이트 전극;을 구비하는 상부 게이트 구조로 형성된다.

公开(公告)号：KR101206038B1

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020060129656

申请日：2006-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종만 ,  박경배 ,  권장연 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘층 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 형성되어 상기 폴리실리콘층의 일부영역을 마스킹하는 것으로 순차적층된 게이트 마스크와 포토레지스트층을 포함하는 마스크 구조체를 형성하는 단계, 상기 마스크 구조체에 의해 가려지지 않는 폴리실리콘층의 일단부 및 타단부에 이온빔 임플란테이션 방법에 의해 제1 농도의 불순물을 주입하여 상기 폴리실리콘층에 소오스와 드레인 영역 및 이들 사이에 개재되는 채널영역을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층에 이온빔을 조사하여 상기 포토레지스트층을 수축시킴으로써 상기 게이트 마스크의 일단부 및 타단부를 돌출시키는 단계, 상기 수축된 포토레지스트층을 식각마스크로 이용하여 상기 수축된 포토레지스트층과 같은 너비(width)로 상기 게이트 마스크 및 절연막을 식각하여 게이트 전극 및 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막과 소오스영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 일단부 및 상기 게이트 절연막과 드레인영역 사이로 노출된 상기 채널영역의 타단부 각각에 상기 제1 농도 보다 적은 제2 농도의 불순물을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계를 포함한다.