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公开(公告)号：KR101235239B1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：KR1020110047692
申请日：2011-05-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
Abstract: 본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.
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公开(公告)号：KR1020120102340A
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020110020443
申请日：2011-03-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0254 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency by minimizing stress applied to a semiconductor layer on a heterogeneous substrate. CONSTITUTION: An AlxInyGa1-x-yN layer(102) is formed on a substrate(101). A first conductive semiconductor layer(103) is formed on the AlxInyGa1-x-yN layer. An active layer(104) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(105) is formed on the active layer. An ohmic electrode layer(106) is formed on the second conductive semiconductor layer. A second electrode(107b) is formed on the ohmic electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过使施加到异质衬底上的半导体层的应力最小化来提高发光效率。 构成：在衬底（101）上形成Al x In y Ga 1-x-y N层（102）。 在Al x In y Ga 1-x-y N层上形成第一导电半导体层（103）。 在第一导电半导体层上形成有源层（104）。 在有源层上形成第二导电半导体层（105）。 在第二导电半导体层上形成欧姆电极层（106）。 第二电极（107b）形成在欧姆电极层上。
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公开(公告)号：KR101810609B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020110012863
申请日：2011-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 반도체소자가개시된다. 개시된반도체소자는 3차원구조의표면형태를가지며, 비극성질화물반도체로이루어진제1 비평탄비극성질화물반도체층; 상기제1 비평탄비극성질화물반도체층위에형성된것으로, 다수의고체입자로이루어진제1 구조물층; 상기제1 비평탄비극성질화물반도체층및 상기제1 구조물층위에형성된제1 비극성질화물반도체층:을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件。 所公开的半导体器件具有三维结构的表面结构并且包括由非极性氮化物半导体制成的第一非平面非极性氮化物半导体层; 第一结构层，形成在所述第一不平衡非极性氮化物半导体层上，所述第一结构层包括多个固体颗粒; 以及在第一非极性非极性氮化物半导体层和第一结构层上形成的第一非极性氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR101466037B1
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 기판, 이러한 기판 위에 형성한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 코팅한 박막 구조와 같은 새로운 반도체 소자용 기판, 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조, 그 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자를 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140090333A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020130001595
申请日：2013-01-07
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 세종대학교산학협력단
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a device after a large graphene electrode grown without a catalyst is directly grown on a compound semiconductor layer made of GaN or mixed nitride of Ga and another metal. In the present invention, a graphene grown with PECVD without the catalyst at relatively low temperatures, which is able to be applied to a nitride semiconductor, is formed. According to the present invention, a graphene with a uniform property is easily grown on a large substrate of 2 inches or more as a transfer method is not required, unlike a graphene grown with a catalyst. Also, the performance of the device is easily maximized by applying various pre-processes to a graphene-combined nitride semiconductor substrate, by not distinguishing the substrate.
Abstract translation: 本发明涉及一种在没有催化剂生长的大型石墨烯电极直接生长在由GaN或其它金属的混合氮化物构成的化合物半导体层上的器件制造方法。 在本发明中，形成能够施加到氮化物半导体上的在相对较低温度下没有催化剂的PECVD生长的石墨烯。 根据本发明，与催化剂生长的石墨烯不同，具有均匀性质的石墨烯容易在不需要转印方法的2英寸以上的大基材上生长。 此外，通过将石墨烯组合的氮化物半导体衬底的各种预处理通过不区分衬底来容易地最大化器件的性能。
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公开(公告)号：KR1020120129439A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047692
申请日：2011-05-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: A semiconductor film structure and a method for forming the same are provided to increase internal quantum efficiency by forming a nitride semiconductor thin film of low defect density. CONSTITUTION: A plurality of empty spaces(C) are separately formed on a substrate(10). An inorganic film(30) is formed on the substrate. An inorganic film has 2D arrangement. A nitride semiconductor thin film is formed on the substrate. A structure of the nitride semiconductor thin film is two or more layers.
Abstract translation: 目的：提供半导体膜结构及其形成方法，以通过形成低缺陷密度的氮化物半导体薄膜来提高内部量子效率。 构成：在基板（10）上分开形成多个空的空间（C）。 在基板上形成无机膜（30）。 无机膜具有2D排列。 在基板上形成氮化物半导体薄膜。 氮化物半导体薄膜的结构为两层以上。
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公开(公告)号：KR1020170021974A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150116301
申请日：2015-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 실시예는, 기판과, 상기기판상에배열된복수의나노로드를갖는제1 AlN 층과, 복수의나노로드사이에보이드가존재하도록제1 AlN 층상에배치된제2 AlN 층과, 상기제2 AlN 층상에배치되며, 제1 도전형 AlGaN 층을갖는제1 도전형질화물층과, 상기제1 도전형질화물층상에배치되며, AlInGaN(0≤x+y≤1, 0≤y
Abstract translation: 一种半导体紫外线发射装置，包括：基板; 缓冲层，其设置在所述基板上并且包括多个纳米棒，在所述多个纳米棒之间形成有多个空隙; 第一导电氮化物层，设置在所述缓冲层上并具有第一导电AlGaN层; 设置在第一导电氮化物层上并具有包括Al x In y Ga 1-x-y N（0≤x+y≤1,0≤y<0.15）的量子阱的有源层）。 以及设置在所述有源层上并具有第二导电AlGaN层的第二导电氮化物层，其中所述多个纳米棒满足3.5≤n（λ）×D /λ≤5.0，其中λ表示由所述活性物质产生的光的波长 层，n（λ）表示波长为λ的多个纳米棒的折射率，D表示多个纳米棒的直径。
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公开(公告)号：KR1020140104717A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130018552
申请日：2013-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L2933/0091
Abstract: One aspect of the present invention provides a semiconductor light emitting device which includes a base semiconductor layer which has at least one void set group having multiple voids, a first conductivity type semiconductor layer which is formed on the base semiconductor layer, an active layer which is formed on the first conductivity type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer which is formed on the active layer. According to one embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device which has a semiconductor layer of excellent crystallinity and improved light efficiency can be obtained.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光器件，其包括具有至少一个具有多个空隙的空隙组的基极半导体层，形成在该基底半导体层上的第一导电型半导体层， 形成在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层和形成在有源层上的第二导电类型半导体层。 根据本发明的一个实施例，可以获得具有优异的结晶度和改善的光效率的半导体层的半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR1020120092928A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：KR1020110012863
申请日：2011-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/0075
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a non-polar nitride device of a structure capable of minimizing penetrating potential density and stacking fault density. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(110). A first non-planar non-polar nitride semiconductor layer(130) is formed on the buffer layer. A first structure layer(140) is formed at a part of the surface of the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer. The first structure layer is comprised of plurality of solid particles(141). A first non-polar nitride semiconductor layer(150) is formed on the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer and first structure layer. A second non-polar nitride semiconductor layer is formed on the first non-polar nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以形成能够最小化穿透电位密度和堆垛层错密度的结构的非极性氮化物器件。 构成：在衬底（110）上形成缓冲层（120）。 第一非平面非极性氮化物半导体层（130）形成在缓冲层上。 第一结构层（140）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层的表面的一部分处。 第一结构层由多个固体颗粒（141）组成。 第一非极性氮化物半导体层（150）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层上。 在第一非极性氮化物半导体层上形成第二非极性氮化物半导体层。
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