公开(公告)号：KR1020170124967A

公开(公告)日：2017-11-13

申请号：KR1020170054935

申请日：2017-04-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  문무겸 ,  박진우 ,  김두산 ,  박성우 ,  김기현 ,  성다인 ,  염원균

IPC: B23K10/02 ,  B23K9/32 ,  B23K31/02 ,  B32B9/04 ,  B23K103/18

CPC classification number: B23K9/32 ,  B23K10/02 ,  B23K31/02 ,  B32B9/04

Abstract: 본발명은플라즈마프레스장치및 이를접합방법에관한것으로, 플라즈마를 발생한상태에서접합되는두 기재를가압하면서접합하여종래보다현저하게향상된접합력을제공하며, 별도의가열공정없이도접합이가능하여접합하는기재에열손상을방지할수 있는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明是一种等离子体加压装置，并且它涉及接合，通过焊接，同时按下两个基板中引起的等离子体提供了比用于结合的常规基材显著提高接合强度，能够通过，而不需要加入单独的加热工序中的状态下被接合的方法 从而防止热损伤。

公开(公告)号：KR1020170104063A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：KR1020160026131

申请日：2016-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  이승민 ,  이철희 ,  김태형 ,  김기석 ,  김기현

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/26 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35

Abstract: 본발명은스퍼터링증착장치에관한것으로서, 본발명에따른스퍼터링증착장치는피증착기판과타겟이서로대향하도록내부에배치되며스퍼터링반응공간을제공하는챔버, 피증착기판과타겟사이의일영역에제 1 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 1 플라즈마발생부및 피증착기판과타겟사이의다른일 영역에제 2 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 2 플라즈마발생부를포함하는것을.특징으로한다.

Abstract translation: 溅射成膜装置及溅射成膜装置技术领域本发明涉及一种溅射成膜装置及溅射成膜装置，其包括：配置在被成膜基板的内部的相对的室，并且设置溅射反应空间; 以及第二等离子体发生器，用于通过在要被气相沉积的衬底和目标之间的另一区域中使用第二气体来产生等离子体。

公开(公告)号：KR101547066B1

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020140134751

申请日：2014-10-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  김경남 ,  김태형 ,  임태철 ,  신재희 ,  김기현 ,  김두산

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32908 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H05H1/24

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리시 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지하는 저손상 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소스 전극과 스테이지 사이에 배치되며, 도전체로 형성되고, 플라즈마 처리 장치에 구비된 진공 챔버와 전기적으로 절연 상태인 제1 그리드를 포함하여 이루어짐으로써, 불순물 입자 또는 너무 높은 에너지를 가진 플라즈마 입자에 의해 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지한다.

Abstract translation: 公开了一种低损伤等离子体处理装置，其防止在等离子体工艺中对目标的损坏。 根据本发明的等离子体处理装置包括：第一栅极，其布置在源电极和台之间并且由导体制成并且与等离子体处理装置中的真空室电绝缘。 因此，防止了由于杂质颗粒或具有非常高能量的等离子体颗粒而导致的目标物的损伤。

公开(公告)号：KR102264112B1

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：KR1020190031564

申请日：2019-03-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  오종식 ,  김기현 ,  지유진 ,  변지영 ,  박진우 ,  김두산 ,  이원오

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L29/16 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR102022537B1

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：KR1020180056585

申请日：2018-05-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최혁렬 ,  김영은 ,  조경호 ,  양상율 ,  김기현 ,  박재형

IPC: B25J9/10

公开(公告)号：KR101935371B1

公开(公告)日：2019-01-07

申请号：KR1020180056547

申请日：2018-05-17

Applicant: 부산대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 양민혜 ,  최상호 ,  이상우 ,  백진협 ,  김수용 ,  금항 ,  리만의 ,  김기현

IPC: A61K31/351 ,  A61K31/7048 ,  A61K36/83 ,  A61K8/49 ,  A61K8/60 ,  A23L33/10 ,  A23L33/125 ,  A61P17/00 ,  A61Q19/00

公开(公告)号：KR101853588B1

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR1020170097527

申请日：2017-08-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  김기현 ,  박진우 ,  김두산 ,  지유진

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명의반도체소자, 광전소자, 및전이금속디칼코게나이드박막의제조방법에서, 본발명의반도체소자는기판; 및 N+M개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어진제1 영역및 상기제1 영역의상기 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로부터연장된 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고상기제1 영역과인접한제2 영역을구비하고상기기판상에배치된전이금속디칼코게나이드박막을포함하고, 상기제1 영역과상기제2 영역사이에헤테로접합이형성된다.