-
公开(公告)号：KR1020120079998A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：KR1020110001400
申请日：2011-01-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar battery is provided to improve solar battery efficiency by using an AZO film as a back side electrode and a back side reflection film. CONSTITUTION: A crystalline silicon wafer layer(100) is composed of a crystalline silicon wafer doped to a P-type or an N-type. An amorphous silicon layer(200) is formed at the front side or the rear side of the crystalline silicon wafer layer. A passivation layer(300) is located between the crystalline silicon wafer layer and the amorphous silicon layer. A front electrode(400) is formed to the side in which sunlight is entered. A transparency conductive film layer(500) is formed to the opposite side in which the sunlight is entered.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池的方法，通过使用AZO膜作为背面电极和背面反射膜来提高太阳能电池的效率。 构成：晶体硅晶片层（100）由掺杂到P型或N型的晶体硅晶片组成。 在晶体硅晶片层的前侧或后侧形成非晶硅层（200）。 钝化层（300）位于晶体硅晶片层和非晶硅层之间。 在进入太阳光的一侧形成前电极（400）。 透明导电膜层（500）形成在进入太阳光的相对侧。
-
12.发明公开플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법 有权使用等离子体沉积技术的纳米晶体层，其方法，具有纳米晶体层的非易失性存储器件及其相关方法
公开(公告)号：KR1020100069791A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128318
申请日：2008-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A nano crystal silicon layer structure using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device including the same, and forming methods thereof are provided to reduce manufacturing processes of the nonvolatile memory device by directly depositing the nano crystal silicon layer on the glass substrate. CONSTITUTION: A gate electrode(55) is formed on a substrate(51). A multilayer insulation layer(63) is formed on a gate electrode. A first nano crystal silicon layer(65) is formed on the multilayer insulation layer using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the multilayer insulation layer. A metal electrode layer is formed on the first nano crystal silicon layer. A source electrode(69) and a drain electrode(71) are formed by patterning a metal electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体沉积技术的纳米晶体硅层结构，包括其的非易失性存储器件及其形成方法，以通过将纳米晶硅层直接沉积在玻璃衬底上来减少非易失性存储器件的制造工艺。 构成：在基板（51）上形成栅电极（55）。 在栅电极上形成多层绝缘层（63）。 使用在多层绝缘层上使用含有氢和硅的气体的等离子体沉积技术，在多层绝缘层上形成第一纳米晶体硅层（65）。 金属电极层形成在第一纳米晶硅层上。 通过图案化金属电极层来形成源电极（69）和漏电极（71）。
-
公开(公告)号：KR1020100026639A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080085716
申请日：2008-09-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247
Abstract: PURPOSE: A charge storage device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the manufacturing cost of a memory device by forming a charge storage layer and a blocking insulation layer using an identical mixing gas. CONSTITUTION: A tunneling insulation layer(13) is formed on a substrate(11). A charge storage layer(15) is formed on the tunneling insulation layer and includes a first band gap energy. A blocking insulation layer(17) including a second band gap energy is formed on the charge storage layer. A control gate(19) is formed on the blocking insulation layer. The composition ratio of a mixing gas for the charge storage layer is different from the composition ratio for the blocking insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供电荷存储装置及其制造方法，以通过使用相同的混合气体形成电荷存储层和阻挡绝缘层来降低存储器件的制造成本。 构成：在衬底（11）上形成隧道绝缘层（13）。 电荷存储层（15）形成在隧道绝缘层上并且包括第一带隙能量。 在电荷存储层上形成包括第二带隙能量的阻挡绝缘层（17）。 在阻挡绝缘层上形成控制栅极（19）。 用于电荷存储层的混合气体的组成比不同于阻挡绝缘层的组成比。
-
14.发明授权
公开(公告)号：KR101506116B1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020140062175
申请日：2014-05-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/046 , H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/027
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/046 , H01L21/027 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池用图案化玻璃基板的制造方法及使用太阳能电池用图案化玻璃基板的太阳能电池的制造方法。 根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的图案化玻璃基板的方法包括以下步骤：制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积掩模层; 在掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有图案的掩模并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂; 通过使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模来图案化掩模层; 通过使用图案化的掩模层蚀刻玻璃基板的表面，去除图案化的光致抗蚀剂并且在玻璃基板的表面上进行纹理化; 并去除掩模层。
-
公开(公告)号：KR101318326B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020110122524
申请日：2011-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 표면에 텍스처가 다수 형성된 결정질 실리콘 기판 상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 에미터층 상기 에미터층의 상면에 형성된 패시베이션층 상기 패시베이션층의 상면에 형성된 비정질 박막 적층체 상기 비정질 박막 적층체의 상면에 형성된 전면전극 및 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 이종접합 실리콘 태양전지는 표면 텍스처링된 결정질 실리콘 기판 상에 비정질 박막 적층체를 형성함으로써 기존의 평면구조의 태양전지에 비해 면적을 향상시키고 단락전류의 일치를 통해 초고효율을 나타낼 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303594B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020110121890
申请日：2011-11-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/075 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR101289277B1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR1020120054828A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/06 , H01L31/0236 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.
Abstract translation: 目的：提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法，其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成：在硅衬底（100）上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极（110）形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体（120）。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极（130）。
-
19.发明授权플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법 有权使用等离子体沉积技术的纳米晶硅层，其方法，具有纳米晶硅层的非易失性存储器件及其方法
公开(公告)号：KR101135422B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020080128318
申请日：2008-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A nano crystal silicon layer structure using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device including the same, and forming methods thereof are provided to reduce manufacturing processes of the nonvolatile memory device by directly depositing the nano crystal silicon layer on the glass substrate. CONSTITUTION: A gate electrode(55) is formed on a substrate(51). A multilayer insulation layer(63) is formed on a gate electrode. A first nano crystal silicon layer(65) is formed on the multilayer insulation layer using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the multilayer insulation layer. A metal electrode layer is formed on the first nano crystal silicon layer. A source electrode(69) and a drain electrode(71) are formed by patterning a metal electrode layer.
-
公开(公告)号：KR101062998B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020080128316
申请日：2008-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02436 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/28282 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 본 발명은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계 및 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 의해, 종래기술에서와 같은 후처리 공정을 수행하지 않고 플라즈마 기상 증착법으로 유리기판 상에 나노결정 실리콘막을 직접 증착함으로써 비휘발성 메모리 소자의 제조공정을 줄여 제조단가를 낮출 수 있다.
비휘발성 메모리 소자, 나노결정, 실리콘, 플라즈마, 평판형 디스플레이
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.025 seconds)
