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公开(公告)号：KR101331312B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020110026123
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 투명기판 상에 형성되는 비정질의 절연막 층의 두께를 조절하여 금속산화물 층에 형성되는 나노구조를 제어할 수 있으며, 균일하고 고밀도의 나노구조를 형성할 수 있는 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법은 투명기판 상에 마그네슘을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 비정질의 절연막 층이 형성되는 S1단계 및 절연막 층 상에 아연을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노구조의 금속산화물 층이 형성되는 S2단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
12.发明授权
公开(公告)号：KR101191466B1
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020090068689
申请日：2009-07-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법이 제공된다. 상기 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법은 산화막을 갖는 기판 상에 아연 함유 전구체, 마그네슘 함유 전구체 및 산소 함유 가스를 순차적으로 공급하는 화학기상증착공정을 진행하여 상기 산화막 상에 마그네슘이 함유된 비정질 금속산화층을 형성하는 것을 구비한다. 상기 공정을 유지하여 상기 비정질 금속산화층 상에 아연 및 마그네슘 중 마그네슘을 주 성분으로 채택하는 비정질층들 및 상기 비정질층들 사이에 아연 및 마그네슘 중 아연을 주 성분으로 채택하는 단결정 씨드층들을 형성한다. 상기 공정을 유지하여 상기 단결정 씨드층들 상에 선택적으로 2차원 나노 구조체를 형성한다. 이를 이용하여 제조된 산화아연계 2차원 나노 구조체가 또한 제공된다.
산화아연계 나노 구조체, 2차원 구조-
公开(公告)号：KR1020120108369A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110026123
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A metal oxide nanostructure and a manufacturing method thereof are provided to adjust the thickness of an amorphous insulating layer in order to control a nanostructure. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal oxide nanostructure comprises the following steps: providing a precursor containing a first metal and oxygen on transparent substrates(100) to form an insulator film layer(200); and providing a precursor containing a second metal and oxygen on the insulating film layer and forming a metal oxide layer(300) having a nanostructure. The transparent substrate in the first step is composed of an upper transparent substrate(102) and a lower transparent substrate(101). The upper transparent substrate is a transparent electrode. The thickness of the insulation film layer in the first step is 6-24 nanometers. The nanostructure in the second step is nanowire(310) or annuals. The first metal is magnesium. In the first step, the flow ratio of precursor containing magnesium to oxygen is 1:800-1:1,440.
Abstract translation: 目的：提供一种金属氧化物纳米结构及其制造方法，以调节非晶绝缘层的厚度以控制纳米结构。 构成：金属氧化物纳米结构的制造方法包括以下步骤：在透明基板（100）上提供含有第一金属和氧的前体以形成绝缘膜层（200）; 以及在所述绝缘膜层上提供含有第二金属和氧的前体，并形成具有纳米结构的金属氧化物层（300）。 第一步骤中的透明基板由上透明基板（102）和下透明基板（101）构成。 上部透明基板为透明电极。 第一步中绝缘膜层的厚度为6-24纳米。 第二步的纳米结构是纳米线（310）或年度。 第一种金属是镁。 在第一步中，含有镁的前体与氧的流动比为1:800-1:4040。
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14.发明公开
公开(公告)号：KR1020120098361A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110026564
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An infrared sensor with metal oxide nano structures and a fire alarming device applying the same are provided to utilize an amorphous insulation film layer, thereby growing a zinc oxide nano structure of high density. CONSTITUTION: An infrared sensor with metal oxide nano structures(300,400) comprises a substrate(100), an insulating layer(200), and electrodes(500). The insulating film layer is formed on the substrate. The metal oxide nano structure is composed of metal oxides on the insulating film layer. The electrodes are respectively formed on a lower surface of the substrate and an upper surface of a metal oxide nano wire. The substrate is manufactured with one of silicon or GsAs. The insulating film layer is an amorphous metal oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种具有金属氧化物纳米结构的红外传感器和应用它的火灾报警装置，以利用非晶绝缘膜层，从而生长高密度氧化锌纳米结构。 构成：具有金属氧化物纳米结构的红外传感器（300,400）包括基底（100），绝缘层（200）和电极（500）。 绝缘膜层形成在基板上。 金属氧化物纳米结构由绝缘膜层上的金属氧化物构成。 电极分别形成在基板的下表面和金属氧化物纳米线的上表面上。 用硅或GAs之一制造衬底。 绝缘膜层是无定形金属氧化物。
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15.发明公开
公开(公告)号：KR1020110077667A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134305
申请日：2009-12-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method growing zinc oxide nano rod to a vertical direction is provided to reduce the diameter of the nano rod by increasing the aspect ratio of the zinc oxide nano rod. CONSTITUTION: A substrate is arranged in a first vial. Zinc-containing organic metal, a reaction activating agent, and a solvent agent are introduced into the vial at room temperature. The first vial is sealed. The temperature of a solution in the first vial is raised to reference temperature, and the raised temperature of the solution is maintained. A zinc oxide nano rod is grown. A second vial is introduced into an oven, and the temperature of a solution in the second vial is raised to the temperature of the solution in the first vial. The solution in the second vial is aged. The substrate from the first vial is arranged in the second vial, and the second vial is sealed.
Abstract translation: 目的：提供一种向铅垂方向生长氧化锌纳米棒的方法，通过增加氧化锌纳米棒的纵横比来减小纳米棒的直径。 构成：在第一个小瓶中布置基底。 含锌有机金属，反应活化剂和溶剂在室温下引入小瓶中。 第一个小瓶被密封。 将第一小瓶中的溶液的温度升高至参考温度，并保持溶液的升高温度。 生长氧化锌纳米棒。 将第二小瓶引入烘箱中，将第二小瓶中的溶液的温度升高到第一小瓶中的溶液的温度。 第二瓶中的溶液老化。 来自第一小瓶的基底被布置在第二小瓶中，并且第二小瓶被密封。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020180092448A
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020170018125
申请日：2017-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01B3/10 , H01L21/324
Abstract: 산화물반도체를형성하는단계; 상기산화물반도체가형성된기판을진공분위기하에서저온처리하는단계; 상기진공분위기상태에수분을주입하는단계;를포함하고, 상기진공분위기하에서저온처리하는단계및 상기수분을주입하는단계를반복적으로수행하는것을포함하는, 산화물반도체박막의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170122380A
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160051224
申请日：2016-04-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01J1/02 , B32B7/02 , B32B9/00 , H01L29/786
Abstract: 본발명은기판; 기판위에형성된절연체층; 절연체층위에형성된산화물전송층; 및전송층위에형성된광흡수층을포함하는것을특징으로하는칼코겐과산화물박막으로구성된기능형다층구조의포토센서이다. 본발명은기존의칼코겐소재의저항막방식(Resistive-type)에서보이는낮은광전류의문제를고신뢰성/고이동도의산화물소재와다층구조의박막을통해해결하는효과가있다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 形成在基板上的绝缘层; 氧化物转移层，形成在绝缘层上; 在转印层上形成光吸收层，光传感器是由硫属化物过氧化物薄膜构成的功能性多层结构。 本发明具有通过高可靠性/高迁移率的氧化物材料和多层结构的薄膜解决在常规电阻型硫属材料中看到的低光电流问题的效果。
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公开(公告)号：KR1020160141066A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150074247
申请日：2015-05-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , B82Y30/00 , C23C16/44 , C07C391/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은적층형전구체로스피노달상분리를발생시켜나노구조체를합성하는방법에관한것으로서, (a1) 기판상에물질 A를증착시켜제1층을형성시키는단계; (a2) 제1층상에물질 A 및물질 B의제1 화합물을증착시켜제2층을형성시키는단계; (a3) 제2층위에물질 B를추가증착시켜제3층을형성시키는단계; (a4) 제1층내지제3층으로이루어진적층형전구체에가열처리를하여제2층의제1 화합물이스피노달(spinodal) 상분리를통해물질 A와물질 B의고상제2화합물및 액상물질 A로상분리를시키는단계; 및 (a5) 제1층의물질 A를 (a4) 단계의액상화된물질 A를통해제2 화합물로확산시켜나노선형상으로성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명은적층형전구체구조를이용하여스피노달상분리를시켜나노구조체를합성하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101352183B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법은, 기 제조된 초격자구조를 갖는 산화물 열전재료를 반응챔버로 이송시키는 S10 단계; 반응챔버 내부에 RF POWER를 가하여 플라즈마가 형성되는 S20 단계; 및 반응챔버 내부에서 이송된 초격자 산화물 열전재료의 표면에만 플라즈마 처리가 수행되는 S30 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 표면처리방법은 기 제조된 초격자구조를 가진 산화물 열전재료를 사용하므로, 초격자구조를 형성하는 특정 방법에 국한되지 않고, 기 제조된 초격자구조 박막의 표면에만 플라즈마 처리를 하므로, 초격자구조를 손상시키지 않으며, 따라서 초격자구조에 의한 낮은 열전도도를 변화시키지 않으면서, 표면의 전기전도도 특성을 향상시키는 효과가 있다.
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