公开(公告)号：KR1020100094090A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013339

申请日：2009-02-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  김형진 ,  노용한

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0052 ,  B81C1/00031 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate, and a nano molecular electronic device including the nanostructure are provided to use an electrostatic attraction for arranging and positioning the nanostructure. CONSTITUTION: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate comprises the following steps: forming a photoresist pattern(20) on the substrate(10); controlling the line width of the pattern in nano level to form a nano unit photoresist layer; forming a protective layer(30) on the portion without the nano unit photoresist layer; removing the nano unit photoresist layer form the substrate; forming an adsorption layer(40); and applying a solution containing a nano-material.

Abstract translation: 目的：提供一种纳米结构在基片上的选择性定位方法，以及包括该纳米结构的纳米分子电子器件，以利用静电吸引来布置和定位纳米结构。 构成：在衬底上的纳米结构的选择性定位方法包括以下步骤：在衬底（10）上形成光致抗蚀剂图案（20）; 控制纳米级图案的线宽以形成纳米单元光刻胶层; 在不具有纳米单元光刻胶层的部分上形成保护层（30）; 去除纳米单元光致抗蚀剂层形成衬底; 形成吸附层（40）; 并施加含有纳米材料的溶液。

公开(公告)号：KR100877517B1

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：KR1020070033488

申请日：2007-04-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  부진효 ,  최원석 ,  박용섭 ,  이성욱 ,  최은창 ,  정성훈

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01G9/2059 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 염료감응형 태양전지는 탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함할 수 있다. 본 발명은 금속 전극보다 물리적 특성이 우수한 탄소나노로드 전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 탄소나노튜브, 탄소나노로드

公开(公告)号：KR100935425B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080010269

申请日：2008-01-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  박용섭 ,  이성욱 ,  박미주

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 염료감응형 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상대전극으로 탄소전극을 이용함으로써 제조비용의 절감 내지 생산성의 향상 등을 도모함과 더불어, 에너지 효율을 증대시킬 수 있는 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 염료감응형 태양전지는 전해질층에 의해 분리된 작동전극 및 상대전극을 포함하고, 상기 상대전극은 제1투명기판에 형성된 탄소전극을 포함하며, 상기 탄소전극은 도전성 투명탄소전극인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명은 상대전극으로 저가의 탄소전극을 이용함으로써 그 제조비용을 대폭 절감할 뿐만 아니라, 탄소전극의 내부식성 내지 내산화성 등의 특성으로 인해 전해질층과의 산화반응을 방지하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
염료, 감응, 태양, 전지, 상대전극, 작동전극, 탄소전극

公开(公告)号：KR1020080104902A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070052323

申请日：2007-05-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이내응 ,  김희대 ,  박창기 ,  이춘희 ,  홍병유 ,  조형준

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/308

Abstract: A multilayer resist structure and a method for fabricating a thin film pattern using the same are provided to lower the etching aspect ratio of the lower thin film and increase the etching selectivity of the lower thin film using the PVD amorphous carbon mask. A method for fabricating the thin film pattern comprises the step for laminating the PVD amorphous carbon mask(130) on the lower thin film(120); the step for laminating successively the hard mask on the PVD amorphous carbon mask, the bottom anti-reflective coations(150), and the photoresist pattern(160); the step for etching the bottom anti-reflective layer and the hard mask using the photoresist pattern as the etching mask; the step for etching the PVD amorphous carbon layer using the patterned hard mask as the etching mask; the step for etching the lower thin film using the PVD amorphous carbon layer as the etching mask.

Abstract translation: 提供多层抗蚀剂结构和使用其制造薄膜图案的方法以降低下薄膜的蚀刻纵横比，并且使用PVD无定形碳掩模增加下薄膜的蚀刻选择性。 制造薄膜图案的方法包括将PVD无定形碳掩模（130）层压在下薄膜（120）上的步骤; 在PVD非晶碳掩模，底部抗反射涂层（150）和光致抗蚀剂图案（160）上依次层压硬掩模的步骤; 使用光致抗蚀剂图案蚀刻底部抗反射层和硬掩模的步骤作为蚀刻掩模; 使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻PVD无定形碳层的步骤; 使用PVD无定形碳层蚀刻下部薄膜作为蚀刻掩模的步骤。

公开(公告)号：KR1020080090226A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020070033488

申请日：2007-04-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  부진효 ,  최원석 ,  박용섭 ,  이성욱 ,  최은창 ,  정성훈

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01G9/2059 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0086 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/1804

Abstract: A dye-sensitive solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve charge mobility by using a dye layer with a carbon nano tube and to provide a nano metal doping effect for enabling control of a static band gap capable of adjusting the efficiency of a solar cell and changes of optical features. A dye-sensitive solar cell includes a lower electrode(10), a dye layer(20) and a upper electrode(30). The lower electrode has a substrate(11), a catalyst layer(12) and a carbon nanorod layer(15). The substrate is a glass substrate deposited with FTO(Fluorine doped Tin Oxide). The dye layer is provided between the lower electrode and the upper electrode. The day layer has a Ti metal layer(13) and an Ni metal layer(14). The carbon nanorod layer is made through a hot-filament plasma chemical vapor deposition(PECVD). The dye layer is formed by mixing a carbon nano tube(21) with dye(22). The carbon nano tube is formed through the hot-filament plasma chemical vapor deposition(PECVD). The upper electrode has a substrate(31) and conductive oxide(32) deposited on the substrate.

Abstract translation: 提供了一种染料敏感的太阳能电池及其制造方法，以通过使用具有碳纳米管的染料层来提高电荷迁移率，并提供纳米金属掺杂效应，以便能够控制能够调节效率的静态带隙 太阳能电池和光学特征的变化。 染料敏感的太阳能电池包括下电极（10），染料层（20）和上电极（30）。 下电极具有基板（11），催化剂层（12）和碳纳米棒层（15）。 衬底是用FTO（掺杂氟的氧化锡）沉积的玻璃衬底。 染料层设置在下电极和上电极之间。 日间层具有Ti金属层（13）和Ni金属层（14）。 碳纳米棒层通过热丝等离子体化学气相沉积（PECVD）制成。 染料层通过将碳纳米管（21）与染料（22）混合而形成。 碳纳米管通过热丝等离子体化学气相沉积（PECVD）形成。 上部电极具有沉积在基板上的基板（31）和导电氧化物（32）。

公开(公告)号：KR100850499B1

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：KR1020070009921

申请日：2007-01-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  박용섭 ,  김정태 ,  최은창

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B82B3/0004 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/164

Abstract: An apparatus and a method for manufacturing highly dense carbon nanotubes are provided to prevent impurities from being induced while retaining conductive characteristics by using conductive amorphous carbon thin film as a catalyst. An apparatus for manufacturing highly dense carbon nanotubes includes: a support unit which supports a substrate; a vacuum chamber(120) in which the support unit is installed; a jig(130) which fixes the support unit to the vacuum chamber; a gas supply line; a cooling line; a tungsten filament(140); a gas distributor(150); a gas control unit(190); and a catalyst formation unit which has plural electromagnetic powers for plasma generation and plural graphite targets connected to the electromagnetic powers, and forms a catalyst layer on the substrate with the graphite target using an asymmetric magnetron sputtering method. The catalyst layer is a conductive amorphous carbon thin film.

Abstract translation: 提供一种用于制造高密度碳纳米管的装置和方法，以通过使用导电非晶碳薄膜作为催化剂来保持导电特性，从而可以诱发杂质。 用于制造高密度碳纳米管的装置包括：支撑基板的支撑单元; 设置有所述支撑单元的真空室（120）; 将支撑单元固定到真空室的夹具（130）; 供气线 一条冷却线 钨丝（140）; 气体分配器（150）; 气体控制单元（190）; 以及催化剂形成单元，其具有用于等离子体产生的多个电磁功率和与电磁功率连接的多个石墨靶，并且使用非对称磁控溅射法在石墨靶上在基板上形成催化剂层。 催化剂层是导电无定形碳薄膜。

公开(公告)号：KR100850495B1

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：KR1020070021044

申请日：2007-03-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  정일섭 ,  박용섭 ,  서광유 ,  이철우

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve insulating characteristics of an organic insulating layer by adding insulating characteristics of a hydrogenated amorphous carbon layer. A gate electrode(200) is formed on a substrate(100). An insulating layer(300) is formed on the gate electrode. A hydrogenated amorphous carbon layer(400) is formed on the insulating layer. An active layer(500) is formed on the hydrogenated amorphous carbon layer. A source electrode(600) and a drain electrode(700) are formed on the active layer. The substrate is a polyimide substrate or a polyestersulfone substrate. The gate electrode is an Au layer. The insulating layer is polyvinylcarbonate or polyvinylphenol.

Abstract translation: 提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，通过添加氢化无定形碳层的绝缘特性来改善有机绝缘层的绝缘特性。 在基板（100）上形成栅电极（200）。 在栅电极上形成绝缘层（300）。 在绝缘层上形成氢化非晶碳层（400）。 在氢化无定形碳层上形成活性层（500）。 源极电极（600）和漏电极（700）形成在有源层上。 基板是聚酰亚胺基板或聚酯砜基板。 栅电极是Au层。 绝缘层是聚碳酸酯或聚乙烯基苯酚。

公开(公告)号：KR100813113B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020070019062

申请日：2007-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  김형진 ,  노용한

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B22F5/12 ,  B22F2304/054 ,  B82Y40/00

Abstract: Manufacturing methods of gold nano wire are provided to mass-produce gold nano wire in a simple process and to carry out accurate accumulation of semiconductor device efficiently by arranging nano wire in a line. A manufacturing method of gold nano wire comprises a step of painting a DNA solution comprising gold nano particle on a substrate. Optionally, the DNA solution is adhered to the substrate by liquid coating method or vacuum evaporation method. The prepared substrate is painted with a solution comprising gold nano particle and reducing agent. The adhered DNA on the substrate is optionally arranged in a line or in a cross stripe. An additional manufacturing method of gold nano wire comprises steps of: forming adhesion layer to improve adherence of a solution on a substrate by the liquid coating method or the vacuum evaporation method; preparing a primary admixture solution by mixing reducing agent and gold nano particle; and preparing a secondary admixture solution by mixing the primary admixture solution and DNA, followed by painting the secondary admixture solution on the substrate. The DNA in the secondary admixture solution is optionally arranged in a line or in a cross stripe on the substrate.

Abstract translation: 提供金纳米线的制造方法，以简单的方法批量生产金纳米线，并通过在线上排列纳米线，有效地进行半导体器件的精确积累。 金纳米线的制造方法包括在基材上涂覆包含金纳米颗粒的DNA溶液的步骤。 任选地，DNA溶液通过液体涂布法或真空蒸发法粘合到基底上。 将制备的基材涂上包含金纳米颗粒和还原剂的溶液。 衬底上粘附的DNA任选地排列成一行或十字条。 金纳米线的附加制造方法包括以下步骤：通过液体涂布法或真空蒸发法形成粘合层以改善溶液在基底上的粘附性; 通过还原剂和金纳米颗粒混合制备初级混合溶液; 并通过混合初级混合溶液和DNA制备二次混合溶液，然后将二次混合溶液涂布在基材上。 第二混合溶液中的DNA任选地在基底上排列成一条或一条交叉条纹。

公开(公告)号：KR1020080021957A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020060085225

申请日：2006-09-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  박용섭 ,  조형준

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/0605 ,  C23C14/345 ,  C23C14/352 ,  H01L51/102 ,  H01L51/5203

Abstract: A method for fabricating a conductive carbon thin film of high hardness and an application of the carbon thin film as an electrode for a thin film electro-luminescent device are provided to protect a substrate and a thin film against oxidation and moisture by using the carbon thin film. A carbon thin film having high conductivity and high hardness is manufactured by using a closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus. The closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus includes a chamber(20) composed of a substrate support member, a jig(22) for fixing the substrate support member, a gas supply member, a DC bias power supply(25), and a cooling line(23), and an evacuating member for maintaining a vacuum condition in the chamber. The closed-field unbalanced magnetron sputtering apparatus uses as a sputtering target a graphite target attached to an electromagnetic power unit.

Abstract translation: 提供高硬度的导电性碳薄膜的制造方法以及碳薄膜作为薄膜电致发光元件的电极的应用，通过使用碳薄膜来保护基板和薄膜免受氧化和水分的影响 电影。 通过使用闭环非平衡磁控管溅射装置制造具有高导电性和高硬度的碳薄膜。 闭场不平衡磁控管溅射装置包括由基板支撑构件构成的室（20），用于固定基板支撑构件的夹具（22），气体供给构件，DC偏压电源（25）和冷却 管线（23），以及用于在室内保持真空状态的排气构件。 闭电场不平衡磁控管溅射装置使用附着在电磁功率单元上的石墨靶作为溅射靶。

公开(公告)号：KR100777645B1

公开(公告)日：2007-11-19

申请号：KR1020050097320

申请日：2005-10-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍병유 ,  박용섭 ,  최원석

IPC: C23C16/27

Abstract: 다이아몬드상 카본 필름(Diamond Like Carbon Film: 이하 "DLC 필름"이라 함)을 코팅하는 장치 및 그 코팅 방법에 관한 것으로서, 플렉시블 기판을 공중에 지지하는 수단, 지지 수단이 설치된 진공 챔버, 진공 챔버의 내부를 코팅에 적합한 진공 상태로 유지시키는 진공 수단, 가스공급 수단, 상기 진공 챔버 내의 지그에 접속되어 각각 다른 수치의 전류를 인가하여 불균일하게 플라즈마 자장을 형성하도록 하여 비대칭 마그네트론(Closed Field Unbalanced Magnetron) 필드를 형성하도록 하는 전원 공급수단 및 플렉시블 기판 위에 소정의 원소로 된 다이아몬드 상 카본 필름을 적층하는 적층 수단으로 구성을 마련한다.
상기와 같은 플렉시블 기판 DLC 필름 코팅 장치 및 그 방법은 기본의 화학기상성장법(CVD) 종류가 아닌 상온에서 증착이 가능한 스퍼터 공정을 이용하며, 플렉시블 기판에 대해 열과 플라즈마의 영향을 최소화하기 위해 단시간 증착을 하며, 비대칭 마그네트론 스퍼터 공정으로 대면적 증착과 높은 증착율에 의한 균일 증착이 가능하기 때문에 산업화 응용에 더욱 효과적이다. 본 발명의 또 다른 효과는 플렉시블 기판위에 DLC 필름을 코팅하여 마모나 부식에 의한 영향을 줄이는 것이다.
플렉시블 기판, DLC, 코팅, 비대칭 마그네트론, 박막, 스퍼터