公开(公告)号：KR101303594B1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：KR1020110121890

申请日：2011-11-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  장주연 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박형식 ,  박진주 ,  조재현 ,  김영국 ,  장경수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101289277B1

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：KR1020100116147

申请日：2010-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국 ,  박형식 ,  신종훈 ,  안시현 ,  조재현 ,  장주연

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120054828A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020100116147

申请日：2010-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국 ,  박형식 ,  신종훈 ,  안시현 ,  조재현 ,  장주연

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.

Abstract translation: 目的：提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法，其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成：在硅衬底（100）上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极（110）形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体（120）。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极（130）。

公开(公告)号：KR101073488B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020090134034

申请日：2009-12-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 본발명은알루미늄, 티타늄, 크롬, 몰리브덴및 텅스텐으로이루어진군으로부터선택된금속으로제조된금속와이어; 상기금속와이어외부에증착되어발생된전자를전도하는 n-타입층; 상기 n-타입층 상부에증착되어태양광을받아여기된전자를방출시키는 p-타입층; 및상기 p-타입층 상부에증착되는투명전극층을포함하는와이어형박막태양전지를제공한다. 본발명은종래의평판형박막태양전지에비해광전변환효율을향상시킬수 있으며고밀도태양전지모듈의제작이용이한와이어형박막태양전지및 이의제조방법을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020100117539A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：KR1020100038143

申请日：2010-04-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  이영석 ,  윤기찬 ,  이선화

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/075 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a thin film type solar battery by applying a material with a high band gap to a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: A front side anti-reflective layer(20) is formed on a glass substrate(10). A p-type semiconductor layer(30) is formed on the front side anti-reflective layer. An i-type semiconductor layer(40) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type semiconductor layer(50) is formed on the i-type semiconductor layer. A backside reflection layer(60) is formed on the n-type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，以通过向p型半导体层施加具有高带隙的材料来提高薄膜型太阳能电池的效率。 构成：在玻璃基板（10）上形成有前侧防反射层（20）。 在前侧防反射层上形成p型半导体层（30）。 在p型半导体层上形成i型半导体层（40）。 在i型半导体层上形成n型半导体层（50）。 在n型半导体层上形成有背面反射层（60）。

公开(公告)号：KR101831533B1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：KR1020160176342

申请日：2016-12-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  이영석 ,  김상호 ,  오동현 ,  박진주

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은투명전도막상에전극을형성하는방법에관한것이고, 또한본 발명은실리콘이종접합태양전지에전극을형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른투명전도막상에전극을형성하는방법은, 투명전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에산화막을형성하는단계; 레이저스크라이빙(laser scribing)을이용하여전극을형성할위치에서상기투명전도막의일부및 상기산화막을식각하는단계; 상기식각된빈 공간에전극을형성하는계; 및상기산화막을제거하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120059372A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110122524

申请日：2011-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박진주 ,  조재현 ,  장주연 ,  박형식

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to increase a surface area of a crystalline silicon substrate by forming an amorphous thin film laminated body on an amorphous silicon substrate. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed at the upper side of a crystalline silicon substrate. Texture is formed by etching the crystalline silicon substrate with a lithography method. A passivation layer(120) is formed at the upper side of the emitter layer. An amorphous thin film laminated body(130) is formed at the upper side of the passivation layer. A front side electrode(140) is formed at the upper side of the amorphous silicon layer. A rear side electrode(150) is formed at the rear side of the crystalline silicon substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种异质结硅太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅基板上形成非晶薄膜层叠体来增加晶体硅衬底的表面积。 构成：在晶体硅衬底的上侧形成发射极层（110）。 通过用光刻法蚀刻晶体硅衬底形成纹理。 钝化层（120）形成在发射极层的上侧。 在钝化层的上侧形成无定形薄膜叠层体（130）。 在非晶硅层的上侧形成有前侧电极（140）。 背面电极（150）形成在晶体硅衬底的后侧。

公开(公告)号：KR1020110077446A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090134034

申请日：2009-12-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: PURPOSE: A wire type thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric conversion efficiency by maximizing a pn junction surface with an aspect ratio and the density of a wire type thin film solar cell. CONSTITUTION: An n-type layer is deposited on the outer side of a metal wire by a plasma chemical vapor deposition method. A p type layer is deposited on the upper side of the deposited n type layer(120) with the plasma chemical vapor deposition method. A transparent electrode layer(150) is deposited on the upper side of the deposited p type layer.

Abstract translation: 目的：提供一种线型薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过以纵横比和线型薄膜太阳能电池的密度最大化pn结表面来提高光电转换效率。 构成：通过等离子体化学气相沉积法在金属线的外侧上沉积n型层。 利用等离子体化学气相沉积方法在沉积的n型层（120）的上侧沉积p型层。 在沉积的p型层的上侧沉积透明电极层（150）。

公开(公告)号：KR1020110020618A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: 본 발명은 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법은, 기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, nip구조 또는 pin구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N
2 O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiO
x 박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, N
2 O가스를 사용하여 증착한 비정질 SiOx막을 포함하는 실리콘 태양전지를 유기 태양전지의 앞에 위치시킴으로써, 유기 태양전지에 비하여 단파장영역의 빛을 이용하는 무기 태양전지층을 추가하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 적층형, 탠덤형, 폴리머 태양전지, 유무기 복합 태양전지

公开(公告)号：KR1020120059371A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110121890

申请日：2011-11-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  장주연 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박형식 ,  박진주 ,  조재현 ,  김영국 ,  장경수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A thin film type solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve short-circuit current density by including a rear side transparent conductivity oxide layer and a rear side electrode having different reflective index. CONSTITUTION: Texture is formed on the surface of a glass substrate. A front side transparent conductivity oxide layer(110) is formed at the upper side of the glass substrate. A thin film laminated body of a p-i-n structure is formed at one side of the front side transparent conductivity oxide layer. A rear side transparent conductivity oxide layer(160) is formed at the upper side of the thin film laminated body of the p-i-n structure. A rear side electrode layer(170) is formed at the upper side of the rear side transparent conductivity oxide layer and the upper side of the front side transparent conductivity oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，其通过包括背面透明导电氧化物层和具有不同反射率的后侧电极来提高短路电流密度。 构成：在玻璃基板的表面上形成纹理。 在玻璃基板的上侧形成有正面透明导电性氧化物层（110）。 在正面透明导电氧化物层的一侧形成p-i-n结构的薄膜层叠体。 在p-i-n结构的薄膜层叠体的上侧形成有背面透明导电氧化物层（160）。 在后侧透明导电氧化物层的上侧和前侧透明导电氧化物层的上侧形成有背面电极层（170）。