公开(公告)号：KR101444954B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR101323868B1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：KR1020107015599

申请日：2008-12-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  가와세도모히로 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B23/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 본 발명은 대형이며 고품질의 Al
x Ga
1
-
x N 단결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
1
-
x N 단결정의 성장 방법은, 결정 직경 D ㎜와 두께 T ㎜가 T y Ga
1
-
y N (0 y Ga
1
-
y N 종결정(4)의 주표면(4m) 위에 Al
x Ga
1
-
x N (0

公开(公告)号：KR1020090101074A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020087024610

申请日：2007-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로타류 ,  우에마츠고지 ,  가와세도모히로

IPC: C30B19/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: This invention provides a process for producing a large-size group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low. The production process is characterized in that it comprises the step of providing a base substrate (1) comprising a group III nitride seed crystal having a main area (1s) and a polarity reversed area (1t) having polarity reversed in direction to the main area (1s), and the step of growing a group III nitride crystal (10) by a liquid phase method on the main area (1s) and the polarity reversed area (1t) in the base substrate (1), and a first area (10s) having a higher growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the main area (1s) covers a second area (10t) having a lower growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the polarity reversed area (1t).

Abstract translation: 本发明提供一种制造其中至少其表面的位错密度完全低的大尺寸III族氮化物晶体的方法。 制造方法的特征在于，其特征在于，包括提供包括主要区域（1s）和极性反转区域（1t）的III族氮化物晶种的基底（1）的步骤，所述III族氮化物晶体的极性反转方向与主区域 （1s）和基底基板（1）中的主区域（1）和极性反转区域（1t）上的液相法生长III族氮化物晶体（10）的步骤，以及第一区域 在主区域（1s）上生长的III族氮化物晶体（10）的生长速度更高的第二区域（10t）覆盖在极性反转上生长的III族氮化物晶体（10）生长速率较低的第二区域（10t） 区域（1t）。

公开(公告)号：KR1020090052292A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115335

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 실시한다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사염화규소(SiCl
4 ) 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 제1의 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2). 이 제1의 III족 질화물 반도체 결정의 성장 속도가 200(㎛/h) 이상 2000(㎛/h) 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052288A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.