公开(公告)号：KR101347411B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법은 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하여 반응실(110) 내를 세정하는 공정과, 세정된 반응실(110) 내에서 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 기상 성장시키는 공정을 포함한다. 또한, Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 장치(100)는 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하는 구조와 HVPE법에 의해 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 성장시키는 구조를 구비한다. 이에 따라, 결정 성장시에 반응실 내에 부착된 퇴적물을 효과적으로 세정하는 방법을 포함하는 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법 및 그 제조 방법에서 이용되는 제조 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020100057756A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：KR1020097010013

申请日：2008-09-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타세이지 ,  모토키겐사쿠

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2201 ,  H01S2301/173

Abstract: Provided are a GaN epitaxial substrate having an improved yield, a semiconductor device using such GaN epitaxial substrate, and methods for manufacturing the GaN epitaxial substrate and the semiconductor device. The GaN epitaxial substrate manufacturing method has a first GaN layer forming step of epitaxially growing a first GaN layer on a base substrate; a recessed section forming step of forming a recessed section on an upper surface of the base substrate after the first GaN layer forming step; and a second GaN layer forming step of epitaxially growing a second GaN layer on the first GaN layer after the recessed section forming step. Thus, generation of cracks is suppressed and the yield is improved.

Abstract translation: 提供了具有提高的产率的GaN外延基板，使用这种GaN外延基板的半导体器件，以及用于制造GaN外延基板和半导体器件的方法。 GaN外延衬底制造方法具有在基底衬底上外延生长第一GaN层的第一GaN层形成步骤; 在所述第一GaN层形成步骤之后，在所述基底基板的上表面上形成凹部的凹部形成工序; 以及在所述凹部形成步骤之后，在所述第一GaN层上外延生长第二GaN层的第二GaN层形成步骤。 因此，抑制裂纹的产生，提高收率。

公开(公告)号：KR100297532B1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.

公开(公告)号：KR100243623B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 고온에서 에피택셜 성정할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에티팩셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1019980080216A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.