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11.发明授权Ｓｉ（１－ｖ－ｗ－ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ 기재의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, Ｓｉ（１－ｖ－ｗ－ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ 기재 및 에피택셜 웨이퍼 有权Si（1-v-w-x）C w Al x N v衬底，制造外延晶片的方法，Si（1-v-
公开(公告)号：KR101516036B1
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：KR1020107022987
申请日：2009-04-17
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C14/06 , C30B29/36 , C30B29/38
Abstract: 높은 결정성을 유지하고, 또한 낮은 비용을 유지하는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재, 에피택셜 웨이퍼, 및 이들의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재의 제조 방법은, 이종 기판(11)을 준비하는 공정과, 이종 기판(11) 상에, 주표면을 갖는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층을 성장시키는 공정을 포함한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서의 주표면의 조성비 x+v는 0＜x+v＜1이다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면으로부터 주표면을 향해 조성비 x+v가 단조 증가 또는 단조 감소한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면의 조성비 x+v는 주표면의 조성비 x+v보다도 이종 기판(11)의 재료에 가깝다.Abstract translation: 保持高结晶度并保持低成本的Si
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公开(公告)号：KR101346501B1
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020087006047
申请日：2007-03-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/00
Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 단결정의 성장 방법은, 승화법에 의한 Al
x Ga
1
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x N 단결정(4)의 성장 방법으로서, 도가니(12) 내에 원료(1)를 배치하는 공정과, 원료(1)를 승화시켜 도가니(12) 내에 Al
x Ga
1-x N(0 y Ga
1-y N 원료(2)와 불순물 원소(3)를 포함하며, 불순물 원소(3)는 Ⅳb족 원소 및 Ⅱa족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나이다. 이러한 성장 방법에 의하면, 대형으로 전위 밀도가 낮고 결정성이 우수한 Ⅲ족 질화물 단결정을 안정적으로 성장시킬 수 있다.
질화물 단결정, 승화법, 불순물 원소-
13.发明公开복합 재료, 연속 주조용 부품, 연속 주조용 노즐, 연속 주조 방법, 주조재 및 마그네슘 합금 주조 코일재 无效复合材料，连续铸造用组件，连续铸造用喷嘴，连续铸造方法，铸造材料和镁合金铸铁材料
公开(公告)号：KR1020130023266A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020127031500
申请日：2011-06-03
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: B22D11/001 , B22D11/0622 , B22D11/0642 , B22D11/10 , C04B35/117 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/806 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/5063 , C04B41/5064 , C04B41/87 , C04B2111/00879 , C04B2235/3217 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/5244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9676 , C09D1/00 , C22C23/00 , Y10T428/26 , Y10T428/31678 , B22D11/06 , B22D11/00 , B22D11/045 , B22D21/04 , C04B41/85 , C04B35/10 , C04B41/4539 , C04B41/4572 , C04B41/5031
Abstract: 노즐과 가동 주형 사이에 생기는 간극에 용탕이 유입되기 어렵고, 표면 품질이 우수한 주조재를 장기적으로 연속 주조할 수 있는 연속 주조용 부품을 형성하는 데 알맞은 복합 재료를 제공한다. 다수의 빈 구멍을 갖는 다공질체(2)와, 그 다공질체(2)의 표면부 중, 순마그네슘 또는 마그네슘 합금의 용탕에 접촉하는 개소의 적어도 일부에 내재되는 충전재를 구비하는 복합 재료(노즐(1))이다. 다공질체(2)에 내재되는 충전재는 질화물, 탄화물 및 탄소로부터 선택되는 적어도 1종이다.
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公开(公告)号：KR1020080109030A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020087025282
申请日：2006-06-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Abstract: A method of growing a good-quality single crystal of a Group III element nitride with satisfactory reproducibility; and a single crystal of a Group III element nitride obtained by the growth method. The method comprises growing a single crystal (3) of a Group III element nitride in a crystal growth vessel (11), and is characterized in that a porous object which is made of a metal carbide and has a porosity of 0.1-70% is used as at least part of the crystal growth vessel (11). Due to the use of this crystal growth vessel (11), 1-50% of a raw-material gas (4) present in the crystal growth vessel (11) can be discharged from the crystal growth vessel (11) through pores of the porous object. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 以良好的再现性生长III族元素氮化物的优质单晶的方法; 和通过生长方法获得的III族元素氮化物的单晶。 该方法包括在晶体生长容器（11）中生长III族元素氮化物的单晶（3），其特征在于，由金属碳化物制成且孔隙率为0.1-70％的多孔物体为 用作晶体生长容器（11）的至少一部分。 由于使用这种晶体生长容器（11），存在于晶体生长容器（11）中的原料气体（4）的1-50％可以从晶体生长容器（11）中通过孔 多孔物体 ®KIPO＆WIPO 2009
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公开(公告)号：KR1020080082647A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：KR1020087014663
申请日：2007-01-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , C30B23/00 , C30B29/403 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , Y10T428/26
Abstract: Provided are an AlN crystal manufacturing method by which a semiconductor device having excellent characteristics can be obtained, an AlN crystal, an AlN crystal substrate and a semiconductor device manufactured by using such AlN crystal substrate. The AlN crystal manufacturing method includes a step of growing an AlN crystal on the surface of a SiC seed crystal substrate, and a step of taking out at least a part of the AlN crystal within a range of 2mm or more but not more than 60mm on the AlN crystal side from the surface of the SiC seed crystal substrate. The AlN crystal and the AlN crystal substrate are obtained by such method and the semiconductor device is manufactured by using such AlN crystal substrate.
Abstract translation: 提供了可以获得具有优异特性的半导体器件的AlN晶体制造方法，使用这种AlN晶体衬底制造的AlN晶体，AlN晶体衬底和半导体器件。 AlN晶体制造方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，以及将AlN晶体的至少一部分取出至2mm以上且60mm以下的工序 来自SiC晶种衬底表面的AlN晶体侧。 通过这种方法获得AlN晶体和AlN晶体衬底，并且通过使用这种AlN晶体衬底制造半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080030570A
公开(公告)日：2008-04-04
申请号：KR1020077029896
申请日：2006-07-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B29/403 , Y10T428/2982
Abstract: This invention provides an AlN crystal, which can be applied to various semiconductor devices, has a large diameter, and has good crystallinity, and a method for growing the same and an AlN crystal substrate. The method for growing an AlN crystal comprises growing an AlN crystal (4) on a seed crystal substrate (2) disposed within a crystal growth chamber (24) in a crystal growth container (12) provided within a reaction vessel by vapor growth and is characterized in that, in the growth of the crystal, a carbon-containing gas is fed into a crystal growth chamber (24).
Abstract translation: 本发明提供可应用于各种半导体器件的具有大直径且具有良好结晶度的AlN晶体及其生长方法和AlN晶体衬底。 生长AlN晶体的方法包括通过蒸气生长在设置在反应容器内的晶体生长容器（12）中的晶体生长室（24）中的晶种基底（2）上生长AlN晶体（4），并且 其特征在于，在晶体生长中，将含碳气体供给到晶体生长室（24）中。
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公开(公告)号：KR101507169B1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：KR1020080133364
申请日：2008-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 포함하고 있다. 우선, 원료(13)로부터의 열복사를 차단하기 위한 열차폐부(110)를 내부에 포함하는 챔버(101)가 준비된다. 그리고, 챔버(101) 내의, 열차폐부(110)에 대하여 한쪽에 원료(13)가 배치된다. 그리고, 원료(13)를 가열함으로써 승화시키고, 챔버(101) 내의 열차폐부(110)에 대하여 다른 쪽에, 원료 가스를 석출시킴으로써 III족 질화물 반도체 결정(15)이 성장된다.
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公开(公告)号：KR101504772B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020097021367
申请日：2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정-
公开(公告)号：KR101410534B1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020097008369
申请日：2007-11-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법은, {0001} 이외의 임의로 특정되는 면방위의 주요면(20m)을 갖는 Ⅲ족 질화물 결정(20)의 제조 방법으로서, Ⅲ족 질화물 벌크 결정(1)으로부터, 그 특정되는 면방위의 주요면(10pm, 10qm)을 갖는 복수의 Ⅲ족 질화물 결정 기판(10p, 10q)을 잘라내는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm)이 서로 평행하고, 또한, 이들 기판(10p, 10q)의 [0001] 방향이 동일하게 되도록, 가로 방향으로 이들 기판(10p, 10q)을 서로 인접시켜 배치하는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm) 상에, Ⅲ족 질화물 결정(20)을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 결정-
公开(公告)号：KR101404270B1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020087014663
申请日：2007-01-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , C30B23/00 , C30B29/403 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , Y10T428/26
Abstract: 본 발명은 양호한 특성을 갖는 반도체 디바이스를 얻을 수 있는 AlN 결정의 제조 방법, AlN 결정, AlN 결정 기판 및 그 AlN 결정 기판을 이용하여 제작된 반도체 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. SiC 종결정 기판의 표면 상에 AlN 결정을 성장시키는 공정과, SiC 종결정 기판의 표면으로부터 AlN 결정측에 2 ㎜ 이상 60 ㎜ 이하의 범위에 있는 적어도 일부의 AlN 결정을 추출하는 공정을 포함하는 AlN 결정의 제조 방법이다. 또한, 그 방법에 의해 얻어지는 AlN 결정, AlN 결정 기판 및 그 AlN 결정 기판을 이용하여 제작된 반도체 디바이스이다.
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